5G与物联网的发展促进着存储器需求的持续增长

（文章来源：DIGITIMES）

随着5G时代的逐渐逼近，物联网的快速发展促进着存储器需求的持续增长。数据表明，中国消耗全球20%的DRAM及25%的NAND，2017年中国进口存储器889.21亿美元，同比2016年的637.14亿美元增长了39.56%。中国存储市场发展潜力巨大，各芯片制造商也在抓住存储器市场商机，积极布局，促进国产芯片的不断发展。

然而尽管成长空间巨大，我国存储器市场却一直面临着一个尴尬的局面——进口依赖大。回归到现实，中国发展存储产业并不容易，由于技术门槛高、投资规模巨大、高端人才稀缺，作为尖端产业，中国存储器企业与世界巨头相比还有相当大的差距，举步艰难。

作为国内存储器芯片生产巨头之一，合肥长鑫的进展可谓是如火如荼，7月16日，合肥长鑫发布首个中国自主研发的8Gb LPDDR4 DRAM芯片，并计划将于2018年年底推出工程样品，这是国产DRAM产业的一个里程碑，采用19纳米工艺。

合肥长鑫的DRAM项目投资超过72亿美元（495亿人民币），项目建设三期工程，目前建设的是一期工程12吋晶圆厂，建成后月产能为12.5万片晶圆。据悉，项目投产后预计将占据世界DRAM市场约8%的份额，填补国内DRAM市场的空白。

而随着兆易创新原董事长朱一明接棒王宁国，上任合肥长鑫存储及睿力CEO后，这时间节点是否或发生变化，还未可知。受主要国内公司存储和代工项目的推动，中国将在2020年的晶圆厂投资将以超过200亿美元的支出，超越世界其他地区，占据首位。

根据最新的一份SEMI“中国IC生态系统报告”（The China IC Ecosystem Report）指出，中国前端晶圆厂产能今年将增长至全球半导体晶圆厂产能的16％；到2020年，这一份额将增加到20％。

尽管我国存储器产业在不断发展，但自主开发的存储芯片市场份额却所占无几。据最新数据显示，2017年中国存储芯片进口总额中，韩国产芯片的进口规模达463.48亿美元，同比大增51.3%，在总进口中占52.3%。2018年第一季度，中国存储芯片进口额达146.72亿美元，同比猛增75.4%。

更严峻的是，国内存储业者还面临着前有狼后有虎的局面。据悉，韩国SK海力士在韩国清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。随着M15工厂的建成，SK海力士将加速大规模生产第五代96层3D NAND闪存。

此外，9月3日SK海力士中国销售总部正式落户无锡高新区。SK海力士布局中国市场动作频频。无独有偶，三星电子7月份也已开始批量生产96层3D NAND闪存，而东芝和美光计划也将效仿。

不过，随着国内政府对半导体产业发展的支持，以及行业竞争力的提升，我国在半导体领域的差距有可能也在逐渐缩小，未来国产芯是否能真正做到自给，值得期待。半导体资深观察家莫大康即分析指出，较为乐观的估计，中国能用5年左右时间，达到全球市场(2018年存储器业产值预测可达1,500亿美元)占比的3% - 5%，也即DRAM与NAND的累加产值能达到近50亿美元，表明中国存储器业的突围取得了初步的成功。