0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

NOR Flash主要厂商及产品

21克888 来源:电子发烧友网 作者:Norris 2020-11-08 09:26 次阅读

一、2020第一季NOR Flash厂商市占排名

据集邦咨询2020第一季NOR Flash厂商市占数据,NOR Flash营收市占第一是旺宏,其制程在业界相对领先,目前采用55nm制程生产,月产能约在20K左右。由于该公司NOR Flash产品线完整,从低容量至高容量齐备,尤其看中未来5G基站的商机,512Mb的NOR Flash将是旺宏生产的主要产品之一,为产业当中少数提供大容量的解决方案。

排名第二的华邦电紧追在后,目前是使用58/90nm制程,每月产能约在18K。

排名第三则是中国的兆易创新,近几年无论在产品质量与产出量方面都有明显跃进,甚至拿下Apple的AirPods订单,其研发实力已被肯定,月产能约9K,分别在中芯国际(SIMC)与华力微投片生产。值得注意的是,兆易创新与合肥长鑫存储还有紧密的合作关系,意味着兆易创新集团同时握有中国NOR Flash与DRAM的自主研发能力,扮演中国半导体发展的重要角色。


二、NOR 市场增量来源

带动NOR Flash市场增量的原因主要有以下三点,首先,TWS近几年出货量上升,2020E年TWS耳机出货量接近250百万副。



其次全球智能手机面板与OLED也是带动增量 的重要原因, 2020E年智能手机出货量达到1788百万台,此外,AMOLED出货量达到715.2百万颗,带动NOR 市场增量443.42百万元。



AI-IoT的高速发展也为NOR市场增量助力 ,带动增量2600.78百万元。最后,5G的普及率提高,成为NOR市场增量的主要推手,其贡献市场增量达6011.84百万元。


三、NOR主要厂商及产品

电子发烧友梳理了NOR Flash主要厂商及其产品,其中旺宏、华邦、武汉新芯等厂商在NOR Flash领域占有重要地位,英飞凌收购Cypress后,其Serial NOR Flash产品运用于汽车导航与娱乐系统。此外,国内的兆易创新NOR Flash营收排在第三位,具有研发、生产、销量NOR相关产品能力,具体详情见下表。




旺宏

旺宏电子从512KB到256Mb的密度在一个8-pin SOP(采用150mil,200mil)或16引脚SOP封装(300 mil)的串行闪存产品。 这些设备,在X1组织提供,支持读取,擦除和编程操作。 这些产品采用串行外设接口(SPI)协议。 旺宏串行闪存不仅有利于系统的硬件配置,但也降低了系统设计的复杂性。 我们的操作过电压范围为2.7V至3.6V 3V产品。 现在可从512KB到256Mb的所有产品。

此外,旺宏电子与双I / O和四I / O操作,它的两倍和四倍读取性能到300Mbits/second的高端消费类应用,还提供了高性能的串行闪存产品。 在时钟的上升沿和下降沿触发,DTR(双传输速率)模式,进一步提高读取速度400Mbits/second。 多个I / O产品提供容量为8MB及以上。 旺宏电子也提供了一系列低电压,1.8V和2.5V的双I / O和四I / O接口的串行闪存产品。



旺宏电子为3V,1.8V和5V的行业标准并行快闪记忆体产品提供了一个广泛的产品线,从2Mb到1Gb密度。 这些产品具有引导和统一的部门架构在x8,x16,和x8/x16可选配置。 旺宏快闪记忆体,为客户提供符合成本效益,高性能和可靠的产品,提供低功耗,高耐用性和可靠性。

旺宏电子3V并行闪存产品都可以在两个的版本:MX29LV系列(标准的读访问)和MX29GL MX68GL系列(页面模式访问)。 旺宏电子还提供了1.8V以下并行闪存产品:MX29SL(标准访问),MX29NS(突发模式下,AD-MUX),和MX29VS(突发模式,同步读写,AD-MUX)。

提供8位、16位、8位/16位可选的数据传输方式。电源电压有5V,3V和1.8V。MX29GL系列产品提供先进的页模式接口,在读访问和编程操作上都进行了优化,用户可以使用页模式连续读取多个数据。


华邦

1.2V Serial NOR Flash

华邦推出支援最新业界标准低电压1.2V,且能支援dual、quad SPI 和Quad Peripheral Interface (QPI) 的NOR Flash是前所未见的。W25QxxND 1.2V系列产品跟既有3V和1.8V的闪存产品具有相当的操作效能,且能进一步的节省功耗。对于由电池供电且设计空间有限的装置,像是行动装置、物联网和穿戴式装置,和对于需要省电且低功耗的闪存,W25QxxND 1.2V系列产品提供2mm x 3mm USON8、narrow 150mil SOP8、6x5mm WSON 8-pin封装和KGD (Known Good Die)。 1.2V系列产品可延伸操作到1.5V,利用单颗干电池即可运作,不像一般需将两个电池串联到3V才可操作的设计。



2、W25X 与W25Q

台湾华邦的W25X 与W25Q SpiFlash®Multi-I/O记忆体支援通用的SPI介面,容量从512Kb 到 512Mb,具有小容量分割的可擦除区块与业界操作效能。 W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式,相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。


W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式,相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。 W25Q系列是25X系列的进阶版,可支援Quad-I/O SPI四线输出入模式提供更高的效能,操作频率104MHz同等于416MHz(50M-Byte/S传输率),相当于是一般单线SPI操作的4倍效能。 W25Q系列不但效能超过Parallel flash,还提供更少脚位的封装。

更快的传输率代表控制器可以直接透过SPI介面与闪存做晶片内执行(XIP, eXecute In Place),或是加快复制代码到RAM使开机速度加快。除此之外,部份SpiFlash®支援QPI (Quad Peripheral Interface)让指令集可更快的传输,加快XIP的传输效率。另外更小的封装, 更利于对设计空间有限的手持和行动装置应用。

武汉新芯


武汉新芯推出50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC。该产品系列支持低功耗宽电压工作范围,适用于物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用产品设计方案。

XM25QWxxC系列产品的读速在1.65V至3.6V电压范围内可达108MHz(在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持),提供比其他供应商更快更强的性能,在电源电压下降后,时钟速度没有任何减慢。其传输速率优胜于8位和16位并行闪存。在连续读取模式下可以实现高效的存储器访问,仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址,从而实现真正的XIP(execute in place)操作。

XM25QWxxC系列flash芯片支持SOP8和USON8封装,适用于便携式产品设计。


XM25QH256B


单一电压供应,电压:2.7V至3.6V,用于快速读取操作最高为133 MHz,灵活的存储体系结构,扇区大小:4K字节




兆易创新

兆易创新提供超低功耗闪存系列,具有零深度待机电流



兆易创新提供 GD25WD 系列,具有零深度待机电流和低有源读取电流,适用于低功耗应用。GD25WD 系列亮点包括零待机电流和 1.65 V 至 3.6 V 的宽电压范围。128 位唯一 ID 功能还为低功耗应用提供增强的安全性。电压为1.65 V 至 3.6 V,密度为512 Kb ~ 8 Mb,
采用单/双 SPI接口,双 SPI 数据传输速率高达每秒 160 Mb,还有灵活的内存架构(扇区大小:4K 字节,块大小:32/64K 字节),高可靠性,20 年数据保留和 100,000 次编程/擦除周期。



Micron

Micron Technology串行 NOR 解决方案专为满足消费电子工业、有线通信和计算应用需求而设计。 Micron 的行业标准封装、引脚分配、指令集和芯片组兼容性易于为设计采用,节省了宝贵的开发时间,同时确保与现有和未来设计的兼容性。

多 I/O(单、双和四通道)串行 NOR 线路具有吸引人的读取性能(高达 54 MB/s)、灵活的存储器分区(均匀 64 KB 和 4 KB)、小型封装尺寸以及宽封装支持。 N25Q 基于 65 nm 技术,采用 1.8 V 和 3 V 电源供电 ,也提供汽车级版本。 N25Q 可兼容 M25P 和 M25PX 系列。

Cypress


对于专注于保护信息和维护系统完整性的客户来说,拥有安全的连接系统是头等大事。随着系统越来越依赖外部NOR Flash来保护连接系统中的代码和数据,对内存中添加高级密码安全性的需求也越来越大。英飞凌表示,它的Semper Secure NOR Flash架构为其功能安全的Semper产品添加了一个安全子系统,以实现端到端的持久保护,并有效地保护系统不受损害。



Semper Secure NOR Flash系列包括AEC-Q100汽车认证设备,扩展温度范围为-40°C至+125°C,支持1.8-V和3.0-V工作范围,并提供128 Mb、256 Mb和512 Mb的密度。Semper Secure NOR Flash的设计完全符合ISO 26262标准,并符合ASIL-B标准,可用于ASIL-D之前的系统中。实施的EnduraFlex架构通过优化高耐久性或长数据保留分区简化了系统设计。设备提供四串行外围接口(SPI)、八进制SPI和hybibus接口。八进制和超总线接口设备符合用于高速x8串行NOR闪存的JEDEC扩展SPI(xSPI)标准,并提供高达400mbps的读取带宽。


恒烁
  
恒烁半导体可提供具有通用SPI接口的Flash存储器,主要产品为1.8V工作电压的ZB25LD/ZB25LQ系列,3.0V工作电压的ZB25VQ/ZB25D系列,以及1.8/3.3V宽工作电压的ZB25WD/ZB25WQ系列。可供选择的容量大小为1Mbit到256Mbit。

  


配合最高133MHz的工作频率,和标准、双口和四口的工作模式,恒烁半导体的SPI NOR Flash产品可支持高达到(Dual)266MHz和(Quad)532MHz的数据交换速度。

  
恒烁半导体SPI NOR Flash产品的静态电流最低至1uA,数据保持时间20年,擦写次数可达10万次,工作温度范围-40℃~105℃。产品具有可靠性高,功耗低,和先进的安全特性,应用范围涵盖了DVD/CD drives,STB,DPF,Desktop和Notebook PC,DVD Recorders,WLAN,DSL,LCD Monitors,Flat Panel TV,Printers,GPS,MP3等等。


复旦微电子

复旦微电子拥有丰富的NOR Flash设计经验,现可提供通用SPI接口Flash存储器:2.3V~3.6V工作电压范围的FM25F/FM25Q系列及1.65V~3.6V款工作电压范围的FM25W系列。产品具有高可靠性及高安全性,应用范围涵盖了手机,网通、安防,PC,物联网,显示面板,办公设备及工控产品等。

产品特性:
●容量: 0.5Mbit到256Mbiit
●多种接口模式:SPI,Dual SPI,Quad SPI,QPI
●工作电压:1.65V-3.6V(FM25WXX),2.3V-3.6V(FM25FXX/FM25QXX)
●可靠性:数据保持时间20年,擦写寿命10万次
●小型化封装:SOP8(208mil),SOP8(150mil),DFN8,WLCSP
●安全特性:硬件写保护,32Byte安全扇区,128bit UID

中天弘宇

中天弘宇集成威廉希尔官方网站 有限责任公司拥有丰富的NOR Flash设计经验,现可提供通用SPI接口Flash存储器,工作电压在1.08V~3.6V的范围。产品具有高可靠性及高安全性。

产品特性:1)很小的单个bit颗粒,面积可达4F² 2)规划产品容量256Mbit到4Gbit 3)接口模式:SPI,Dual SPI,Quad SPI , DDR 4)工作电压:1.08V-3.6V 5)可靠性:数据保持时间20年,擦写寿命10万次 6)小型化封装:SOIC,VSOP , WSON, USON, PDIP

东芯

东芯串行NOR FLASH系列产品可提供具有通用SPI接口不同规格的NOR Flash,容量从2Mb到256Mb,3.3V/1.8V两种电压,支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式以及多种封装方式,可适应多种应用场景。专注在中小容量,性价比高,广泛应用于对存储空间需求不高的设备中。


芯天下

芯天下技术提供业界标准的25 系列串口NOR Flash产品,小型化封装、多容量选择,兼容的指令集,宽电压和高可靠性全面覆盖消费,通讯、工业和个人电脑等应用领域。

1.超低功耗,深度睡眠电流典型值低至 60nA;
2.BP位保护、OTP保护、独立block区域保护确保代码安全;
3.高可靠性,确保10万次擦写,数据保存时间长达20年;
4.支持 1.65~2.1V, 2.7~3.6V, 1.65~3.6V 宽电压,容量1Mb~1Gbit;
5.DFN 1.2x1.2x0.40mm,2x3x0.40mm,4x3x0.55mm 等小尺寸封装;
6.提供 KGD 产品与服务支持SiP合封需求。



时代芯存

产品概况和性能参数介绍:采用先进的40纳米CMOS工艺制程,芯片尺寸13.74mm2,存储数据前无需进行擦除动作工作电压+1.8V—+3.6V,SPI接口,最大工作频率133MHz。

产品可靠性参数介绍:产品耐擦写次数大于10^5次,强大的抗辐射性能,25℃数据保存时间20年,工作温度-40℃—+85℃,2kV ESD防静电保护能力。



扬贺扬微电子科技

NOR Flash系列的2M(HY25D02IEIAAG)和4M的HY25D04IEIAAG采用的都是USON 2x3mm工艺,8M、16M、32M、64M、128M系列都采用的是SO-8 208mil。


工作电压范围是2.7至3.6V,工作温度-40℃—+85℃。

芯泽电子科技

芯泽电子科技可提供具有通用SPI接口的Flash存储器,主要产品为ZD25Q和ZD25LQ系列,工作电压为1.8V和3.3V,可供选择的容量大小分别为2Mbit到128Mbit,最高支持105MHz的工作频率,可在双口和四口模式下工作,芯泽电子SPI NOR Flash产品的静态电流最低至1uA,数据保持时间20年,擦写次数可达10万次,工作温度范围-40℃~+85℃。产品具有可靠性高,功耗低,和先进的安全特性,应用范围涵盖了DVD/CD drives,STB,DPF,Desktop和Notebook PC,DVD Recorders,WLAN ,DSL,LCD Monitors,Flat Panel TV,Printers,GPS,MP3 等等。

豆萁科技

豆萁科技SPI NORFLASH系列产品遵循国际JEDEC标准中关于接口及控制模式的规定,按照JEDEC相关标准进行严格测试。公司采用先进威廉希尔官方网站 ,优化存储单元的读写操作,实现低功耗和高性能:运行速度快,支持多种擦写模式,擦写次数高达10万次,数据可保存20年以上。通过与上下游密切合作,提供SOP,VSOP,TSSOP,DIP,WSON,BGA,USON等多种封装形式以满足在消费类、工业级和医疗电子等多种应用领域需求。


博雅科技


目前,正在研发的3.0V及1.8V,512 Kbit~256 Mbit高端通用芯片系列产品属国家重点鼓励发展的核心芯片,代表性产品SPI串行闪存已经完成研发设计,性能参数指标已全面通过客户的验证,进入大规模量产阶段。博雅BY25Q128AL工作温度范围为-40至+85℃,采用VSOP8 208mil封装,容量为128M。


声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 英飞凌
    +关注

    关注

    66

    文章

    2185

    浏览量

    138692
  • 武汉新芯
    +关注

    关注

    2

    文章

    44

    浏览量

    20916
  • 兆易创新
    +关注

    关注

    23

    文章

    605

    浏览量

    80615
  • 合肥长鑫
    +关注

    关注

    6

    文章

    27

    浏览量

    23576
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    罗彻斯特电子为传统应用提供卓越的内存支持 为并行NOR Flash提供持续供货支持

    为并行NOR Flash提供持续供货支持 凭借罗彻斯特电子的生产能力,能够持续供应并行NOR Flash。不论是传统还是成熟产品对于此类
    发表于 12-17 10:33 61次阅读

    英飞凌推出业界首款太空级NOR Flash

    英飞凌近期宣布,成功推出业界首款专为太空和极端环境应用设计的512 Mbit抗辐射加固QSPI NOR Flash。这款存储器的问世,标志着英飞凌在太空级存储器领域取得了重大突破。
    的头像 发表于 12-02 10:25 187次阅读

    基于NXP MCXA153 MCU实现RT-Thread的MTD NOR Flash驱动

    在嵌入式系统中,片上Flash存储器是一个关键组件,用于存储程序代码和关键数据。本文将详细介绍如何在NXPMCXA153 MCU上实现RT-Thread的MTD (Memory Technology Device) NOR Flash
    的头像 发表于 11-09 14:00 450次阅读
    基于NXP MCXA153 MCU实现RT-Thread的MTD <b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b>驱动

    物联网行业存储方案详解_SPI NOR Flash

    物联网系统中为什么要使用SPI NOR FLASH 物联网系统中使用SPI NOR FLASH的原因主要基于其独特的性能特点和在嵌入式系统中
    的头像 发表于 09-24 14:39 285次阅读
    物联网行业存储方案详解_SPI <b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b>

    NAND FlashNOR Flash哪个更好

    在讨论NAND FlashNOR Flash哪个更好时,我们需要从多个维度进行深入分析,包括它们的技术特性、应用场景、成本效益以及未来发展趋势等。
    的头像 发表于 07-29 16:59 1491次阅读

    NAND FlashNOR Flash:坏块管理需求的差异解析

    NOR Flash和NAND Flash是两种不同类型的闪存技术,它们在存储单元的连接方式、耐用性、坏块管理等方面存在差异。
    的头像 发表于 07-10 14:25 2058次阅读
    NAND <b class='flag-5'>Flash</b>与<b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b>:坏块管理需求的差异解析

    聚辰半导体推出超小尺寸NOR Flash芯片

    近日,聚辰半导体发布重大技术突破,成功推出基于第二代NORD先进工艺平台的NOR Flash低容量系列芯片。这款芯片在业界中拥有最小尺寸,不仅实现了高可靠性,更在芯片尺寸上实现了显著节省,从而降低了材料成本。
    的头像 发表于 05-27 11:00 1023次阅读

    佰维存储推出自研工规级宽温SPI NOR Flash产品TGN298系列

    近日,佰维存储宣布推出全新自研工规级宽温SPI NOR Flash产品——TGN298系列。这款高性能产品以其卓越的技术指标和广泛的应用前景,再次证明了佰维存储在存储领域的创新能力。
    的头像 发表于 05-16 14:47 760次阅读

    佰维存储推出自研工规级宽温SPI NOR Flash产品—TGN298系列

    近日,佰维存储(股票代码:688525)推出了自研工规级宽温SPI NOR Flash产品——TGN298系列。
    的头像 发表于 05-16 10:09 465次阅读
    佰维存储推出自研工规级宽温SPI <b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b><b class='flag-5'>产品</b>—TGN298系列

    Flash存储芯片:NOR Flash、NAND Flash、UFS和eMMC的比较与解析

    地位。本博客将详细介绍Flash存储芯片中的NOR Flash、NAND Flash、UFS和eMMC,分析它们的用途、优缺点,并对其进行比较。   1.
    发表于 04-03 12:05

    Flash存储芯片:NOR Flash、NAND Flash、UFS和eMMC的比较与解析

    博客将详细介绍Flash存储芯片中的NOR Flash、NAND Flash、UFS和eMMC,分析它们的用途、优缺点,并对其进行比较。 1.Nor
    的头像 发表于 04-03 12:02 4384次阅读
    <b class='flag-5'>Flash</b>存储芯片:<b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b>、NAND <b class='flag-5'>Flash</b>、UFS和eMMC的比较与解析

    什么是NAND 型 Flash 存储器?

    前言 NAND FlashNOR Flash是现在市场上两种主要的闪存技术。Intel于1988年首先开发出 NOR
    的头像 发表于 03-01 17:08 697次阅读
    什么是NAND 型 <b class='flag-5'>Flash</b> 存储器?

    NOR FLASH的结构和特性及原理图

    与NAND Flash相比,NOR Flash具有较低的存储密度和较高的成本,但具有较快的读取速度、较低的读取延迟和较好的随机访问性能。
    的头像 发表于 02-19 11:45 3881次阅读
    <b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>FLASH</b>的结构和特性及原理图

    复旦微电预计2024年实现NOR Flash大容量512Mbit/1Gbit新品量产

    此举意味着,复旦微电的NOR Flash存储产品线将进一步充实,有潜力在不远的将来扩大市场占有率。此外,面向SLC NAND Flash领域的布局也已初步形成
    的头像 发表于 01-23 14:45 1258次阅读

    2024年1月,预计NOR Flash价格将上涨5%

     NOR Flash是一种基于NOR门结构的闪存,NOR是逻辑门威廉希尔官方网站 中的“或非”门。NOR Flash
    发表于 12-27 14:37 893次阅读