1.IGBT的基础知识
IGBT是电压控制型器件,它只有开关特性(通和断两种状态),没有放大特性。由IGBT等效威廉希尔官方网站 可知,它是以晶体管为主导元件,以MOS管为驱动元件的达林顿结构。当栅极电压Uge达到开启电压,IGBT导通,当Uge=0或者负电压时(负电压作用:可靠关断),IGBT断开。
常见的有IGBT单管和IGBT模块两种结构。
晶体管、MOS管、IGBT比较
2.IGBT主要参数
士兰微某款IGBT规格书
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①集电极—射极电压(VCE):截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压。
②栅极—射极电压(Vge):栅极与发射极之间允许施加的最大电压,通常为±20V。栅极的电压信号控制IGBT的导通和关断,其电压不可超过Vge值。
③集电极电流(IC):IGBT在饱和导通状态下,允许持续通过的最大电流。
④饱和压降Vce(sat):IGBT在饱和导通状态下,集电极与发射极之间的压降。该值越小,则管子工作时的功率损耗越小。
⑤开关时间:它包括导通时间ton和关系时间toff。导通时间ton又包含导通延迟时间td和上升时间tr。关断时间toff又包含关断延迟时间td和下降时间tf。
3.IGBT驱动威廉希尔官方网站
由于功率IGBT在电力电子设备中多用于高压场合,所以驱动威廉希尔官方网站 必须与整个控制威廉希尔官方网站 在电位上完全隔离,主要的途径及其优缺点如下表所示。
驱动威廉希尔官方网站 与控制威廉希尔官方网站 隔离的途径及优缺点
脉冲变压器驱动威廉希尔官方网站
说明:V1~V4组成脉冲变压器一次侧驱动威廉希尔官方网站 ,通过控制V1、V4和V2、V3的轮流导通,将驱动脉冲加至变压器的一次侧,二次侧通过电阻R1与IGBT5栅极相连,R1、R2防止IGBT5栅极开路并提供充放电回路,R1上并联的二极管为加速二极管,用以提高IGBT5的开关速度,稳压二极管VS1、VS2的作用是限制加在IGBT5g-e端的电压,避免过高的栅射电压击穿栅极。栅射电压一般不应超过20V。
光耦驱动威廉希尔官方网站
说明:由于IGBT是高速器件,所选用的光耦必须是小延时的高速型光耦,由PWM控制器输出的方波信号加在三极管V1的基极,V1驱动光耦将脉冲传递至整形放大威廉希尔官方网站 IC1,经IC1放大后驱动由V2、V3组成的对管(V2、V3应选择β》100的开关管)。对管的输出经电阻R1驱动IGBT4,R3为栅射结保护电阻,R2与稳压管VS1构成负偏压产生威廉希尔官方网站 ,VS1通常选用1W/5.1V的稳压管。此威廉希尔官方网站 的特点是只用1组供电就能输出正负驱动脉冲,使威廉希尔官方网站 比较简洁。
IGBT模块驱动典型威廉希尔官方网站
说明:应用成品驱动模块威廉希尔官方网站
来驱动IGBT,具备过流软关断、高速光耦隔离、欠压锁定、故障信号输出等功能。由于这类模块具有保护功能完善、免调试、可靠性高的优点,所以应用这类模块驱动IGBT可以缩短产品开发周期,提高产品可靠性。
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