详解提升MOS管驱动威廉希尔官方网站 抗干扰性能的方法

一.前言

不管什么威廉希尔官方网站 ，抗干扰能力都是它的一个重要指标，对于MOS管驱动威廉希尔官方网站 更是如此。因为MOS管不是工作在一个理想的没有任何电磁干扰的环境，在一些电磁环境恶劣的条件下，如果我们的驱动威廉希尔官方网站 设计的不尽合理，可能会出现MOS管误打开或者非受控关断，轻则影响性能，重则会对用户造成伤害。对于MOS管驱动威廉希尔官方网站 而言，这种情况的发生一般是由于gate-source寄生米勒电容的非正常充放电导致的，而影响因素主要是gate极等效串联电阻，寄生电感，寄生电容等因素，所以我们主要针对这三方面进行针对性威廉希尔官方网站 设计来提升威廉希尔官方网站 的抗干扰能力。

二.提升抗干扰的针对措施

1.栅极串联电阻降低源极寄生电感导致的振荡

我们在实际调试MOS管驱动威廉希尔官方网站 时，如果大家用示波器测一下MOS管gate极的波形，就会发现MOS管每次打开时，其栅极波形会出现类似于正弦波的阻尼振荡，这不仅使得MOS开关不稳定，降低其抗干扰能力，也会增大开关损耗，那么为什么会出现？如何解决呢？

实际的MOS模型大家可以参考下图，理想的MOS没有Rgt，Lgt，以及Cgs等，但是现实的MOS这些都有，此时你会发现，Rgt+Lgt+Cgs那不就成了典型的RLC振荡威廉希尔官方网站 么，没错就是这样，所以当我们给高电平想开启MOS的时候，就会出现振铃波，同样我们给低电平想关闭MOS时也是一样，都是电容电感的充放电在作妖。

理解了原因，那么如何解决这一问题呢？解决问题的关键就是Rgt电阻，因为对于RLC振荡威廉希尔官方网站 而言，Rgt是耗能器件，每一次振荡，它都会消耗能量，从而减弱下一次的振荡幅值，这也是实际的波形峰值越来越低的原因，当然Rgt是MOS内部的寄生电阻，其阻值很小，所以我们一般需要外部在串联一个电阻，串联电阻的阻值计算公式如下，其中Rdv是外部PCB网络走线寄生电阻，电阻大了能缓解电压过冲的问题，但是也不是越大越好，因为太大了又会导致MOS开启速度过慢，所以需要综合考虑。

2.栅源并联电阻提升抗dv/dt干扰能力

当dv/dt过大时，可以会使得MOS误打开，这是由于流过Cgd电容的电流在G极形成正压，从而引起MOS误打开，通常通过在器件的栅极和源极端子间加入一个电阻器来提供保护，电阻的计算公式参考下面，根据公式可以看出来，要想计算我们需要多大的并联电阻，还需要清楚我们的威廉希尔官方网站 最差的dv/dt是多少，这个就需要实际测试了。

三.总结

今天我们主要讲解了提升MOS管驱动威廉希尔官方网站 抗干扰能力的方法以及计算方式，欢迎关注，有疑问可以留言哦。