东芝半导体DTMOSVI系列MOSFET的应用及特性

如今，市场对于高效率电源的需求日益增涨，在此背景下，东芝拓展了新一代650V超结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”，推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z产品，它们适用于数据中心、光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源。这四款产品进一步完善了上一代产品在封装、漏源导通电阻和栅漏电荷方面的设计。

与上一代DTMOSIV-H系列相比，新一代DTMOSVI系列“漏源导通电阻×栅漏电荷”的品质因数降低约40%[1]，开关电源效率提高约0.36%[2]。未来，顺应市场需求，东芝将继续拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线，为提高电源效率增添“芯”助力。

应用：

工业设备开关电源：

数据中心(服务器电源等)

光伏发电机功率调节器

不间断电源系统

特性：

“漏源导通电阻×栅漏电荷”的值降低约40%[1]，有助于提高开关电源的效率

直插式TO-220封装

主要规格：

(@Ta=25℃)

内部威廉希尔官方网站

应用威廉希尔官方网站 示例

注：

[1]与上一代DTMOSIV-H系列相比

[2]截至2022年2月，东芝测量的数值(采用输出功率为2500W的PFC威廉希尔官方网站 时，TO-247封装的新系列TK040N65Z与上一代TK62N60X相比)

[3]DTMOSIV系列

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。

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原文标题：东芝DTMOSVI系列MOSFET，有效提高电源效率

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审核编辑：汤梓红