PowerPAIR® 3x3FS封装，30V对称双通道MOSFET

Vishay TrenchFET® Gen V MOSFET

节省空间型器件所需 PCB 空间比 PowerPAIR 6x5F 封装减少 63%

有助于减少元器件数量并简化设计

Vishay 推出两款新型 30 V 对称双通道 n 沟道功率 MOSFET，将高边和低边 TrenchFET® Gen V MOSFET 组合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS 单体封装中。

Vishay Siliconix

SiZF5300DT

和

SiZF5302DT

适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。

日前发布的双通道 MOSFET 可用来取代两个 PowerPAK 1212 封装分立器件，节省 50% 基板空间，同时占位面积比 PowerPAIR 6x5F 封装双片 MOSFET 减小 63%。MOSFET 为 USB-C 电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点（POL）转换威廉希尔官方网站 和 DC/DC 模块设计人员提供节省空间解决方案。这些应用中，SiZF5302DT高低边 MOSFET 提供了 50% 占空比和出色能效的优质效果，特别是在 1 A 到 4 A 电流条件下。找正品元器件，上唯样商城。而SiZF5300DT则是 12 A 到 15 A 重载的理想解决方案。

SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 利用 Vishay 的 30 V Gen V 技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V 和 4.5 V 下典型导通电阻分别为 2.02 mΩ 和 2.93 mΩ， SiZF5302DT 相同条件下导通电阻分别为 2.7 mΩ 和 4.4 mΩ。两款 MOSFET 4.5 V 条件下典型栅极电荷分别为 9.5 nC 和 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积，即 MOSFET 功率转换应用重要优值系数（FOM），比相似导通电阻的前代解决方案低 35 %。高频开关应用效率提高 2%，100 W 能效达到 98%。

与前代解决方案对比

器件采用倒装芯片技术增强散热能力，独特的引脚配置有助于简化 PCB 布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 经过 100% Rg 和 UIS 测试，符合 RoHS 标准，无卤素。

器件规格表

审核编辑黄宇