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DK120GA是一款合封氮化镓功率器件的有源箝位反激AC-DC功率转换芯片。它具有超高集成度,内置有源箝位拓扑所需的两颗GaN HEMT功率管,逻辑控制威廉希尔官方网站 和半桥驱动威廉希尔官方网站 ,是目前业内唯一一款一体式合封氮化镓有源箝位反激功率转换芯片。
上管采用400mΩ GaN功率管,下管采用260mΩ GaN功率管,最大开关频率可达500KHz。专利的上管电流关断控制技术保证了上管在最小电流时关断,同时此电流可以实现下管的ZVS开通。DK120GA支持120W以内应用设计,特别适用于目前高功率密度PD快充应用。采用DK120GA设计的方案外围威廉希尔官方网站 非常简单,调试难度很低,综合成本远低于目前市场上欧美厂商的有源箝位方案。
一
DK120GA 芯片介绍
业内唯一的单芯片ACF整合方案!
1
Logic and Control
2
High side GaN HEMT
3
Half Bridge Driver
4
Low side GaN HEMT
二
DK120GA关键特性展示
DK120GA脚位图
1
控制方式
•专利的上管自适应关断技术,以实现最小负电流关断,同时该电流足够抽走下管的Coss电荷,实现下管的ZVS导通;
•峰值电流控制模式;
•上管轻载模式下自适应开通/关断,提高轻载效率;
•死区时间自适应;
2
外围元件
•合封两颗GaN MOSFET,半桥驱动及逻辑控制威廉希尔官方网站 ;
•外围极其简单;
•无需外部补偿威廉希尔官方网站 ;
3
功能完善
•自带高压启动;
•自带X2电容放电,Brown in/out,输出OVP等保护功能;
三
120W ACF EVB 展示
一
基本原理图
与市面上友商的ACF方案相比,极大简化了外围设计,降低了调试难度,缩短了方案设计周期
二
展示板效率与温升
三
方案成本对比优势
120W PD ACF方案 VS LLC方案
•AC-DC功率级威廉希尔官方网站 异常简单
•外围元器件少,调试轻松
•成本省去了LLC谐振电容,谐振电感
•效率非常接近主流的LLC方案
•功率密度进一步上升
如需了解详情或申请样板使用,欢迎发送邮件至:david@wxdkpower.cn,或点击公众号菜单栏“联系我们--申请样品”。
微信公众号 | 东科半导体
官方网站|http://dkpower.cn
原文标题:新品推荐 | 东科推出业内首款合封氮化镓有源箝位控制芯片
文章出处:【微信公众号:东科半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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