0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

采用高速ADC的单事件效应(SEE):单事件翻转(SEU)

星星科技指导员 来源:ADI 作者:ADI 2023-06-30 14:24 次阅读

与SET的情况一样,器件不需要复位即可在单个事件失控后恢复正常运行。由于 SEU 是非破坏性事件,因此设备在事件发生后也能完全正常运行。从技术上讲,SET也可以被视为高速ADC的SEU,因为离子撞击可能会导致SEU,从而导致瞬态事件,我们称之为SET。出于本博客的目的,我们将分别提及这些事件,以区分高速ADC可能发生的单个事件效应的类型。

用于测量AD9246SSEU性能的测试设置与测试SET时使用的设置几乎相同。回想一下,电源电压在 SET/SEU 测试中是标称的,只有在 SEL 测试中才会升高。我再次在此处包含设置图供您参考。在图中,SET的测试条件也适用于SEU。

wKgZomSefSqAOjzGAAEHDjNuYhI230.png

AD9246S 单事件效应(SEE)测试设置

SEU 测试以相同的方式执行。与SEL和SET测试一样,ADI产品的SEU评估通常在高达80 MeV-cm的能级下进行。2/毫克,流度为107离子/厘米2.在某些情况下,能量水平可以≥ 120 MeV-cm2/mg 取决于客户和应用要求。SEU评估将以10的流度进行6离子/厘米2或最多 100 个事件,以先到者为准。

再一次,我们正在寻找SEU与设备一起启动的能级,并增加能量水平,直到找到SEU事件的饱和点。ADC暴露在不断增加的辐射水平下,同时记录SEU的数量。

如果您还记得,在四月份SET博客的第一部分中,我们讨论了在测试AD9246S时使用了四种不同的离子,这要归功于我们的数学朋友余弦,这使我们获得了五种不同的能级。作为提醒,不同的能量水平再次显示在表1中。

表1

wKgZomSefTCADp3jAABMymmN1fU123.png

用于AD9246S SET测试的离子和LET器件

SET评估期间使用的相同测试程序也适用于SEU评估。我再次在下面介绍了AD9246S的SEU(和SET)评估测试程序:

给AD9246S上电。

选择所需的离子和所需的入射角。

打开离子束,同时观察、监控和记录电源电流并记录任何不安事件。

当记录到指定的翻转次数或通量达到 10 时关闭光束6离子/厘米2.

重复从步骤2开始的过程,直到AD9246S在所需的LET范围内照射(∼2 MeV-cm2/毫克至 80 MeV-厘米2/毫克)。

使用步骤9246至1测试其余AD5S器件,直到测试完所需数量的单元。

在本博客中,ADC 设备配置寄存器不安被视为 SEU。器件配置寄存器位在被离子撞击时可能会打乱,并以某种方式破坏器件性能。对于AD9246S,器件配置寄存器均为8位。单个位可能会扰乱,如下所示:

wKgaomSefTWAdgKfAABUfTCBiDM430.png

SEU:配置寄存器中的一位不安

也有可能一个或多个离子撞击设备并同时扰乱多个位,如下所示。在这种情况下,两个位被打乱,但根据离子撞击的数量和位置,两个以上的位可能会同时扰动。

wKgZomSefTuAchl8AABrTLW6VuE363.png

SEU:配置寄存器中的多位失控

任何一个事件,无论是单比特翻转还是多比特翻转,都将被视为 SEU。在这两种情况下,设备功能都可能以某种方式中断。由于位可以返回到其预期状态,或者可以通过设备复位或写入寄存器将恢复到预期状态,因此扰动是非永久性的,被视为单个事件扰动。翻转位可能会在器件中产生SET,具体取决于翻转寄存器位可能控制的功能。同样,出于本博客的目的,我们将寄存器位不安视为 SEU。

为威布尔曲线收集和计算的信息可用于预测设备在地球周围各个轨道上的SEU性能。回想一下,这条威布尔曲线可用于计算翻转事件的概率,在本例中为 SEU。这是有用的信息,因为它可用于预测特定轨道上SEU的概率。推导起始阈值和饱和横截面,以了解 SEU 开始的 LET 和 SEU 数量饱和的 LET。AD9246S未观察到配置寄存器不安,如AD17S单事件效应测试报告第9246页所述。由于没有配置寄存器 SEU,因此无需绘制 Weibull 拟合曲线。例如,AD9246S SET性能的威布尔拟合曲线如下所示。如果AD9246S具有SEU,威布尔拟合曲线将类似于下图。

wKgaomSefUCAUdLNAACBlQWH-Vc737.png

AD9246S SET截面和威布尔曲线

测试这些不同类型的SEE的目标是预测放置在空间应用中的设备行为。SEE测试使设备暴露于比设备在太空中的使用寿命通常看到的离子多得多。在将设备暴露于这些众多离子的同时观察这些SEE,在某种程度上是一种加速寿命测试。在短时间内,可以收集有关SEE性能的大量数据,然后用于预测设备在空间实际应用中的响应方式。在将设备投入太空服务之前,必须尽可能多地了解设备的性能。显然,在太空中维修或更换设备或系统的机会不是很可行。也许有可能,尽管成本很高,但替换轨道上的东西。然而,想想被派去收集木星数据的朱诺号。Juno必须在其环境中运行并承受多次离子撞击而不会出现故障。一旦运行,尝试修复探头几乎是不可能的,也是完全不切实际的。这就是为什么必须在地球上充分测试设备以确保它们能够在太空中所需的任务寿命运行的原因之一。

审核编辑:郭婷

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • ADI
    ADI
    +关注

    关注

    146

    文章

    45821

    浏览量

    249923
  • 寄存器
    +关注

    关注

    31

    文章

    5342

    浏览量

    120328
  • adc
    adc
    +关注

    关注

    98

    文章

    6498

    浏览量

    544600
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    粒子翻转引起SRAM型FPGA的故障机理阐述

    随着半导体技术的高速发展,大规模集成威廉希尔官方网站 变得更加复杂,开发周期变得更长。FPGA由于具备可编程性,其广泛应用可以降低威廉希尔官方网站 的开发成本。然而,粒子翻转SEU)会使FPGA内部的大量的存
    发表于 01-26 16:31 6744次阅读
    <b class='flag-5'>单</b>粒子<b class='flag-5'>翻转</b>引起SRAM型FPGA的故障机理阐述

    理解FPGA中的粒子翻转

    受到粒子翻转(Single-Event Upsets,SEU)的影响。本文探讨了FPGA中的SEU,强调了必须防范SEU的原因,以及快速错
    的头像 发表于 11-23 10:05 2574次阅读
    理解FPGA中的<b class='flag-5'>单</b>粒子<b class='flag-5'>翻转</b>

    用SOI技术提高CMOSSRAM的抗粒子翻转能力

    事件是影响航天器在轨寿命和可靠性的重要因素[1-3]。提高SRAM威廉希尔官方网站 的抗粒子能力,是当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一。商用体硅SRAM的抗粒子翻转(SEU)水平相对较&
    发表于 04-22 11:45

    特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗粒子翻转性能的影响

    】:随着半导体工艺向深亚微米、超深亚微米方向迅速发展,集成威廉希尔官方网站 的粒子翻转效应变得更加严重。静态随机存储器(SRAM)是空间应用中广泛采用的存储器件。SRAM
    发表于 04-22 11:50

    高速ADC粒子闩锁和瞬态

    :Planet Analog - Jonathan Harris - 高速ADC粒子效应(SEE):
    发表于 10-31 10:29

    怎么设计抗SEU存储器威廉希尔官方网站 的FPGA?

    包括粒子翻转(SEU)、粒子闩锁(SEL)和粒子烧毁(SEB)等三种类型,其中以SEU最为
    发表于 08-22 07:09

    如何对ADC、DAC、PLL进行粒子翻转容错设计

    在太空中,高能粒子会对器件造成单粒子翻转效应。因此,在太空中使用的ADC、DAC、PLL这些器件,除了在工艺方面做抗辐射处理,能否在软件上进行粒子
    发表于 12-17 11:00

    随机静态存储器低能中子粒子翻转效应

    随机静态存储器低能中子粒子翻转效应:建立了中子粒子翻转可视化分析方法,对不同特征尺寸(0.13~1.50μm)CMOS工艺商用随机静态存
    发表于 10-31 14:23 35次下载

    在芯片设计阶段如何防护“粒子翻转

    粒子翻转(Single-Event Upsets,SEU)指的是元器件受辐照影响引起电位状态的跳变,“0”变成“1”,或者“1”变成“0”,但一般不会造成器件的物理性损伤。正因为“
    的头像 发表于 11-29 11:07 6563次阅读

    抗辐射精密SAR ADC事件效应性能

    。鉴定的一个方面是事件效应 (SEE) 测试,用于确定设备对他们在太空中可能看到的离子撞击的响应。重要的是要知道设备不会出现导致灾难性损坏的事件烧毁 (SEB) 或
    发表于 07-26 11:02 961次阅读
    抗辐射精密SAR <b class='flag-5'>ADC</b>的<b class='flag-5'>单</b>事件<b class='flag-5'>效应</b>性能

    粒子翻转效应的FPGA模拟技术 (上)

    随着半导体工艺的不断发展,器件特征尺寸逐渐减少,激发单粒子翻转(Single Event Upset, SEU)效应所需的能量阈值呈几何级下降趋势。例如,65 nm工艺下器件发生电平翻转
    的头像 发表于 02-09 10:12 1819次阅读

    高速ADC事件效应(SEE):事件瞬态(SET)

    在上一篇文章中讨论,高速 ADC粒子效应 (SEE):粒子闩锁 (SEL),我们通过观察
    的头像 发表于 05-08 11:52 2471次阅读
    <b class='flag-5'>高速</b><b class='flag-5'>ADC</b>的<b class='flag-5'>单</b>事件<b class='flag-5'>效应</b>(<b class='flag-5'>SEE</b>):<b class='flag-5'>单</b>事件瞬态(SET)

    高速ADC事件效应(SEE):事件闩锁(SEL)

    今天我们将专门研究高速 ADC 以及可以观察到的事件效应。我计划在接下来的几篇博客中深入探讨这些单一事件效应。在本期文章中,我们将着眼于
    的头像 发表于 05-09 15:10 2393次阅读
    <b class='flag-5'>高速</b><b class='flag-5'>ADC</b>的<b class='flag-5'>单</b>事件<b class='flag-5'>效应</b>(<b class='flag-5'>SEE</b>):<b class='flag-5'>单</b>事件闩锁(SEL)

    采用高速ADC事件效应SEE):事件闩锁(SEL)

    情况下ADC的闩锁门限。AD9246S 14位125 MSPS ADCSEE测试设置图如下所示。该测试设置用于收集AD9246S的SEL、SEU和SET性能结果。
    的头像 发表于 06-30 11:49 1805次阅读
    <b class='flag-5'>采用</b><b class='flag-5'>高速</b><b class='flag-5'>ADC</b>的<b class='flag-5'>单</b>事件<b class='flag-5'>效应</b>(<b class='flag-5'>SEE</b>):<b class='flag-5'>单</b>事件闩锁(SEL)

    采用高速ADC事件效应SEE):事件瞬变(SET)2

    小。ADC事件效应测试报告表3-3对此进行了总结。我认为现在SET测试的总和,我们可以期待在下一部分中讨论单个事件翻转SEU)。我相信
    的头像 发表于 06-30 14:27 635次阅读
    <b class='flag-5'>采用</b><b class='flag-5'>高速</b><b class='flag-5'>ADC</b>的<b class='flag-5'>单</b>事件<b class='flag-5'>效应</b>(<b class='flag-5'>SEE</b>):<b class='flag-5'>单</b>事件瞬变(SET)2