200V兆赫兹DC-DC能完美替代1031吗？

芯片介绍



芯片特性

·内置单芯片集成200V/1.5Ω(PN8080)，200V/0.7Ω(PN8081)功率 LDMOS

·开关频率外部可调，范围100kHz~1MHz

·内置高压启动威廉希尔官方网站 ，启动电流高达18mA

·智能保护功能：过温保护 (OTP)、输入欠压保护、输入过压保护、VCC钳位保护、功率管逐周期限流保护

应用场景

·光伏微逆变器辅源

·服务器二次电源辅源

·POE主电源

芯片优势

01

高功率密度

PN808x系列为电压模式控制，工作频率外部可调，最高支持频率1MHz，可通过外部CT电容灵活调整。

PN808x系列内部恒流源对CT电容进行充电和放电，产生3.0V~3.5V的锯齿波，充放电电流比例为1:3。CT电容在总周期的25%时间内放电， 放电期间功率开关威廉希尔官方网站 关闭，确保最大占空比为75%。

CT与开关频率设置曲线如下：

CT电容与频率关系（TJ=25℃,VCC=12V）

02

系统架构灵活适配

PN808x系列内部集成运放，支持隔离及非隔离拓扑架构应用。

反激变换器应用

Boost变换器应用

03

保护功能丰富

PN808x系列集成了输入欠压保护、输入过压保护、最大限流保护、热关断功能、VCC钳位保护，可在故障发生时及时保护系统。

PN808x系列包含两个单独的输入欠压（UV）和过压（OV）比较器。UV和OV的阈值都是2.55V，当OV超过2.55V，或者UV低于2.55V时，都会出现故障并关断功率开关。UV和OV的比较器均有175mV迟滞，以避免噪声信号引起的误关断。

输入欠过压保护及VCC钳位保护






审核编辑：刘清