0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

MOSFET的并联使用

芯长征科技 来源: Nexperia 2023-12-19 09:40 次阅读

本文来源于 Nexperia的应用笔记AN11599

02381950-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

024b4eee-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

025e0d86-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

0272753c-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

02885186-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

0299c6fa-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

02acf5a4-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

02ce7ecc-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

02d33976-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

02ea4936-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

0301f126-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

03117cfe-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

0320dc6c-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

033a4abc-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

0354b884-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

036bd7e4-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

037c8fb2-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 并联
    +关注

    关注

    5

    文章

    237

    浏览量

    35391
  • MOSFET
    +关注

    关注

    147

    文章

    7162

    浏览量

    213254
  • Nexperia
    +关注

    关注

    1

    文章

    583

    浏览量

    56913

原文标题:MOSFET 的并联使用

文章出处:【微信号:芯长征科技,微信公众号:芯长征科技】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    怎样通过并联碳化硅MOSFET获得更多功率呢?

    为了划分所涉及的功率并创建可以承受更多功率的器件,开关、电阻器和 MOSFET 并联连接。
    发表于 08-29 11:47 569次阅读
    怎样通过<b class='flag-5'>并联</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>获得更多功率呢?

    仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性

    SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似,只是SiC MOSFET开关速度更快,对一些并联参数会更为敏感。
    发表于 09-06 11:06 4375次阅读
    仿真看世界之SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>单管的<b class='flag-5'>并联</b>均流特性

    mosfet并联缓冲电容

    有的文献说mosfet并联缓冲电容,可以提升效率?? 是否有这一说法
    发表于 02-22 18:19

    MOSFET并联扩流使用问题:并的越多不良率越高。

    就挑一些有用的动态参数测试就行了。CISS和RG这两个参数决定了开启时间,能用到设备相对便宜,每个工厂都有。4,再加上直流上VTH这三个参数配合筛选可以满足很多客户,并联使用时候的,不同步问题,造成
    发表于 04-24 14:44

    怎样解决MOSFET并联工作时出现的问题?

    怎样解决MOSFET并联工作时出现的问题? 来纠正传统认识的局限性和片面性。
    发表于 04-07 07:05

    MOSFET驱动威廉希尔官方网站 设计、功率MOSFET并联驱动特性分析

    发表于 09-04 11:09

    功率MOSFET并联应用

    从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因,并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析,并辅以仿真说明振荡产生的原因。
    发表于 09-30 16:29 90次下载

    功率MOSFET并联均流问题研究

    功率MOSFET并联均流问题研究 对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究,详细分析了影响功率MOSFET
    发表于 06-30 13:38 3688次阅读
    功率<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>并联</b>均流问题研究

    SiC MOSFET单管的并联均流特性

    关于SiC MOSFET并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析SiC MOSFET单管在并联
    的头像 发表于 08-01 09:51 2196次阅读
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>单管的<b class='flag-5'>并联</b>均流特性

    碳化硅mos管在进行并联操作时需注意的事项有哪些?

    技术人员在进行碳化硅MOSFET并联操作时,通常需要采取一些措施保障来处理可能会出现的问题。
    的头像 发表于 12-06 16:54 1022次阅读

    碳化硅MOSFET并联运作提升功率输出

    碳化硅(SiC)MOSFET以其正温度系数的特性进行静态电流的共享和负反馈。如果一个设备的电流更大,那么它就会加热,相应地增加其RDS(on)。这样,过境电流降低,热失衡级别也降低。此外,他们在温度
    的头像 发表于 12-19 11:59 631次阅读
    碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>并联</b>运作提升功率输出

    MOSFET并联(并联功率MOSFET之间的寄生振荡)

    电子发烧友网站提供《MOSFET并联(并联功率MOSFET之间的寄生振荡).pdf》资料免费下载
    发表于 07-13 09:39 4次下载

    大功率IGBT和SiC MOSFET并联设计方案

    难以满足这些应用的需求。因此,大功率IGBT和SiCMOSFET的并联设计成为了一种有效的解决方案。本文将介绍并联设计的关键要点,并推荐安森美(onsemi)的几款相应产品。
    的头像 发表于 08-01 15:27 1003次阅读
    大功率IGBT和SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>并联</b>设计方案

    AOS MOSFET并联在高功率设计中的应用

    如今,由于对大电流和高功率应用的需求不断增加,单一的MOSFET已经无法满足整个系统的电流要求。在这种情况下,需要多个MOSFET并联工作,以提供更高的电流和功率,这有助于减少导通损耗,降低工作温度
    的头像 发表于 11-27 15:32 259次阅读
    AOS  <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>并联</b>在高功率设计中的应用

    MOSFET并联在高功率设计中的应用

    在高功率电子设计中,为了满足更大的电流需求和提升系统可靠性,常常需要将多个MOSFET器件并联使用。然而,MOSFET并联应用并非简单的器件堆叠,它涉及诸多技术挑战,如电流均衡、热管
    的头像 发表于 12-04 01:07 219次阅读
    <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>并联</b>在高功率设计中的应用