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基于MOS管的双电源自动切换威廉希尔官方网站 设计

芯长征科技 来源:VBsemi微碧半导体 2024-01-10 09:36 次阅读

实现双电源自动切换威廉希尔官方网站 ,其中利用了三个MOS管进行的威廉希尔官方网站 设计

然而,最近小编看到了另外两种主副电源自动切换的威廉希尔官方网站 设计,觉得很有实用价值,分享给大家。

一、我们主要围绕下面这个威廉希尔官方网站 图展开:

VUSB:为外部USB供电

VBAT:为锂电池供电

Q1:PMOS

D1:二极管

威廉希尔官方网站 工作设计:

1、外部电源供电时,锂电池的供电关断

2、外部供电断开时,由锂电池供电

wKgaomWd9NCAOzeDAABoHGjpmSU337.jpg

当VUSB进行供电时(5V),PMOS的G端:为5V,此时PMOS不导通,电压经过二极管D1直接到达VCC。如下图:

wKgZomWd9NCAUnc-AABY5E4LBL4901.jpg

当VUSB断开后,PMOS的G端的电压(5V)由电阻R1下拉到GND,此时PMOS导通,VCC由VBAT(为锂电池)供电。如下图:

wKgaomWd9NCAekm0AABUKTxJ0iw168.jpg

在这里加以说明:在MOS管还未导通之前,S端的电压比G端的要高,因此MOS管会导通,导通以后MOS管的寄生二极管会短路,并不再起作用。

二、0压降实现主副电源自动切换

前面的威廉希尔官方网站 加了D1二极管,是很难实现0压降,因为D1的压降最小也需要0.3V。

我们来看下面这个威廉希尔官方网站 ,相较于前面的威廉希尔官方网站 ,它利用了MOS管的低导通RDS(on)特性,提高了威廉希尔官方网站 的效率。

wKgZomWd9NCANAN-AAB81rh-F98502.jpg

这里利用了3个MOS管作为威廉希尔官方网站 设计:

当VIN1(主电源)为3.3V时,Q1的NMOS导通,接着拉低了Q3 PMOS的栅极, Q3 开始导通。

此时Q2 MOS的G-S之间的电压等于Q3 PMOS的导通压降,大概为几十mV。因此Q2 MOS管关闭,VIN2(外部电源)断开,VOUT由VIN1进行供电,此时VOUT=3.3V。

wKgaomWd9NCAfuXXAABociTZEXs086.jpg

此时威廉希尔官方网站 的静态功耗I1+I2 = 20uA

2.当VIN1(主电源)断开,Q1 NMOS截止,Q2 PMOS的栅极通过R1下拉,Q2导通;Q3 PMOS的栅极通过R2上拉,Q3截止。

此时Q1和Q3截止,VOUT由VIN2供电,为3.3V,“威廉希尔官方网站 的静态功耗I1+I2 = 20uA

”不存在了。

讲到这里我们可以看到,当威廉希尔官方网站 由VIN2(外部电源)供电时,静态功耗“消失了”直接为0。整个威廉希尔官方网站 几乎不存在压降,除非电流很大。

可以得出在这个威廉希尔官方网站 中,外部电源供电是更好的选择。

有个条件:威廉希尔官方网站 中的三个MOS管都应该具备低导通电阻与低压的特性。

不过,也有网友反应,这个威廉希尔官方网站 在主电源下降过程中,可能会存在一些问题:Q3未完全关断而Q2就开始导通,外电源通过Q2、Q3形成通路,阻止了主电源的降低。

审核编辑:汤梓红

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原文标题:MOS管双电源自动切换威廉希尔官方网站 设计,能0压降实现?

文章出处:【微信号:芯长征科技,微信公众号:芯长征科技】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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