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东芝半导体扩展80V/100V车载N沟道功率MOSFET的产品线

东芝半导体 来源:东芝半导体 2024-04-20 10:51 次阅读

用于轻型电动汽车和ISG的逆变器电池管理系统和接线盒的负载开关以及半导体继电器,要求产品具有高可靠性、高漏极电流额定值和高散热设计。面对这样的需求,东芝推出两款采用L-TOGL封装的车载N沟道功率MOSFET产品—80V“XPQR8308QB”和100V“XPQ1R00AQB”。

这两款产品采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺,导通电阻极低。此外,L-TOGL封装采用铜夹片结构,通过厚铜框连接MOSFET芯片和外部引脚。与东芝现有TO-220SM(W)封装相比,封装电阻下降大约70%,结壳热阻降低50%。同时,该封装采用鸥翼式引线,可降低安装应力,提高板载贴装器件焊点可靠性。这些特性可在大电流时实现设备的低功耗和高散热,满足汽车设备对48V电池日益增长的需求。

当应用需要更大工作电流时,可以并联MOSFET。在这种并联连接中,并联MOSFET的特性差异越小越好。为减小这种偏差,我们支持根据栅极阈值电压分组发货。

本系列目前有四种L-TOGL封装产品,包括东芝现有40V产品“XPQ1R004PB和XPQR3004PB”。

该两款产品可应用于汽车设备当中,包括逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动威廉希尔官方网站 等。产品特性如下:

• 低导通电阻:

XPQR8308QB RDS(ON)=0.83mΩ(最大值)(VGS=10V)

XPQ1R00AQB RDS(ON)=1.03mΩ(最大值)(VGS=10V)

•L-TOGL高散热封装

•AEC-Q101认证

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主要规格

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内部威廉希尔官方网站

应用威廉希尔官方网站 示例

东芝将提供更多合适的产品,以满足车载应用对大电流、高功率密度设计和高可靠性不断增长的需求。



审核编辑:刘清

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原文标题:东芝80V/100V车载N沟道功率MOSFET的产品线扩展,适用大电流、高散热车载应用

文章出处:【微信号:toshiba_semicon,微信公众号:东芝半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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