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甬矽电子高密度SiP技术革新5G射频模组

CHANBAEK 来源:网络整理 2024-05-31 10:02 次阅读

甬矽电子,一家致力于技术革新的企业,近日在高密度SiP技术领域取得重大突破,为5G射频模组的开发和量产注入了新动力。

公司成功研发出先进的双面SiP(DSM-BGA SiP)技术,将传统XY平面的芯片元器件集成技术提升至Z方向,实现了SiP模组芯片、元器件、射频器件的双面高密度集成整合封装。这一创新技术不仅有效减小了模块体积,更赋予了模组更完善的功能性。

甬矽电子始终坚持研发及技术创新,不断在工艺上寻求突破。此次双面SiP技术的成功研发,正是公司技术实力的体现。随着5G技术的快速发展,甬矽电子的这项创新技术将助力5G射频模组实现更高效、更紧凑的设计,开启数智新时代的新篇章。

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