N沟道耗尽型MOSFET
1) N沟道耗尽型MOSFET的结构
N
2009-09-16 09:41:4323374 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场
2012-04-10 11:40:4829475 从来没有基于MOSFET内部的微观结构去考虑驱动威廉希尔官方网站
的设计,导致在实际的应用中,MOSFET产生一定的失效率。本文将讨论这些细节的问题,从而优化MOSFET的驱动性能,提高整个系统的可靠性。
2021-03-07 10:47:002511 SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构,如图1所示。这种结构的特点是工艺简单,单元的一致性较好,雪崩能量比较高。但是,这种结构
2023-02-12 16:03:093214 功率威廉希尔官方网站
中常用垂直导电结构的MOSFET(还有横向导电结构的MOSFET,但很少用于耐高压的功率威廉希尔官方网站
中),如下图是这种MOSFET的分层结构图。
2023-02-16 11:25:471303 现在所有电子产品中的芯片、放大器中的基本结构就是MOSFET,学好MOSFET是理解这些芯片、放大威廉希尔官方网站
的前提。
2023-02-16 11:34:052670 ),漏极(Drain)和源极(Source)。功率MOSFET为电压型控制器件,驱动威廉希尔官方网站
简单,驱动的功率小,而且开关速度快,具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有:横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS
2023-06-05 15:12:10671 当前量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类,是按照栅极沟道的形状来区分的,平面型和沟槽型。
2023-06-07 10:32:074310 ),漏极( Drain )和源极( Source )。功率 MOSFET 为电压型控制器件,驱动威廉希尔官方网站
简单,驱动的功率小,而且开关速度快,具有高的工作频率。常用的 MOSFET 的结构有:横向导电双扩散
2023-06-28 08:39:353665 众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42622 本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成,有截止区、线性区和饱和区。图示了NMOS和PMOS的物理结构,以及针对不同驱动电压的电流-电压曲线。还讨论了饱和区的细节,展示了NMOS和PMOS的漏极电流与漏极-源极电压之间的关系。
2023-11-15 09:30:471436 MOS结构加上一对背靠背的PN结,就构成一个MOSFET。如果MOS结构在零栅压时半导体表面不是反型的,此时由于PN结的反向截止效果,源漏之间不会导通。当外加栅压使半导体表面反型时,源漏之间就有
2023-11-30 15:54:49398 采用超级接面结构设计不仅可克服现有功率MOSFET结构的缺点,亦能达到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 10:28:101661 ` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 编辑
MOSFET结构及其工作原理详解`
2012-08-20 17:27:17
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑
MOSFET结构及工作原理`
2012-08-20 23:25:54
MOSFET及MOSFET驱动威廉希尔官方网站
基础
2021-02-25 06:05:27
MOSFET是指的什么?MOSFET的特性是什么?MOSFET有哪些应用?
2021-07-09 07:45:34
MOSFET的结构原理,漏电流等相关问题,新型MOSFET等等。
2015-03-09 18:57:08
在做电机驱动的时候很多人会用到MOSS管在这里详细讲解MOSFET管驱动威廉希尔官方网站
2016-01-20 14:15:56
请问MOSFET的internal substrate和external substrate分别是什么意思?有何区别?
2016-08-15 17:31:26
步进电机详解概述步进电机的分类、结构、原理单相步进电机2相步进电机概述根据电压种类分类,可以分为AC和DC。根据旋转速度以及电源频录之间的关系可以分为同步电机和异步电机。小型电机中步进电机的位置如下
2021-07-08 06:46:29
ARM应用系统开发详解,本书全面介绍arm知识结构、开发系统、应用教程、指令设计和开发工具知识等。本书是广大arm学习爱好者不可缺少的软件编程和硬件开发设计的最佳参考手册
2011-08-29 11:17:06
硬件设计:电源设计--DC/DC工作原理及芯片详解参考资料:DC/DC降压电源芯片内部设计原理和结构MP2315(DC/DC电源芯片)解读DC/DC电源详解第一次写博客,不喜勿喷,谢谢!!! DC
2021-11-11 08:49:58
说明一下,DMOS是平面型的MOSFET,是常见的结构。Si的功率MOSFET,因其高耐压且可降低导通电阻,近年来超级结(Super Junction)结构的MOSFET(以下简称“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件,单位面积的导通电阻也越大(以耐压值的约2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的电压中主要采用IGBT(绝缘栅极双极型晶体管)。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
USART 初始化结构体详解标准库函数对每个外设都建立了一个初始化结构体,比如USART_InitTypeDef,结构体成员用于设置外设工作参数,并由外设初始化配置函数,比如USART_Init
2022-02-22 06:08:41
cadence16.6约束规则设置详解很全面
2015-04-18 14:27:33
`技术解读(框架、场景案例解读)`
2021-06-04 17:12:32
走近HarmonyOS设计背后的故事,全面介绍HarmonyOS设计指南与整体架构,解读其设计哲学、设计原则及设计系统。
2021-12-01 11:22:13
1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到
2019-03-06 06:30:00
二极管二极管全面详解
2013-03-31 16:01:51
什么是MOSFET驱动器?MOSFET驱动器功耗包括哪些部分?如何计算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
` 本帖最后由 易飞扬通信 于 2018-1-31 14:43 编辑
什么是HDMI AOC有源光缆?详解HDMI 2.0 AOC结构特性`
2017-08-28 14:02:51
无不积极研发经济型高性能碳化硅功率器件,例如Cascode结构、碳化硅MOSFET平面栅结构、碳化硅MOSFET沟槽栅结构等。这些不同的技术对于碳化硅功率器件应用到底有什么影响,该如何选择呢?首先
2022-03-29 10:58:06
1 横向双扩散型场效应晶体管的结构功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)有三个管脚,分别为
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢?
2021-03-10 06:19:21
`从MOSFET 物理结构分析器件特性,想深入了解MOSFET有帮助。`
2011-03-07 23:02:53
`功率场效应管(MOSFET)的结构,工作原理及应用 功率场效应管(MOSFET)的结构 图1是典型平面N沟道增强型场效应管(MOSFET) 的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la
2011-12-19 16:52:35
由浅入深逐步介绍示波器的原理、使用,以及各性能术语详解。实乃不可多得的教材之一,堪称史上最全面的示波器介绍!
2012-08-01 20:51:11
,尤其是从来没有基于MOSFET内部的微观结构去考虑驱动威廉希尔官方网站
的设计,导致在实际的应用中,MOSFET产生一定的失效率。本文将讨论这些细节的问题,从而优化MOSFET的驱动性能,提高整个系统的可靠性。`
2011-09-27 11:25:34
混合SET/MOSFET 结构与特性是什么?如何利用SET/MOSFET 混合结构的传输特性去设计数值比较器?
2021-04-13 07:12:01
什么是间接寻址?查表的流程是怎样的?如何对EEPROM的程序进行解读?
2021-10-20 07:11:21
结构 引言 功率MOSFET以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中小容量的变流器中得到了广泛的应用。当采用功率MOSFET桥式拓扑结构时,同一桥臂上的两个功率器件在转换过程中,栅极驱动信号
2018-08-27 16:00:08
汽车结构基本知识详解(图文)
2013-10-09 14:17:01
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
注册表结构详解
2009-03-05 15:06:09
`本书介绍了功率器件MOSFET。功率MOSFET是一类导电沟道槽结构特殊的场效应管,它是继MOSFET之后新展开起来的高效、功率开关器件。本书深入解读了MOSFET的关键特性和指标,通过图表让读者
2019-03-06 16:20:14
硬盘故障提示全面解读 硬盘最常见的故障就是引导型故障,即硬盘不能启动等。出现引导型故障时,系统会有很多错误提示,我们如果读懂了这些提示,对于解决硬盘问题也是非常有帮助的. 1.错误提示:HDD
2011-02-27 16:39:11
MOSFET和超级结MOSFET。简而言之,就是在功率晶体管的范围,为超越平面结构的极限而开发的就是超级结结构。如下图所示,平面结构是平面性地构成晶体管。这种结构当耐压提高时,漂移层会增厚,存在导通电阻增加
2018-11-28 14:28:53
功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P
2008-08-12 08:43:32103 复合量子点MOSFET结构存储器的威廉希尔官方网站
模拟摘要:本文采用准经典近似的Monte Carlo 方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子威廉希尔官方网站
进行了模拟. 研究结果表明,由于
2010-05-11 16:37:4129 V62/14609-01XE参数详解及应用探索当我们深入探索电子元件的世界,会发现每一个小小的芯片、每一个模块都承载着无尽的技术和智慧。今天,我们就来详细解读一款备受瞩目的电子元件——V62
2024-01-14 21:51:10
图所示为IR功率MOSFET的基本结构。图中每一个六角形是一个MOSFET的原胞(cell)。正因为原胞是六角形的(hexangular),因而IR常把它称为HEXFET。功率MOSFET通常由许多个MOSFET原胞
2009-07-27 09:42:422963 全面解读集线器
如果我们经常接触网络,对作为构建局域网的基础设备集线器应该不会陌生,但是对于集线器背后各方面的知识,我们又知道多
2009-08-01 09:49:231832 医药价格改革公布,各方影响全面解读
时隔半月,犹抱琵琶半遮面的《改革药品和医疗服务价格形成机制的意见》(下称《意见》),昨日终于正式发布。此前在11月9日
2009-11-30 11:01:42540 全面解读环保标准之ROHS
什么是RoHS?
RoHS是由欧盟立法制定的一项强制性标准,它的全称是《关于限制在电子电器设备中使用某
2010-01-18 10:24:37974 全面解读环保标准之GreenGuard
绿色卫士认证计划通过模拟室内环境来检测产品中的甲醛排放量、挥发性有机物(VOCs)、乙醛、可吸入颗
2010-01-18 11:01:081326 P沟MOSFET,P沟MOSFET是什么意思
MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写,平面型器件结构,按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。MOS
2010-03-05 14:50:554867 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程
2011-09-14 17:39:1765 Java开发利器Myeclipse全面详解。
2015-11-06 11:17:110 电源连接环结构与特性解读 非常实用的技术文档 免费下载
2016-05-12 15:30:020 MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动威廉希尔官方网站
和参数。在应用中MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下,如图1所示。
2016-10-09 19:03:5562239 开关电源拓扑结构详解
2017-01-14 11:18:1468 本文详解了天线结构及天线的制作方法。
2017-11-15 15:50:4242 全面详解LTE:MATLAB建模、仿真与实现
2018-05-21 11:09:3815 备受瞩目的人脸识别技术浪潮席卷全球,今天,我们就来全面解读人脸识别究竟是什么。
2018-07-16 17:39:298185 一眨眼,ABB机器人7月新品解读就迎来了第四款,也是本次的最后一款新品——YuMi单臂机器人。
2018-08-02 16:08:0515171 -氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟威廉希尔官方网站
与数字威廉希尔官方网站
的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,简称包括NMOS、PMOS等。本文带大家熟悉一下MOSFET的结构和前景。
2018-09-15 11:46:044932 以平面耗尽型N沟道MOSFET为例,基本结构如下图所示。可以看到,从左到右为NPN的掺杂,在扩散作用下,会自然形成像图中所示的深红色的耗尽区(depletion region),根据前面所述,耗尽
2019-08-12 09:34:054191 等)。 所以,我肝了将近一个星期,整理了一下。这应该是全网最全面、最细致的EXPLAIN解读文章了,下面是全文。 文章比较长,建议收藏。 TIPS 本文基于MySQL 8.0编写,理论支持MySQL 5.0
2020-10-30 16:39:402055 电子发烧友网站提供《一文详解蓝牙模块原理与结构.pdf》资料免费下载
2020-11-26 16:40:2993 MOSFET规格书解读与参数详解说明。
2021-06-23 09:32:35108 尽管分立式功率MOSFET的几何结构,电压和电流电平与超大规模集成威廉希尔官方网站
(VLSI)设备采用的设计方式有极大的不同,它仍然采用了与VLSI威廉希尔官方网站
类似的半导体加工工艺。
2022-02-08 15:59:067 功率MOSFET为多单元集成结构,如IR的HEXFET采用六边形单元;西门子Siemens的SIPMOSFET采用正方形单元;摩托罗拉公司Motorola的TMOS采用矩形单元按品字形排列。
2022-08-04 15:35:071121 功率MOSFET为多单元集成结构,如IR 的HEXFET采用六边形单元;西门子Siemens的SIPMOSFET采用正方形单元;摩托罗拉公司Motorola的TMOS采用矩形单元按品字形排列
2022-10-07 10:39:00571 全面解读电子封装工艺技术
2022-10-10 11:00:51876 集成威廉希尔官方网站
的历史、产业分工、分类、设计、制造、封装、测试等方面,多维度全面解读集成威廉希尔官方网站
产业链和相关技术。
2022-11-21 10:13:03638 近年来超级结(Super Junction)结构的MOSFET(以下简称“SJ-MOSFET”)应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET,ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 在SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用,在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381 从本文开始,我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作”。前言:MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。
2023-02-08 13:43:22250 在探讨“SiC MOSFET:桥式结构中Gate-Source电压的动作”时,本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍,这也是这个主题的前提。
2023-02-08 13:43:23340 SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构,
2023-02-16 09:40:102935 SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道,尽管其工艺复杂,单元一致性比平面结构差。但是,沟槽结构可以增加单元密度,没有JFET效应,寄生电容更小,开关速度快,开关损耗非常低;而且
2023-02-16 09:43:011446 在SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 下面给出的威廉希尔官方网站
图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost威廉希尔官方网站
。该威廉希尔官方网站
中使用的SiC MOSFET的高边(HS)和低边(LS)是交替导通的,为了防止HS和LS同时导通,设置了两个SiC MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极信号(VG)时序。
2023-02-27 13:41:58737 SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道,尽管其工艺复杂,单元一致性比平面结构差。
2023-04-01 09:37:171329 Rds(ON)是MOSFET工作(启动)时,漏极D和源极S之间的电阻值。在上文中我们介绍了MOSFET在导通后,Rds(ON)的值不是一成不变的,主要取决于VGS的值。
2023-05-26 17:29:596532 SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面结构和沟槽结构。平面SiCMOSFET的结构,如图1所示。这种结构的特点是工艺简单,单元的一致性较好,雪崩能量比较高。但是,这种结构的中间
2023-06-19 16:39:467 垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应,如果把水平的沟道变为垂直沟道,从侧面控制沟道,就可以消除JFET效应。
2023-08-28 10:10:392924 MOSFET处于导通状态下的阻抗。导通阻抗越大,则开启状态时的损耗越大。因此,要尽量减小MOSFET的导通阻抗。
2023-09-06 10:47:40590 MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构,采用厚低掺杂的N-外延层epi,保证器件具有足够击穿电压,低掺杂N-外延层epi尺寸越厚,耐压额定值越大,但是,导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长,导通电阻急剧增大,电流额定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 详解高密 PCB走线布线的垂直导电结构 (VeCS)
2023-11-28 17:00:09362 SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17222 SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00:26157 【科普小贴士】按结构分类的MOSFET特性摘要
2023-12-13 14:15:07127 【科普小贴士】MOSFET的结构和工作原理
2023-12-13 14:20:43367 功率MOSFET是一种广泛应用于电力电子转换器的高性能开关器件。它具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点,因此在各种高压、高频、高效率的电源系统中发挥着重要作用。 结构
2024-01-17 17:24:36295 常用的MOSFET驱动威廉希尔官方网站
结构如图1所示,驱动信号经过图腾柱放大后,经过一个驱动电阻Rg给MOSFET驱动。
2024-01-22 18:09:54288
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