如何对EEPROM的程序进行解读

　　一、间接寻址
　include HT66F0185.inc
ds .section 'data'
cs .section at  000h   'code'
;间接寻址
  MOV A,80h    ；将欲清除的存储器起始地址
  MOV MP0,A    ；存入MP0（01h）中
  MOV A,16     ；设定A=16
LOOP:         CLR IAR0     ；清除MP0所指定的存储器地址
  INC MP0      ；MP0加1；指向下一个地址
  SDZ ACC      ；ACC=ACC-1
  JMP LOOP     ；若ACC≠0，继续下一个地址
                JMP $        ;死循环 防止堆栈溢出 程序跑飞
   
    官方资料：IAR0（00H）：间接寻址寄存器0（Indirect Addressing Register 0），它是8位间接寻址寄存器，结合MP0寄存器完成间接存取数据存储器（RAM）的工作。在HT66Fx0单片机内部实际上没有IAR0寄存器，但若指令以IAR0作为操作数时，单片机的动作是将MP0寄存器所存放的内容当做数据存储器（指的是GPR或SFR）的地址，然后针对该地址内的数据执行指定的运算。
　　MP0（01H）：数据存储器指针0（Data Memory Pointer 0）。
　　简单来讲：如图1-1所示，MP0存储的内容为地址（蓝色框），可以理解为门牌号；IAR0存储的内容为此地址存储的数据（红色框），可以理解为门牌号对应的房子里的东西，存好门牌号后对IAR0操作就可以对门牌号对应的东西进行操作。
　　简化程序：MOV A，80H
　　MOV MP0，A
　　INC IAR0
　　程序举例说明：如图1-1所示，以红色圆圈为例，此时，它的地址为80h，数据内容为00，若要对它进行间接寻址操作，只需将80H存入MP0，即地址，再对IAR0进行操作就可以对80H这个地址存储的内容进行操作了，比如INC IAR0，即内容加1，红色圆圈就会变成01。上诉程序中将80H地址存入MP0，之后CLR IAR0即对80H地址中的内容进行清零操作，INC MP0为MP0中内容加一，即为地址加1，就是下图中红色圆圈右移一格的位置，循环16次，对80H~96H中的内容进行清零操作，结果为下图中红色框中的红色00。
　　
　　图1-1 RAM数据存储器
　　二、查表
include HT66F0185.inc
ds .section 'data'
;查表
DATA1_L0 EQU [83H]    ；设定低8位数据存储地址
DATA1_HI EQU [84H]    ；设定高8位数据存储地址
DATA2_L0 EQU [95H]    ；设定低8位数据存储地址
DATA2_HI EQU [96H]    ；设定高8位数据存储地址
cs .section at  000h 'code'
;查表
  MOV A,HIGH TABLE    ；取表地址高8位
  MOV TBHP,A          ；设定TBHP地址
  MOV A,LOW TABLE     ；取表地址低8位
  MOV TBLP,A          ；设定TBLP地址
  TABRD DATA1_L0      ；读取数据 低8位
  MOV A,TBLH         
  MOV DATA1_HI,A      ；高位数据存至DATA1_HI
  INC TBLP            ；指向下一地址
  TABRD DATA2_L0      ；读取数据 低8位
  MOV A,TBLH        
  MOV DATA2_HI,A     ；高位数据存至DATA2_HI
                JMP $
  ORG 0700H                    
TABLE:         DC 1234H,3234H,5566H    ；数据建表区

　　TBLH（08h）：表格数据读取高字节（Table High Bits）
　　TBHP（09h）：表格指针高字节（Table Pointer High Byte）
　　程序解读：DATA1_L0 EQU ［83H］ ；设定低8位数据存储地址 （结果如图2-1）
　　DATA1_HI EQU ［84H］ ；设定高8位数据存储地址
　　DATA2_L0 EQU ［95H］ ；设定低8位数据存储地址
　　DATA2_HI EQU ［96H］ ；设定高8位数据存储地址
　　EQU 后设定地址可以改为想要存取表格数据的地址
　　
　　图2-1
　　若改为设定变量的形式 DATA1_L0 DB ？ （如图2-2）
　　DATA1_HI DB ？
　　DATA2_L0 DB ？
　　DATA2_HI DB ？
　　则一般来说 默认从［80h］地址开始存。HT66FX0系列特殊寄存器地址为00h~7Fh。
　　
　　图2-2
　　建表注意一般写在程序跑不到的地方，如程序末端，若写在开头，有可能表内数据会被程序误认为是寄存器地址而出错。
　　查表流程：通过HIGH LOW 伪指令将表格地址取出或者直接写表格地址，分别存入TBHP、TBLP中，即可开始读取数据，TABRD读取的是低8位，高8位存在TBLH中，用寄存器或变量存起来即可读取到表格数据了。
　　注意：TBLH是只读寄存器，无法用“TABRD［m］”以外的指令更改其值，因此，最后避免在主程序和中断服务子程序中同时使用查表指令，若无法避免，就先把TBLH的值存好。
　　三、EEPROM
　include HT66F0185.inc

ds .section 'data'

;EEPROM写
EEPROM_ADRES EQU 00H
EEPROM_DATA DB ?
W_FLAG DB ?

;EEPROM读
R_FLAG DB ?
READ_ADRES DB ?

cs .section at  000h 'code'

;EEPROM
;写
  MOV A,4
  MOV W_FLAG,A
；写入EEPROM中的地址
  MOV A,EEPROM_ADRES
  MOV EEA,A
        ；查表
  MOV A,HIGH TAB
  MOV TBHP,A
  MOV A,LOW TAB
  MOV TBLP,A
WRITE:         TABRD EEPROM_DATA
        ；写入EEPROM中的数据
  MOV A,EEPROM_DATA
  MOV EED,A
  MOV A,40H
  MOV MP1,A
  MOV A,01H
  MOV BP,A
  CLR EMI
  SET IAR1.3
  SET IAR1.2
  
  SET EMI
  ；轮询法
  BACK:
  SZ IAR1.2
  JMP BACK
  CLR IAR1
  CLR BP
  
  INC TBLP
  INC EEA
  SDZ W_FLAG
  JMP WRITE
  
;读
        ；存到RAM里的地址
  MOV A,92H
  MOV READ_ADRES,A

  MOV A,4
  MOV R_FLAG,A
  ；读EEPROM数据的地址
  MOV A,EEPROM_ADRES
  MOV EEA,A
READ:         MOV A,040H
  MOV MP1,A
  MOV A,01H
  MOV BP,A
  SET IAR1.1
  SET IAR1.0
  BACK1:
  SZ IAR1.0
  JMP BACK1
  CLR IAR1
  CLR BP
  
                ；由于要存到RAM1里，设置BP为01H，即为BANK1，RAM1
  MOV A,01H
  MOV BP,A
  MOV A,READ_ADRES
  MOV MP1,A
  MOV A,EED
  MOV IAR1,A
  
  INC EEA
  INC READ_ADRES
  SDZ R_FLAG
  JMP READ
                JMP $
   TAB:  DC 28H,29H,42H,55H
    EEA：地址寄存器 ——要写读的地址
　　EED：数据寄存器 ——要写读的数据
　　EEC：控制寄存器 ——控制写读开始
　　官方资料：该系列单片机的EEPROM 数据存储器容量最大可达128×8 位。由于映射方式与程序存储器和数据存储器不同，因此不能像其它类型的存储器一样寻址。使用Bank 0 中的一个地址寄存器EEA和一个数据寄存器EED以及Bank 1 中的一个控制寄存器EEC，可以实现对EEPROM 的单字节读写操作。有三个寄存器控制内部EEPROM 数据存储器总的操作。地址寄存器EEA、数据寄存器EED 及控制寄存器EEC。EEA 和EED 位于Bank 0 中，它们能像其它特殊功能寄存器一样直接被访问。EEC 位于Bank 1 中，不能被直接访问，仅能通过MP1 和IAR1 进行间接读取或写入。由于EEC 控制寄存器位于Bank 1中的“40H”，在EEC寄存器上的任何操作被执行前，MP1 必须先设为“40H”，BP 被设为“01H”。
　　程序解读：
　　写数据：EEPROM_ADRES为写入到EEPROM中的地址存到EEA，通过查表读取4个数据，依次（写完一个再写一个）写入EEPROM中存入EED，MP1 必须先设为“40H”，BP 被设为“01H”才能对EEC操作，先关闭总中断，SET IAR1.3 /SET IAR1.2为使能WREN：数据EEPROM 写使能位 和 使能WR：EEPROM 写控制位 ，注意：这2位置高使能时，顺序不能错，且调试时要一次性跑过这俩句，不能单步调试这俩句。之后开总中断，通过轮询IAR1.2即WR口是否为0判断是否写入成功，写成功后，清一下寄存器，地址加1，判断下标志位就进行下一次写数据。如图3-1，写入成功点击上传即可看到写入的数据。
　　
　　图3-1
　　读数据：READ_ADRES为读到RAM1里的地址，EEPROM_ADRES为要读取的EEPROM中的数据的地址，MP1 必须先设为“40H”，BP 被设为“01H”才能对EEC操作，先关闭总中断，SET IAR1.1 /SET IAR1.0为使能RDEN：数据EEPROM 读使能位和 使能RD：EEPROM 读控制位 ，注意：这2位置高使能时，顺序不能错，且调试时要一次性跑过这俩句，不能单步调试这俩句。之后开总中断，通过轮询IAR1.0即WR口是否为0判断是否读取成功，读成功后，清一下寄存器，由于要存入RAM1（BANK1）中，需先设置BP为01H，之后通过间接寻址（BP为01H时，用MP1和IAR1寄存器）的方式将读取到的数据（读取的数据先置于EED中了）存入相应地址，地址加1，判断下标志位就进行下一次读数据。如图3-2，读取成功的数据存储到RAM1中。
　　
　　图3-2