电子发烧友网站提供《32位基于ARM核心的带64或128K字节闪存的微控制器数据手册.pdf》资料免费下载
2024-03-21 09:07:49
0 现象：
用stm32的spi接口驱动MB85RS2MT(此芯片兼容FM25H20),问题是用示波器能看到单片机有数据输出，但是我读不出任何数据，读出的都是0x00，不知道是什么原因，发帖求助。下面
2024-03-20 08:08:05
存储卡 CompactFlash® 128Mb SLC
2024-03-14 23:00:25
可达1800MB/s3.2资源1.KU040表3.1 PCIe Gen3 SSD，Seq=128K，Queue Depth=4，1-DMA LUTsFFsBRAMsPCIe
总资源
2024-03-09 13:56:04
和板卡信息丢失
2. PSoC Programmermer没法擦除指定flash，都是整个128K擦除，例如在flash中分配一个row来存储产线校准数据，如何保证在烧写images后，保留产线校准数据呢？谢谢
2024-02-27 06:02:59
)DMA读取速度可达1800MB/s3.2资源1.KU040表3.1 PCIe Gen3 SSD，Seq=128K，Queue Depth=4，1-DMA LUTsFFsBRAMsPCIe
总资源
2024-02-21 10:16:30
光伏逆变器拓扑概述及关键技术
2024-02-21 09:47:20
197 
电子发烧友网站提供《存储器接口产品手册.pdf》资料免费下载
2024-01-29 09:31:170 ，提供生态配套成熟、完善的用于系统、应用和网络连接开发的高效算力；
集成 8MB/16MB/32MB PSRAM，为音视频解码、大容量存储、扫码以及网络连接提供充裕的高容量、高带宽的内存支持；
拥有丰富
2024-01-04 09:23:18
FeRAM在汽车行驶记录仪中应用:
存储实时的数据如速度、刹车.
推荐型号：MB85RS64T
·非易失性存储器
·高可靠性
·FeRAM无需写等待，快速读写
·低功耗，静态电流小于10uA
·无限次的擦写次数(一万亿次)
2024-01-02 15:46:16314 
基于DShanMCU-R128S2_DevKit的入门教程
2023-12-26 14:05:10180 R128 模组 针对 R128 芯片，百问科技提供推出了一种型号模块，如下表所示 型号 SoC CPU0 CPU1 DSP SRAM LS-PSRAM HS-PSRAM Flash DAC
2023-12-26 11:11:00259 
Star MCU , up to 192 MHz - Memories - 1MB SRAM - SiP 8 MB/16 MB Flash - 8 MB H S PSRAM in R128
2023-12-26 10:57:00314 R128 DevKit 开发板 硬件工程开源地址：https://oshwhub.com/gloomyghost/r128-module 威廉希尔官方网站
图
2023-12-26 09:46:00362 /BT+PMU，提供生态配套成熟、完善的用于系统、应用和网络连接开发的高效算力； 集成 8MB/16MB/32MB PSRAM，为音视频解码、大容量存储、扫码以及网络连接提供充裕的高容量、高带宽的内存支持
2023-12-25 09:41:00326 
针对 R128 模组，百问科技推出了 R128 EVT 开发套件作为快速开发评估工具。
2023-12-22 15:16:06278 
针对 R128 模组，百问科技推出了 R128 DevKit 开发板作为快速开发评估工具。 特性： 板载 R128-S2-N16R16 模组 板载 2.4G RF 陶瓷天线 板载 USB Type
2023-12-22 12:02:19207 
EEPROM存储器 128-Kbit，I2C接口，工作电压：1.8V to 5.5V
2023-12-21 14:01:38
新唐，NUC1262 M23内核，
72MHZ
128K flash
20K ram
USB接口
2.4-2.5V电压
10PDMA，
用做游戏机，LED灯条驱动 加入了，I3C的接口，可以支持目前跟多的穿戴设备的接口，用还是比较好用，值得推荐
2023-12-15 13:47:43
FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 PY25Q128HA是一种串行接口闪存设备，设计用于各种大容量的基于消费者的应用程序，其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中进行执行。该设备灵活的擦除架构，其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择，消除了对额外数据存储设备的需要。
2023-11-30 16:38:00275 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
易失性存储和精确的实时时钟，本文推荐使用国产PB85RS2MC铁电存储器用于该存储系统中。铁电存储器PB85RS2MC在系统主要是实现数据的非易失性存储和的实时时
2023-11-27 10:17:05
电表作为一个计量用电量的仪器，电表的精度不但与检测芯片的精度有关，而且与其存储方式有关，如果检测到的电量数据不能随机写入存储器或写入存储器过程出错电表的精度就会大大降低。 在智能电表数据
2023-11-21 09:59:20
要考虑到电能系统复杂多变的环境、低功耗、读写操作频率和断电保存的能力。目前符合电能质量监测系统存储要求的是国产PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），两款
2023-11-17 10:28:51
R128平台SPI与DBI接口的性能对比
2023-11-15 09:08:46412 
R128 平台提供了 SPI DBI 的 SPI TFT 接口，具有如下特点
2023-11-02 16:44:48509 
电子发烧友网站提供《基于ATmega128和CH374的USB接口设计.pdf》资料免费下载
2023-10-25 10:07:551 R128 平台提供了 SPI DBI 的 SPI TFT 接口，具有如下特点
2023-10-23 11:26:18581 
的非易失性存储器，既可以进行非易失性数据存储，又可以像RAM一样操作。
本文将借助飞凌嵌入式OK3568-C开发板来为大家介绍一种采用FRAM的方案——使用SPI0挂载PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
自举程序存储在 STM32 器件的内部自举 ROM 存储器（系统存储器）中。在生产期间由 ST编程。其主要任务是通过一种可用的串行外设（USART、CAN、USB、I2C 等）将应用程序下载到内部
2023-09-28 07:15:06
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可支持最大128点 32SEGX4COM)的LCD屏。单片机可通过2C接口配置显示参教和读写显示数据，可配置4种功耗模式，也可通过关显示和关振荡器进入省电模式。其高抗
2023-09-20 09:30:15301 
温度：-40°C ~ +85°C
存储器组织结构：
- CW24C32A, 4096 × 8 (32K 位)
- CW24C64A, 8192 × 8 (64K 位)
- CW24C128
2023-09-15 07:53:08
存储器组织结构：
- CW24C256A, 32768 × 8 (256K 位)
- CW24C512A, 65536 × 8 (512K 位)
2 线串行接口
施密特触发器，过滤输入，实现
2023-09-15 07:45:35
存储器组织结构：
- CW24C256B, 32768 × 8 (256K 位)
- CW24C512B, 65536 × 8 (512K 位)
2 线串行接口
施密特触发器，过滤输入，实现
2023-09-15 07:20:24
CW25Q128A(128M位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。
25Q系列提供的灵活性和性能远远超过普通的串行闪存设备。
它们非常适合将代码映射到RAM，直接从双/四SPI
2023-09-15 06:00:05
空间
高达1M字节的片上闪存 高达128K字节的内嵌SRAM
FSMC：灵活的高速外部存储器接口
用于扩展片外存储器和外设
2023-09-13 08:27:23
存储器
标配4GB eMMC / 256MB Nand FLASH
eMMC 可选8GB
其他存储
32KB EEPROM
接口类型
邮票孔，140PIN
工作温度
工业级：-40℃-85℃
机械
2023-09-09 18:07:13
其他存储器 128Mb SOP8_208MIL -40℃~+85℃ 1.65V~2V 133MHz
2023-09-05 10:19:12
PB85RS128可替换MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（赛普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 PB85RS2MC可替换MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（赛普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 库的慢-慢工艺点对块进行合成，以200 MHz的目标速度确认时序特性。
接口存储器端口上的信号符合RAM编译器为TSMC CL013G工艺技术生产的单端口同步存储器组件所要求的时序要求
2023-08-21 06:55:33
产品品牌：永嘉微电/VINKA 产品型号：VKL128 封装形式：LQFP44 概述：VKL128 LQFP44是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可支持最大128点（32SEGx4COM
2023-08-16 15:25:40318 
发出警报声。 本文主要介绍国产铁电存储器PB85RS2MC用于医疗生命监护仪的存储方案中。对于这些应用，铁电存储器与EEPROM相比可以更频繁地写入，设备可以
2023-08-16 10:30:26
富士通半导体存储器解决方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存储器串行接口系列中密度最高的产品。目前已实现量产产品。 在不断变化的环境中，随着传感器信息数据量的增加和边缘计算的扩展，客
2023-08-04 11:55:04339 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
ADSP-21992进一步扩展了ADSP-2199x混合信号DSP产品系列的性能，可提供32K字程序存储器RAM和16K字数据存储器RAM。此外，ADSP-21992还可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
R1EV5801MB Series 数据表 (1M EEPROM (128-kword×8-bit) / Ready/Busy and RES function)
2023-07-10 20:00:450 8051单片机使用8位数据总线，因此它们最多可以支持64K的外部数据存储器和64k的外部程序存储器。总的来说，8051单片机可以寻址128k的外部存储器。
2023-07-07 12:31:33736 
记录仪器、数据采集、可移动数据存储器等方面的应用。本文主要介绍铁电存储器PB85RS2MC在智能配电箱中的应用。
2023-06-29 09:39:03382 8 存储器 8.5 外部存储器 RA6 MCU包含用于连接到外部存储器和器件的外部数据总线。某些产品还包括一个内置的SDRAM控制器，可通过该控制器使用最高达128MB的外部SDRAM。八个可编程
2023-06-28 12:10:02348 
的信息不会丢失，且锂电池还存在使用寿命的问题，所以当使用了FRAM（铁电存储器）上述问题就将迎刃而解。将国产FRAM PB85RS128替代以前SRAM组成的显示屏
2023-06-28 11:43:30
，铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据，特别适合在那些对写入时间和次数有较高要求的应用场合，而且与其MCU接口威廉希尔官方网站
简单，应用方便，本文介绍了国产铁电存储器PB85RS2MC在其多MCU系统中的应用。
2023-06-20 14:19:25391 
，这个128K的51编译器要怎么支持，KEIL要进行怎样的设置才能正确输出程序，编译输出的程序是1个HEX还是2个？烧写是否得分两次进行？
2023-06-20 06:03:04
和耐久性设计，这些要求使国产铁电存储器PB85RS2MC成为最佳的存储选择。PB85RS2MC配置为262,144×8位，是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，该芯片不需要电池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上，铁电
2023-06-08 09:52:17
使用国产铁电存储芯片PB85RS2MC是一种最理想的选择。该芯片不但在功能上正好满足上述要求，而且凭借独特的优点性能是其它存储器都无法达到的。
2023-06-01 10:59:48187 
作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。
2023-06-01 10:57:52134 
BL24C128A采用节省空间的8引PDIP、8引脚SOP和8引脚TSSOP，WLCSP4封装，可通过双线串行接口访问。此外，BL24C128A提供1.7V（1.7V
2023-05-27 11:03:18
和耐久性设计，这些要求使国产铁电存储器PB85RS2MC成为最佳的存储选择。 PB85RS2MC配置为262,144×8位，是通过铁电工艺和硅栅CMOS工
2023-05-26 10:14:23
铁电存储器硬件接线图传统的数据存储器，读写速度较慢，存储单元反复擦写后容易损坏，无法满足机舱油气浓度数据存储的要求，故此，国产铁电存储器可快速读写，擦写次数可达1E6 次读/写操作*1，是本方案最理想的选择。
2023-05-18 12:39:21137 
ES32H040x芯片概述ES32H040x系列微控制器使用32位ARM Cortex-M0内核，带有存储器保护单元。最高支持48MHz系统时钟频率。最大128K Byte Flash
2023-05-16 15:07:14
PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，对标富士通和赛普拉斯从原料上能做到不含铅，无污染。
2023-04-20 11:29:57224 XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行闪速存储器，可直接从双/四SPI接口执行代码，存储语音、文本和数据，提供的灵活性和性能远超普通串行闪速存储器，非常适合于
2023-04-14 10:42:553818 
/写存储器，在断电时无需外部电池即可保留数据。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS与MR3A16ACMA35原作者：宇芯电子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存储器，实时时钟，低VDD复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位序列号区域以及
2023-04-07 16:23:11
随着万物智联时代的到来，智能汽车等新兴应用场景对存储提出了更高的性能要求。加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体存储器解决方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 FLASH存储器 3.3V 128Mbit NOR FLASH
2023-04-06 22:09:10
除了SPI这种串行接口比较受存储器设计厂商的欢迎，还有比如由samsung和toshiba设计的Toggle NAND Interface，也被称为 Asynchronous DDR NAND
2023-04-04 15:16:19764 
大家好，有人可以告诉我在哪里可以找到 20140530_k20dx128_k64f_if_mbed.bin 引导加载程序固件吗？我需要这个来完成 FRDM K64F 板的一些实验。如果您可以提供指向固件或 Github 云存储库的链接，那将非常有帮助。
2023-03-30 07:57:09
存储器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存储器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
内存FRAM 128K（16K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 1M（128 K×8） 40MHz SPI
2023-03-29 20:47:53
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
GD25LQ128E（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）
2023-03-28 15:11:45
128M BIT 串行接口闪存
2023-03-28 13:02:28
128Mb，3V，多I/O串行闪存
2023-03-28 00:18:32
IC FRAM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOP
2023-03-27 14:51:18
IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP
2023-03-27 13:55:34
IC FRAM 128KBIT SPI 25MHZ 8SOP
2023-03-27 13:52:38
64 K（8 K×8）位I2C存储器FRAM
2023-03-27 13:39:18
存储器容量：128Mb (256 Bytes x 65535 pages) 存储器构架(格式)：FLASH 存储器类型：Non-Volatile 存储器接口类型：SPI - Dual/Quad I/O 128Mbit 2.7V-3.6V
2023-03-27 11:55:17
存储器容量：128Kb (16K x 8) 存储器接口类型：2-Wire 工作电压：1.7V ~ 5.5V 128Kbit,I2C接口,工作电压：1.7V~5.5V
2023-03-27 11:43:20
128Mb 串行闪存，带 166MHZ 多 I/O SPI 和四 I/O QPI DTR 接口
2023-03-27 10:53:56
IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP
2023-03-25 03:37:43
FLASH存储器 3.3V 128Mbit NOR FLASH
2023-03-25 03:32:44
FLASH存储器 128 (16M x 8)MB SOIC8_208MIL
2023-03-24 14:48:24
R1EV5801MB Series 数据表 (1M EEPROM (128-kword×8-bit) / Ready/Busy and RES function)
2023-03-23 20:07:160 128K I2C串行EEPROM MSOP8
2023-03-23 04:56:18
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