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TLV2352由两个独立的低功耗比较器组成,专为单电源应用而设计,采用低至2 V的电源轨供电。采用3 V电源供电时,典型电源电流仅为120 uA。
TLV2352采用德州仪器LinCMOS TM 技术设计,因此具有极高的输入阻抗(通常大于10 12 ),允许直接连接高阻抗源。输出为N沟道开漏配置,需要外部上拉电阻来提供正输出电压摆幅,并且可以连接它们以实现正逻辑线与关系。 TLV2352I具有3 V和5 V的完全特性,可在-40°C至85°C的温度范围内工作。 TLV2352M具有3 V和5 V的完全特性,可在-55°C至125°C的温度范围内工作。
TLV2352具有内部静电放电(ESD)保护威廉希尔官方网站 ,并使用人体模型测试分类为1000 V ESD额定值。但是,在处理此设备时应小心,因为暴露于ESD可能会导致设备参数性能下降。
LinCMOS是德州仪器的商标合并。
Number of Channels (#) |
Output Type |
Vs (Min) (V) |
Vs (Max) (V) |
Propagation Delay Time (uS) |
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
Iq per channel (Max) (mA) |
Input Bias Current (+/-) (Max) (nA) |
Rail-to-Rail |
Features |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
VICR (Max) (V) |
VICR (Min) (V) |
TLV2352M | TLV2352 |
---|---|
2 | 2 |
Open Collector | Open Collector |
2 | 2 |
8 | 8 |
0.65 | 0.65 |
5 | 5 |
0.15 | 0.15 |
20 | 2 |
Out | Out |
N/A | N/A |
Military | Catalog |
-55 to 125 | -40 to 85 |
CDIP | PDIP SOIC TSSOP |
See datasheet (CDIP) | See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) 8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3(TSSOP) |
7 | 7 |
0 | 0 |
无样片 |