该器件特别适合为需要2.5V至8V输入以及2.5A输出电流能力的便携式电子设备提供紧凑型功率管理。负载开关集成了一个小型N沟道功率MOSFET(Q1),在一个小型SuperSOT™ -6封装中驱动一个大型P沟道功率MOSFET(Q2)。
特性 |
- V DROP = 0.2V @ V IN = 5V,I L = 2.8A.R (ON) =0.07Ω
V DROP = 0.2 V @ V IN = 2.5V,I L = 1.9A.R (ON) =0.105Ω |
- 控制MOSFET(Q1)包含增强耐静电放电(ESD)能力的齐纳二极管保护(> 6KV人体模型) >
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- 高性能PowerTrench™技术提供了极其出色的热性能和电气性能。
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图、引脚图和封装图