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电子发烧友网>新品快讯>新日本无线开发完成高隔离度SPDT开关GaAs MMIC N

新日本无线开发完成高隔离度SPDT开关GaAs MMIC N

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8 GHz 时具有 1.5 dB 的低插入损耗和 46 dB 的隔离度。CMD196C3 开关 MMIC 使用 0/-5 V 的互补控制电压逻辑线运行,不需要偏
2023-05-09 11:27:38

CMD196是一款开关

插入损耗和 46 dB 的隔离度。CMD196 开关 MMIC 使用 0/-5 V 的互补控制电压逻辑线运行,不需要偏置电源。 主要特征切换速度快隔离
2023-05-09 11:23:31

CMD195是一款开关

Qorvo 的 CMD195 是一种裸片形式的宽带非反射 GaAs 射频/微波 MMIC SPDT 开关。CMD195 覆盖 DC 至 20 GHz,提供 2 dB 的低插入损耗和 37 dB 的
2023-05-09 11:14:05

MBAL-0104SM GaAs 无源 MMIC 巴伦

GHz。它将 50 ohm 输入转换为 100 ohm 差分输出。巴伦的插入损耗低于 2.5 dB,隔离度为 8 dB,共模抑制为 33 dB。它已针对 0 dB 的
2023-05-06 17:56:47

MBAL-0220SM GaAs 无源 MMIC 巴伦

。它具有 1:2 的阻抗比、低于 8.5 dB 的插入损耗、10 dB 的隔离度和 30 dB 的共模抑制。它已针对 0.2 dB 的最佳幅度平衡、3 的相位平
2023-05-06 17:51:01

MQS-0218 90 混合耦合器

隔离度、+/- 2 dB 的幅度平衡和 +/- 3 的相位平衡。它是使用无源 GaAs MMIC 技术开发的,可用作引线键合芯片或连接器模块。该耦合器可用于
2023-05-06 10:35:31

一文详解高隔离度双极化天线技术

系统中。应用双极化天线可以减少基站所需的天线数量,节约天线设计所需的空间资源,并满足人们日益增长的流量需求。在评估双极化天线性能时,端口隔离是一个关键因素。然而,随着新一代通信系统容量的增加、用户数量的增多和耦合场景的复杂化等因素的出现,传统的双极化天线设计难以满足隔离度要求。
2023-05-04 18:00:532145

MQS-0209 90 正交混合耦合器

平衡为 0.5 dB,相位平衡为 +/- 3 。它是使用无源 GaAs MMIC 技术开发的,可用作引线键合芯片或连接器模块。该耦合器可用于广泛的应用,包括单边带
2023-04-28 16:32:37

MQH-0517 MMIC 正交 [90 ] 混合耦合器

dB 的隔离、0.5 dB 的幅度平衡和 +/- 6 的相位平衡。它是使用无源 GaAs MMIC 技术开发的,可用作引线键合芯片或连接器模块。该耦合器可用于
2023-04-28 16:07:37

MQS-0418 MMIC 正交 [90 ] 混合耦合器

隔离度为 16 dB,幅度平衡为 0.4 dB,相位平衡为 +/- 0.5 。它是使用无源 GaAs MMIC 技术开发的,可用作引线键合芯片或连接器模块。该耦合器
2023-04-28 16:04:15

MASW-011196 PIN 二极管开关

PIN 二极管开关。这种宽带、反射式、线性开关专为 6 - 20 GHz 应用而开发,这些应用需要高达 14 W 的功率处理能力,同时保持低插入损耗和隔离度
2023-04-23 15:11:51

MASW-011207 GaAs pHEMT MMIC 单刀双掷 (SPDT) 开关

  MASW-011207SPDT 隔离开关 1 - 3000 MHzMASW-011207 是一款 GaAs pHEMT MMIC 单刀双掷 (SPDT) 开关,采用无铅 3
2023-04-23 13:25:55

MASW-011105 多功能、宽带、隔离 SPDT 开关

;MASW-011105 是一款多功能、宽带、隔离 SPDT 开关,采用无铅 3 mm 14 引脚 PQFN 表面贴装塑料封装。宽带性能与快速切换和出色的建立时间相结合,使该
2023-04-18 16:29:49

MASW-007587-000000 宽带 GaAs pHEMT MMIC 分集开关

MASW-007587-000000砷化镓宽带MACOM 的 MASW-007587 是一款宽带 GaAs pHEMT MMIC 分集开关,采用无铅 3 mm 12 引脚 PQFN 封装
2023-04-18 15:41:11

MASW-008566 GaAs pHEMT MMIC 单刀四掷 (SP4T) 大功率开关

毫米 16 引脚 PQFN 封装。MASW-008566 非常适合需要高功率、低控制电压、低插入损耗、隔离度、小尺寸和低成本的应用。典型应用是 GSM 和 D
2023-04-18 15:32:47

MASWSS0167 GaAs pHEMT MMIC 单刀双掷 (SPDT) 开关

MASWSS0167砷化镓MACOM 的 MASWSS0167 是一款 GaAs pHEMT MMIC 单刀双掷 (SPDT) 开关,采用无铅 1.2 x 1.5 mm 6 引脚 PQFN 封装
2023-04-18 11:45:00

MASW-008177-000000 GaAs pHEMT MMIC 单刀单掷 (SPST) 开关

MASW-008177-000000隔离GaAs pHEMT MMICMACOM 的 MASW-008177 是一款 GaAs pHEMT MMIC 单刀单掷 (SPST) 开关,采用低成本 3
2023-04-18 11:37:49

MASW2040 GaAs MMIC DPDT 开关芯片

  MASW2040砷化镓MACOM 的 MASW2040 是一款 GaAs MMIC DPDT 开关芯片。MASW2040 非常适用于需要低功耗的场合。典型应用包括无线电和蜂窝
2023-04-18 11:31:22

MASWSS0162 GaAs MMIC SPST 开关

MASWSS0162砷化镓MACOM 的 MASWSS0162 是一款 GaAs MMIC SPST 开关,采用无铅 SOIC-8 引线表面贴装塑料封装。MASWSS0162 非常适用于需要低功耗
2023-04-17 14:35:11

MASW-008330 GaAs pHEMT MMIC 单刀三掷 (SP3T) 开关

。MASW-008330 非常适合需要低控制电压、低插入损耗、隔离度、小尺寸和低成本的应用。典型应用包括将单独的接收功能连接到公共天线的手机系统中的滤波器和天线切换,以及其他相
2023-04-17 14:01:57

MASW-010612 GaAs pHEMT MMIC SP3T 开关

电压、低插入损耗、隔离度和小尺寸应用。一个典型的应用是天线、WLAN 和蓝牙系统,它们将单独的接收功能连接到一个公共天线。这部分在 2.4 GHz 下进行了优化
2023-04-17 13:20:16

MASWSS0148 单刀单掷 (SPST) 端接开关

MASWSS0148GaAs 隔离度MACOM 的 MASWSS0148 是一款 GaAs 单片单刀单掷 (SPST) 端接开关,采用无铅 3 mm 12 引脚 PQFN 塑料封装
2023-03-31 12:46:12

MASW-011148 SPDT PIN 二极管开关

。这种具有 50 Ω 端接 RF 端口的宽带、线性SPDT 开关专为 Ka 波段应用而开发,这些应用在 +85°C 的环境温度下需要高达 13 瓦的 CW 功
2023-03-31 12:30:14

MASW-011128-DIE GaAs SPDT 非反射式开关 0.05- 26.5 GHz

MASW-011128-DIEGaAs SPDT 非反射式开关 0.05- 26.5 GHzMASW-011128-DIE 是一种多功能、宽带、非反射式 SPDT 开关,作为裸片部件提供。该开关
2023-03-31 12:18:32

MASW-011094 Ka 波段功率端接 SPDT PIN 开关

应用开发的,这些应用在 +85°C 的环境温度下需要高达 40 瓦的 CW 功率处理,同时保持低插入损耗和隔离度SPDT MMIC 采用了 MACOM 久经考验的
2023-03-31 12:15:01

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