IGBT 有三个端子（集电极、发射极和栅极）都附有金属层。然而，栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。
2024-03-18 16:17:28
291 
近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19558 本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管；
2024-03-15 14:26:07187 
近日，全球知名的半导体及组件制造商Vishay宣布推出五款新型半桥IGBT功率模块，这些模块采用了经过改良设计的INT-A-PAK封装。新款产品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 作为电力电子行业里的“CPU”，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是国际上公认的电子革命中最具代表性的产品。将多个IGBT芯片集成封装在一起形成IGBT模块，其功率更大、散热能力更强，在新能源汽车领域
2024-03-11 17:12:05587 
Vishay近期发布五款新型半桥IGBT功率模块，其改良设计的INT-A-PAK封装备受瞩目。这五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均运用Vishay领先
2024-03-08 11:45:51266 IGBT应用于变频器逆变威廉希尔官方网站
中，存在这么一种情况，IGBT先短路再开通，请问这是一种什么样的过程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起来，然后启动变频器，此时这种过程就可以称之为先短路再
2024-02-29 23:08:07
在高压600V，额定电流10A的压缩机电机控制中，IGBT经常烧坏，主要有哪些原因导致它损坏。
2024-02-22 17:58:38
IGBT模块或者单管应用于变频器的制造，在做变频器的短路实验时，在IGBT开通时刻做出短路动作，IGBT的CE电压会从零逐渐升高到最大之然后回到母线电压的一半后达到稳定。
但是在具体波形时，IGBT
2024-02-21 20:12:42
IGBT在结构上类似于MOSFET，其不同点在于IGBT是在N沟道功率MOSFET的N+基板（漏极）上增加了一个 P+基板（IGBT 的集电极），形成PN 结 J1，并由此引出漏极，栅极和源极则完全与MOSFET相似。
2024-02-19 15:01:12770 
什么是IGBT的退饱和？为什么IGBT会发生退饱和现象？ IGBT是一种高性能功率半导体器件，结合了MOSFET和BJT的优点。它在高电压和高电流应用中具有低开启电阻、低导通压降和高开关速度等优点
2024-02-19 14:33:28472 IGBT应用中有哪些短路类型？ IGBT是一种主要用于功率电子应用的半导体器件。在实际应用中，IGBT可能会遭遇多种短路类型。下面，我将详细介绍IGBT应用中常见的短路类型。 1. IGBT内部开路
2024-02-18 10:21:57222 到优质的客户。同时，我们的产品利润也因此而高一些，萨科微半导体技术创新的IGBT模块封装技术，新产品毛利达到50％带来了好的经济效益，就有钱继续投资研发新技术新产品，会带来新一轮的增长。公司内部也鼓励员工
2024-01-31 11:38:47
。IGBT的应用领域广泛，包括变频器、电机驱动、电力电子设备等。 IGBT模块是指将多个IGBT芯片和驱动威廉希尔官方网站
封装在一个模块内，使得IGBT能够方便地进行安装和维护。IGBT模块通常由IGBT芯片、散热器
2024-01-18 17:31:231080 ，在众多功率半导体器件中脱颖而出，成为当今电力电子领域的研究与应用热点。然而，随着IGBT功率等级的提升和封装尺寸的缩小，传统的焊接技术已经难以满足IGBT模块日
2024-01-18 09:54:45436 
驱动器、逆变器和电动汽车等。 识别IGBT绝缘栅双极型晶体管可以通过以下步骤进行： 1. 外形识别 IGBT晶体管通常有有特定的外观特征，其封装一般较大且多为模块封装。最常见的封装类型有TO-220、TO-247、TO-3P等。在封装上通常会标有器件型号、厂商标志或批次号等
2024-01-12 11:18:10350 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种半导体器件，具有高输入阻抗、低导通压降和高电流容量等特点。它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）的优点，广泛应用于电力电子
2024-01-10 17:35:21381 
等领域。本文将对IGBT的内部结构及工作原理进行详细介绍。 一、IGBT的内部结构 IGBT主要由四层半导体材料构成，分别是P型、N型、P型和N型。从上到下依次为：发射极、集电极、P型基区和N型基区。在P型基区和N型基区之间有一个PN结，这个PN结被称为内建
2024-01-10 16:13:10372 
IGBT模块的封装技术难度高，高可靠性设计和封装工艺控制是其技术难点。IGBT模块具有使用时间长的特点，汽车级模块的使用时间可达15年。因此在封装过程中，模块对产品的可靠性和质量稳定性要求非常高。高可靠性设计需要考虑材料匹配、高效散热、低寄生参数、高集成度。
2023-12-29 09:45:05596 
结组成。IGBT的结构内部包含一个N型控制层，两个P型区域和一个N型区域。 与之相比，IGCT是一种集成式门级可控晶闸管。它由一个内部控制结构和一个
2023-12-25 15:09:09399 IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的简称，中文称作绝缘栅双极型晶体管，是由BJT (双极型三极管) 和MOS (绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-12-12 09:54:34659 
英飞凌IGBT模块封装 英飞凌是一家全球领先的半导体公司，专注于电力管理、汽车和电动汽车解决方案、智能家居和建筑自动化、工业自动化、医疗、安全和物联网等领域。在电力管理领域，英飞凌的IGBT模块
2023-12-07 16:45:21469 IGBT行业的门槛非常高。除了芯片的设计和生产，IGBT模块封装测试的开发和生产等环节同样有着非常高的技术要求和工艺要求。
2023-12-07 10:05:35709 
本文的关键要点 以实际的IPM产品为例，介绍了封装类型、外形尺寸、引脚配置、印标和散热器安装方法等内容。 本文将为大家介绍IGBT IPM的封装。与 上一篇 中的示例一样，在本文中我们也以ROHM
2023-12-07 09:30:02263 
在《IGBT的物理结构模型》中，我们将IGBT内部PIN结切分成了PIN1和PIN2（见上一节插图）， 因为PIN1与沟槽所构成的MOS串联
2023-12-01 10:43:06395 
压接型IGBT器件与焊接式IGBT模块封装形式的差异最终导致两种IGBT器件的失效形式和失效机理的不同，如表1所示。本文针对两种不同封装形式IGBT器件的主要失效形式和失效机理进行分析。1.焊接式IGBT模块封装材料的性能是决定模块性能的基础，尤其是封装
2023-11-23 08:10:07707 
IGBT模块的封装技术难度高，高可靠性设计和封装工艺控制是其技术难点。
2023-11-21 15:49:45673 
IGBT 是绝缘栅双极晶体管的简称，是一种三端半导体开关器件，可用于多种电子设备中的高效快速开关。
IGBT 主要用于放大器，用于通过脉冲宽度调制 (PWM) 切换/处理复杂的波形。
你可以看到输入侧代表具有栅极端子的 MOS管，输出侧代表具有集电极和发射极的 BJT。
2023-11-17 09:39:09478 
igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281260 用万用表检测IGBT好坏时一定要将万用表设置在R×10KΩ，因为R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，在检测过程中无法使IGBT导通，从而无法判断IGBT的好坏。
2023-11-09 15:21:571209 什么是igbt短路测试？igbt短路测试平台 IGBT短路测试是针对晶体管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）进行的一种测试方法。IGBT是一种高压高功率
2023-11-09 09:18:291042 文章转自：屹立芯创公众号 IGBT技术发展趋势 （1）高功率密度 电力电子产品其实有一个使命，就是不断地去减少损耗，不断地去提升功率密度。要实现高功率密度，可以从三个维度去考虑。 第一点是低损耗
2023-11-06 15:07:42140 MOSFET和IGBT内部结构不同，决定了其应用领域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
IGBT是新型功率半导体器件中的主流器件，已广泛应用于多个产业领域。IGBT模块中所涉及的焊接材料大多精密复杂且易损坏，制造商在IGBT模块焊接装配过程中正面临着重重挑战。
2023-10-31 09:53:451106 半导体产品在由二维向三维发展，从技术发展方向半导体产品出现了系统级封装（SiP）等新的封装方式，从技术实现方法出现了倒装（FlipChip），凸块（Bumping），晶圆级封装（Waferlevelpackage），2.5D封装（interposer，RDL等），3D封装（TSV）等先进封装技术。
2023-10-31 09:16:29835 
IGBT模块是由IGBT芯片（绝缘栅双极型晶体管）和FWD芯片（续流二极管芯片）通过特定的威廉希尔官方网站
桥封装而成的模块化半导体产品。因其具备节能、安装维修方便、散热稳定等特点，按照其电压的高低，可以分为高压
2023-10-23 16:26:191032 
绝缘栅双极晶体管，是一种高速开关器件，常用于功率电子应用领域。其工作原理是基于双极晶体管和场效应管的原理结合而成的。在IGBT内部，由P型硅和N型硅交替排列形成NPNP结构，其中两个P型区域分别与两个N型区域相接，形成PN结，而在两个P型区域之间还有一个N型区域，形成一个N通道结构。这个N型区域被称为增
2023-10-19 17:08:082592 igbt怎样导通和关断？igbt的导通和关断条件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种晶体管，可以用作开关。IGBT由P型注入区、N型衬底
2023-10-19 17:08:028155 igbt模块的作用和功能 igbt有电导调制效应吗？ IGBT模块是一种封装了多个IGBT晶体管、驱动威廉希尔官方网站
和保护威廉希尔官方网站
的半导体器件。它的作用是将低电压高电流的控制信号转换成高电压低电流的输出信号，而且
2023-10-19 17:01:221313 工艺集成威廉希尔官方网站
芯片及模块封装的代工服务的制造商。技术上，立足于场截止型（Field Stop）IGBT结构，采用业界先进的背面加工工艺，包括背面减薄工艺、离子注入、激光退火及特殊金属沉积工艺。600V
2023-10-16 11:00:14
IGBT是变频器的核心部件，自然要分外关注。 在实际应用中最流行和最常见的电子元器件是双极结型晶体管 BJT 和 MOS管。 IGBT实物图+威廉希尔官方网站
符号图 你可以把IGBT看作BJT和MOS管的融合
2023-10-16 10:28:541213 
IGBT 功率模块的开关特性是由它的内部结构，内部的寄生电容和内部和外接的电阻决定的。
2023-09-22 09:06:14432 
逆变器IGBT模块的应用分析(1)根据负载的工作电压和额定电流，以及使用频率，选择合适规格的模块。使用模块前，请详细阅读模块参数数据表，了解模块的各项技术指标;根据模块的技术参数确定使用方案，计算
2023-09-20 17:49:521052 
晶振为什么没有封装进STM32芯片内部？
2023-09-18 16:24:32522 
在半导体行业和电子研究中，拆解芯片的封装以查看其内部结构是一项常见的任务。这可以用于验证设计、逆向工程、故障分析或其他研究目的。但这不是一个简单的任务，拆解芯片封装需要专业的技术和工具。本文将为您详细介绍如何拆解芯片封装并查看其内部。
2023-09-15 09:09:00892 
共封装技术逐渐成为了一种重要的封装方式，它可以实现光信号和电信号的快速转换和处理，并且具有体积小、重量轻、可靠性高等优点，因此在现代通信系统中得到了广泛应用。本文主要
2023-09-14 09:19:46686 
焊线封装是半导体封装过程中的一种关键技术，用于连接芯片和外部威廉希尔官方网站
。随着半导体技术的进步，焊线封装也经历了多种技术的发展和创新。以下是关于焊线封装技术的详细介绍。
2023-09-13 09:31:25719 
IGBT是一种半导体器件，以其高效率和快速切换速度而闻名。除了在焊接领域广泛应用外，IGBT还被广泛用于家用电器、高科技音响、电动汽车以及其他节能汽车等领域。尽管焊接供应单元通常相对简单，但IGBT
2023-09-11 15:35:482944 
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封装的1200V-140A IGBT单管，产品型号为 JHY140N120HA。产品外观和内部威廉希尔官方网站
拓扑如下图所示。
2023-08-25 15:40:571056 
IGBT模块内部 杂散电感的定义 IGBT半桥逆变威廉希尔官方网站
工作原理以及当IGBT1开通关断时的电压电流波形如图1所示，Lσ代表整个换流回路（条纹区域内）所有的杂散电感之和（电容器，母排，IGBT模块
2023-08-18 09:08:182216 
第24届电子封装技术国际会议（ICEPT2023）于近日在新疆召开，来自海内外学术界和产业界超700名专家学者、研究人员、企业人士齐聚一堂，共话先进封装技术创新、学术交流与国际合作。长电科技董事
2023-08-15 13:34:16299 场
终止 ( FS) 层 n 型注入剂量和集电区硼注入剂量对 IGBT 芯片内部热点位置变化的影响进行了研
究。仿真结果表明，提高 FS 层 n 型注入剂量可将热点由元胞沟道转移到 FS /n－
结附近，有利于
IGBT 抗短路能力的提升; 通过对 FS 层和集电区注入剂量的优化，通态压降在常温和高温
2023-08-08 10:14:47
0 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT（双 极型三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体
2023-08-08 10:14:122 车用IGBT器件技术概述
2023-08-08 10:00:312 IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据，本文重点讨论以下动态参数：模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数，结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543284 
根据IGBT的产品分类来看，按照其封装形式的不同，可分为IGBT分立器件、IPM模块和IGBT模块。
2023-07-22 16:09:301501 
使用高效、可靠的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)，事实上，许多此类应用仍然适合继续使用 IGBT。在本文中，我们介绍 IGBT 器件的结构和运行，并列举多种不同 IGBT 应用的威廉希尔官方网站
拓扑结构，然后探讨这种多用途可靠技术的新兴拓扑结构。 IGBT 器件结构 简而言之，IGBT 是由 4 个交替层 (P-
2023-07-03 20:15:011224 发展、IGBT芯片研发、创新材料、工艺制造及应用等方面展开探讨。 翠展微电子研发副总吴瑞先生应邀作为此次william hill官网
的演讲嘉宾，并做《一体化高性能逆变砖模块技术研究》主体演讲，结合功率模块封装的发展趋势、先进功率半导体封装技术、一体化高性能逆变砖模块及产品介绍
2023-07-03 12:10:05798 。简单概括一下，IGBT可以说是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT的结合体（双极结型晶体管）。即它结合了MOSFET的栅压控制晶体管（高输入阻抗），利用BJT的双载流子来达到大电流的目的（压控双极型器件）。那么这样的组合内部结构是怎样的呢？
2023-07-03 09:40:151206 
IGBT技术在功率密度、工作频率、损耗控制等方面不断创新。新一代IGBT产品在提高开关速度、降低开关损耗、增强耐压能力等方面取得了显著进展，提高了系统效率和可靠性。
2023-06-21 11:24:33919 IGBT 功率模块基本的封装工艺详细讲解，可以作为工艺工程师的一个参考和指导。
丝网印刷目的：
将锡膏按设定图形印刷于DBC铜板表面，为自动贴片做好前期准备
设备：
BS1300半自动对位SMT锡浆丝印机
2023-06-19 17:06:410 作为IGBT技术的供应商之一，华润微在产品性能和技术创新方面具备竞争优势。其所提供的IGBT产品具有低导通电阻、低开关损耗、高耐受电压和高温度工作能力等特点，能够满足汽车行业对功率器件的高要求。
2023-06-19 16:53:15421 Fab 6 是台积电首个一体式先进封装测试工厂，是台积电不断增加的封装投资的一部分。该晶圆厂已准备好量产台积电 SoIC 封装技术。请记住，当台积电说量产时，他们指的是 Apple iPhone 尺寸的量产，而不是工程样品或内部产品。
2023-06-19 11:25:56219 
没有找到NUC505 内部Flash的技术说明，需要了解Flash的分页/分块结构,擦除写入时间等?
通过执行DemoMFGID_EON= 0x1C
2023-06-16 07:44:54
IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，用塑料壳封装。
2023-06-02 09:09:29583 
IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，用塑料壳封装，IGBT单元堆叠结构如图1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
在过去的半个多世纪以来，摩尔定律以晶体管微缩技术推动了集成威廉希尔官方网站
性能的不断提升，但随着晶体管微缩遇到技术和成本挑战，以先进封装为代表的行业创新，在支持系统扩展需求、降低系统成本等方面发挥越来越大的作用
2023-05-29 14:27:51448 在过去的半个多世纪以来，摩尔定律以晶体管微缩技术推动了集成威廉希尔官方网站
性能的不断提升，但随着晶体管微缩遇到技术和成本挑战，以先进封装为代表的行业创新，在支持系统扩展需求、降低系统成本等方面发挥越来越大的作用
2023-05-26 16:53:50343 IGBT模块损耗包含IGBT损耗和Diode损耗两部分
2023-05-26 11:21:231245 
单元，IGBT模块得到越来越广泛的应用。IGBT器件封装形式主要有焊接式和压接式两种，其中焊接式发展成熟，应用广泛。IGBT模块的封装结构比较复杂，是由多种材料组合
2023-05-18 10:11:522944 
新品120-200A750VEDT2工业级分立IGBT120-200A750VEDT2工业级分立IGBT，采用可回流焊，电阻焊的TO-247PLUSSMD封装产品型号
2023-05-18 09:41:31856 
随着IGBT的耗散功率和开关频率不断增大，以及工作环境严苛，使得IGBT模块产生大量的热量，由于模块内的热量无法及时得到释放，从而引起模块内部温度升高。
2023-05-16 11:30:25511 
激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发
2023-05-16 10:45:11897 
制造工艺对封装技术的影响，探究了各种半导体封装内部连接方式之间的相互关系，旨在为我国半导体封装技术应用水平的快速提升带来更多参考和启迪。
2023-05-16 10:06:00497 IGBT作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车与新能源装备等领域应用极为广泛，被誉为半导体皇冠上的明珠。
2023-04-28 09:05:20916 
贞光科技从车规微处理器MCU、功率器件、电源管理芯片、信号处理芯片、存储芯片、二、三极管、光耦、晶振、阻容感等汽车电子元器件为客户提供全产业链供应解决方案！前言01IGBT作为国家战略性新兴产业
2023-04-25 17:03:05528 
IGBT绝缘栅双极型晶体管一简介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT
2023-04-20 09:54:432097 4月18日,长电科技董事、首席执行长郑力出席第25届中国集成威廉希尔官方网站
制造年会暨供应链创新发展大会(CICD)高峰william hill官网
,并发表题为《高性能封装承载集成威廉希尔官方网站
成品制造技术持续创新》的主题演讲。 郑力表示
2023-04-19 09:57:00348 
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高输入阻抗和低导通压降的优点。
2023-04-15 14:23:581287 泛的应用和发展，有望推动计算机和移动设备等领域的技术进步和创新。 BGA封装技术的普及也为电子产品的设计、制造和应用带来了便利。同时，也为电子产品的可靠性、稳定性和性能提升带来了很大的帮助。因此，BGA
2023-04-11 15:52:37
模块内部左上方还集成了一个单独的IGBT，边上还有一个相应的小的二极管。用于制动的和由于这个IGBT的面积小，所以功率电流小，用于制动，也就是制动单元。
2023-04-11 10:20:372891 IGBT是高频开关器件，芯片内部的电流密度大。当发生过流或短路故障时，器件中流过的大于额定值的电流时，极易使器件管芯结温升高，导致器件烧坏。今天我们就来聊聊IGBT的过流和短路保护。
2023-04-06 17:31:175475 
根据应用场景的电压不同，IGBT有超低压、低压、中压和高压等类型，其中新能源汽车、工业控制、家用电器等使用的IGBT以中压为主，而轨道交通、新能源发电和智能电网等对电压要求较高，主要使用高压IGBT。
2023-04-04 11:14:371956 智能燃气表在进行数据记录、传输等工作都是依靠内部芯片来完成，基于它的重要作用，大多数厂家都会在时使用灌封胶对其进行封装保护，以此来确保它的稳定运行。
2023-03-31 17:49:47672 
IGBT模块是由不同的材料层构成，如金属，陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模块内部用来改善器件相关热性能的硅胶。
2023-03-29 17:21:04561 沟道高速IGBT及场阻技术
2023-03-28 12:56:28
国内庞大的市场基础、 潜在的电力电子装备关键器件完全依靠进口的风险和国家产业升级共同推动了本土IGBT芯片设计、模块封装的技术进步和创新。
2023-03-27 09:34:091296 IGBT与MOSFET不同，内部没有寄生的反向二极管，因此在实际使用中(感性负载)需要搭配适当的快恢复二极管。
2023-03-24 11:11:0021906
电子发烧友App
工商网监
评论