嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
嗨，我想开发一个 CAN 连接到赛普拉斯CYW20730芯片的Android应用程序。
实际上，一些主动快门 3D 眼镜使用了这个芯片，我想建立蓝牙连接来打开和关闭眼镜镜片。
我下载了您的 2 安卓
2024-03-01 11:58:58
; eviceCount () \" 给了我 0。
当我查看 Windows 设备管理器时。 在编程之前，该设备被识别为“赛普拉斯FX3 USB引导加载程序设备”。 编程后，该设备被识别为“赛普拉斯FX3
2024-02-26 07:55:15
拉普拉斯新能源科技股份有限公司，简称“拉普拉斯”，近期成功通过IPO审核，准备在科创板上市。该公司计划募资18亿元，主要用于光伏高端装备研发生产总部基地项目、半导体及光伏高端设备研发制造基地项目，以及补充流动资金。
2024-02-23 14:16:32
218 ram在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。随机存取存储器（ram）既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息。
2024-02-19 11:23:31568 
DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36264 
赛普拉斯的芯片，怎么烧录后缀名为 .ELF 文件？要用什么烧录器？用什么样的烧录软件？芯片型号：CY8C5268AXI-LP047
2024-02-01 08:25:01
：基于静态随机存取存储器（SRAM）的FPGA，其配置可以在每次上电时重新加载。这类FPGA具有较高的灵活性，但功耗较高。
Flash-based FPGA ：基于闪存的FPGA，其配置可以在断电后保持。这类
2024-01-26 10:09:17
英飞凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，扩展其集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线。这款新产品的设计初衷是为了满足航空和其他极端环境中的高性能计算需求。
2024-01-24 17:11:39358 铁电存储器通常具有更快的随机存取时间（Access Time），能够更快地执行读取和写入操作。而闪存的存取速度较慢，通常与铁电存储器相比较为迟钝。
2024-01-23 18:17:51516 
随机访问存储器（RAM）分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。由于动态存储器存储单元的结构非常简单，所以它能达到的集成度远高于静态存储器。但是动态存储器的存取速度不如静态存储器快。
2024-01-19 15:47:38513 
当电源断开时，随机存取存储器（RAM）中的数据通常会丢失。这是因为RAM是一种易失性存储器，它必须以恒定的电源供应来维持存储的数据。在断电时，RAM中的电荷会逐渐耗尽，导致其中的数据丢失。在这
2024-01-16 16:30:19838 是Volatile RAM（易失性存储器），又称为SRAM（Static Random Access Memory，静态随机访问存储器）；另一种是Non-volatile RAM（非易失性存储器），又称
2024-01-12 17:27:15512 MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
2024-01-09 14:24:03208 
随机存取存储器 (RAM)的名称源自 CPU 访问它的方式，CPU对其进行随机扫描以获取适当的信息，而不是遵循严格的指示。这是为了均衡所有存储的数据位之间的访问时间。
2024-01-06 17:51:33158 
东芝不仅是家电巨头、消费电子巨头，还曾经是全球最大的半导体制造商之一。1985年，东芝率先研发出1M容量动态随机存取存储器(DRAM)。到了次年，东芝1M DRAM月产能超过100万片，包括东芝在内的日本厂商在 DRAM市场的份额则超过80%。
2023-12-21 16:19:48267 
根据协议内容，力成为合作项目提供必要的2.5D和3D先进封装服务，涵盖Chip on Wafer、凸块加工以及矽穿孔技术等多个环节，并优先推荐华邦电的矽中介层和其他尖端产品，如动态随机存取存储器 （DRAM） 和快闪存储器 （Flash） 等进行配合
2023-12-21 10:29:45151 从存储芯片的市场表现来看，两大类别DRAM（动态随机存取存储器）与NAND Flash（闪存存储器）目前的价格较今年谷底都出现了上涨。
2023-12-19 15:19:32136 其中，电阻式随机存取存储器（RRAM）依靠改变电阻水平来存储数据。最近发表在《Angewandte Chemie》杂志上的一项研究详细介绍了清华大学李原领导的研究小组的工作，他们开创了一种制造超分子忆阻器的方法，而忆阻器是构建纳米随机存取存储器的关键部件之一。
2023-12-06 16:05:36341 
在数字电子设备中，存储器是至关重要的部分。它负责存储和检索数据，以支持各种计算和数据处理任务。在存储器市场中，有两种主要的类型：随机访问存储器 ( RAM ) 和只读存储器 ( ROM )。尽管都是存储器，但它们之间存在一些关键区别。
2023-12-05 15:46:17731 
非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM) 是一种即使断电也能保留数据的存储器，提供非易失性存储。
2023-12-05 10:09:56302 DDR4(第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器)是一种高带宽的存储器，今天主要讲述一下DDR4在Layout过程中的一些细节。在DDR的设计过程中，DDR的Layout是十分重要的环节。
2023-11-29 15:39:101470 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
易失性存储和精确的实时时钟，本文推荐使用国产PB85RS2MC铁电存储器用于该存储系统中。铁电存储器PB85RS2MC在系统主要是实现数据的非易失性存储和的实时时
2023-11-27 10:17:05
功能描述：CY7C1470BV25、CY7C1472BV25和CY7C1474BV25是2.5V 2M x 36/4M x 18/1M x 72同步流水线容发无总线延迟的SRAM(NoBL)逻辑。它们被设计成支持无限制的真正的背对背读取或者没有等待状态的写操作。CY7C1470BV25,CY7C1472BV25和CY7C1474BV25配有启用连续读取或需要
2023-11-24 16:10:46
低功耗双倍速率同步动态随机存取存储器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)简称为 LPDDR，是DDR SDRAM 的一种，由于广泛用于移动
2023-11-21 09:37:36257 
在同步动态随机存取存储器（SDRAM)的工作模式中，以数据读取速率来分类，有单倍数据速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、双倍数据速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
Distributed Memory Generator IP 核采用 LUT RAM 资源创建各种不同的存储器结构。IP可用来创建只读存储器 (ROM)、单端口随机存取存储器 (RAM) 和简单
2023-11-17 17:00:30687 
20世纪70 年代到 90年代中期，动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是异步接口，这样它可以随时响应控制输入信号的变化从而直接影响
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）两大类。例如，人们熟知的闪速存储器 ( Flash Memory，简称 Flash）就属于 NVM，静态随机存取存储器 (Static Random Access Memory， SRAM）和动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)则属于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 根据贸易部周二公布的数据，存储芯片出口同比增长1%，较9月份下滑了18%。多芯片封装产品引领了反弹，增长了12.2%，而利润丰厚的动态随机存取存储器的销售额首次收窄至个位数。
2023-11-15 17:37:26719 后存储内容会丢失的存储器称作易失存储器（Volatile Memory），存储内容不会丢失的存储器称作非易失存储器（Non-Volatile Memory）。 半导体存储器分类 1、按功能分为 （1）随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随
2023-11-15 10:20:01731 
赛普拉斯USB-PD2.0和高通QC快充之间有何不同？ 赛普拉斯USB-PD2.0和高通QC快充是两种快速充电技术，它们有着不同的特点和优点。 赛普拉斯USB-PD2.0是一种基于USB
2023-10-27 14:40:18434 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
本文将介绍芯片设计中动态随机存取存储器（DRAM）的相关知识，包括其工作原理、分类以及在现代电子设备中的应用。
2023-10-23 10:07:34816 CYPD5235-96BZXIT，CYPRESS/赛普拉斯，USB Type-C端口控制器CYPD5235-96BZXIT，CYPRESS/赛普拉斯，USB Type-C端口控制器
2023-10-17 16:16:10
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，动态随机存取存储器 16Gb低VDDQ移动低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一种高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
电子发烧友网报道（文/刘静）拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下简称：拉普拉斯）拟冲刺科创板IPO。不过近日，拉普拉斯IPO因财务资料过期问题而被迫暂时中止。 此次冲刺科创板IPO，拉普拉斯拟募集
2023-10-12 17:10:012041 
电子发烧友网报道（文/刘静）拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下简称：拉普拉斯）拟冲刺科创板IPO。不过近日，拉普拉斯IPO因财务资料过期问题而被迫暂时中止。 此次冲刺科创板IPO，拉普拉斯拟募集
2023-10-12 01:12:002959 
相同点？
感觉6116数据的存取很简单呀？设置成“写入”状态，在地址端0001-0101依次输入数据0001，0010，0011，0100，0101后，把存储器设置成“读出”状态就可以看到输出端
2023-10-07 08:39:25
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
、随机存取存储器、定时器以及并行接口等。微处理器执行存放在程序存储器中的各种保护程序，对由数据采集系统输入到随机存取存储器中的数据进行分析处理，以完成各种继电器保护的功能。 3、数字量输入/输出接口 即开关量输入/输出
2023-09-22 16:34:33544 
如何用拉普拉斯变换分析威廉希尔官方网站
拉普拉斯变换是通过一种特定的方法将时域中的一个信号转化为复频域中的一个函数，从而使得复杂的微分方程等可以变得更加简单、易于求解。因此，它在威廉希尔官方网站
分析中的应用非常广泛，有助于
2023-09-07 16:39:041276 傅里叶变换拉普拉斯变换和z变换的区别联系 傅里叶变换、拉普拉斯变换和z变换是信号处理中重要的数学工具。傅里叶变换用于将一个连续时间信号转换为频域表示；拉普拉斯变换则用于将一个连续时间信号转换为复平面
2023-09-07 16:38:581400 拉普拉斯变换公式 拉普拉斯变换公式是数学中极其重要的一种变换方式，它的应用领域非常广泛，包括在信号处理、控制论、微分方程、威廉希尔官方网站
分析和量子力学等领域中都有着广泛的应用。本文将详细介绍拉普拉斯变换公式
2023-09-07 16:38:534090 拉普拉斯变换的意义 拉普拉斯变换是微积分中的一种重要方法，用于将时间域函数转换为复平面的频域函数。它是工程和科学中常用的一种数学工具，尤其是威廉希尔官方网站
理论、信号处理和控制理论中。 拉普拉斯变换的意义可以
2023-09-07 16:35:083588 拉普拉斯变换的频移特性 拉普拉斯变换是一种重要的数学工具，在信号处理、控制理论、威廉希尔官方网站
分析等领域广泛应用。在这些应用中，频移是一个常见的操作，即将信号在频域上移动某个频率。 拉普拉斯变换是一种复数变换
2023-09-07 16:29:43671 微控制器的处理器类型根据不同的应用而有所不同。可供选择的范围从简单的4位、8位或16位处理器到更复杂的32位或64位处理器。微控制器还可以使用不同类型的存储器，包括易失性存储器，如随机存取存储器
2023-09-07 15:54:332167
-40℃~+85℃
片上只读存储器
384KB
片上静态随机存取存储器
512KB
外部闪光
8MB
封装内 PSRAM
2MB
无线上网
IEEE 802.11 b/g/n，2.4Ghz 频段
2023-09-07 10:05:03
新能源汽车的核心技术是大家熟知的动力电池、电池管理系统和整车控制单元。车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高性能非易失性存储技术的需求也越来越高，因为当系统在进行资料分析
2023-09-01 10:04:52
我们知道除了只读存储器外还有随机存取存储器，这一篇将介绍另一种 存储类IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 随机存取存储器 （Random Access Memory），是一个易失性存储器，断电丢失。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入或读出数据。
2023-08-29 16:46:071658 
和“读写”段，前者包含代码和只读数据，后者包含初始化和未初始化或零初始化(ZI)数据。
通常，“只读”段被放在只读存储器中，而“读写”段在开始执行之前从只读存储器复制到随机存取存储器。
2023-08-24 08:23:51
技术，每种技术都具有不同的特性和高级功能。双数据速率 (DDR) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM) 已成为主系统存储器最主流的存储器技术，因为它使用电容器作为存储元件来实现高密度和简单架构、低延迟和高性能、无限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步扩展其EXCELON™ F-RAM存储器产品，推出两款分别具有1Mbit和4Mbit存储密度的新型F-RAM存储器。全新
2023-08-09 14:32:40397 
动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成威廉希尔官方网站
，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。
2023-08-03 12:27:03649 
动态随机存取存储器（RAM）
•片上系统（SoC）外围设备中已经存在的高速链路。
TMC也可以作为系统中的先进先出（FIFO）操作。这减少了跟踪
通过平均跟踪带宽得出溢出和跟踪端口大小
2023-08-02 14:35:05
，用于从计算机的RAM（随机存取存储器）或其他设备的内存中提取关键信息，以便了解设备在特定时间点的状态和活动。内存取证的主要目的？内存取证的主要目的是获取在计算机或设
2023-08-01 11:21:511056 
一个可随时存取数据的存储器，即可读(取)或写(存)的存储器，简称ram。
2023-07-25 15:28:37641 该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
静态随机存取存储器(SRAM)和嵌入式闪存、一个提供时钟、复位和电源管理功能的模拟子系统以及模数转换器(ADC)子系统组成。本数据手册描述ADuCM4050 MCU的A
2023-07-17 15:08:25
和微控制器单元 (MCU) 子系统。ADuCM300 具有 128 kB 程序闪存/EE、4 kB 数据闪存/EE 和 6 kB 静态随机存取存储器 (SRAM)
2023-07-17 13:56:20
随机存取存储器（RAM）用于实时存储CPU正在使用的程序和数据。随机存取存储器上的数据可以被多次读取、写入和擦除。RAM是存储当前使用的数据的硬件元素。它是一种易失性存储器。
2023-07-06 14:22:271948 ，非易失性存储器在计算机关闭后存储数据仍保留在计算机中。易失性存储器的主要特征是它们需要电源来维持其存储状态。主要分为两种类型：静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。 1963年，Fairchild发明了SRAM。作为即1959年I
2023-06-28 09:05:28873 静态随机存储器(SRAM: Static Random Access Memory) 和动态随机存储器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上，铁电
2023-06-08 09:52:17
作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。
2023-06-01 10:57:52134 
16-MBIT（1M X 16）静态随机存储器
2023-06-01 09:18:00
无论是在网飞上看电影、玩电子游戏，还是单纯地浏览数码照片，你的电脑都会定期进入内存获取指令。没有随机存取存储器（RAM），今天的计算机甚至无法启动。
2023-05-30 15:19:55313 我们正在构建一个设备来测量消耗。威廉希尔官方网站
ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
主存储器的主要技术指标
* **存储容量**
存储器可以容纳的二进制信息量（寻址空间，由CPU的地址线决定）
* **实际存储容量：** 在计算机系统中具体配置了多少内存。
* **存取速度：** 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间，也称为读写周期；
2023-05-26 11:28:10822 
SDRAM是动态随机存取存储器，与CPU的时钟速度同步。SDRAM也代表SDR SDRAM（单数据速率SDRAM）。单数据速率意味着SDR SDRAM在一个时钟周期内只能读/写一拍数据。在传输下一个读/写操作之前，需要等待命令完成。SDR 速度从 66 MHz 到 133 MHz 不等。
2023-05-26 10:43:371535 
不懂单片机，最近公司一个外单要转到国内生产，发了一个后缀名是.elf的烧录文件，请问这个怎么烧录？要用什么软件打开？又要用什么样的烧录器？
芯片是赛普拉斯的CY8C5268AXI-LP047
2023-05-23 08:53:56
，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
SRAM：
SRAM利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。
3.产品应用
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往较小。NOR设备在每次写操作时都必须以块的方式写入数据。并行NOR闪存利用静态随机存取存储器(SRAM)快速访问芯片的可寻址区域，实现了存储字节的快速访问。与NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
在定义方面它们有本质的区别，硬盘属于“ 非易失性存储器”，而内存是“随机存取存储器”，属于“易失性存储设备“。
2023-05-17 15:40:191537 EMI Serial SRAM是为串行接口的SRAM，外扩SRAM可以通过使用SPI的接口来将外部RAM添加到几乎所有应用中。串行访问的静态随机存取存储器采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
RAM ：随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作“随机存储器”。
2023-04-25 15:58:205062 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462540 本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
SHARC 系列数字信号处理器 (DSP) 中的一款产品，采用 ADI 公司的超级哈佛架构。这些 32 位/40 位/64 位浮点处理器已针对高性能音频/浮点应用进行优化，具有大型片内静态随机存取存储器
2023-04-11 17:36:45479 。随机存取存储器(random access memory，RAM)又称作\"随机存储器\"。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将
2023-04-10 16:43:04
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
据保留•无限的读/写耐力•无磨损•有竞争力的定价•稳定的制造业供应链•小尺寸BGA封装图1 引脚普通针MR3A16ACMA35是一个8Mb非易失性RAM，组织为512kx16，采用3.3V标称电源供电
2023-04-07 16:26:28
的RAM或常规的非易失性存储。该存储器真正是非易失性的，而不是由电池供电的。引脚配置特征高集成度设备替代了多个零件•串行非易失性存储器•带闹钟的实时时钟（RTC）•低VDD检测驱动复位•看门狗窗口定时器
2023-04-07 16:23:11
设备基于运行频率高达 80 MHz 的第 2 版 ColdFire 内核，以实现性能和低功耗。片上存储器与处理器内核紧密耦合，包括 512 KB 闪存和 64 KB 静态随机存取存储器 (SRAM)。片
2023-03-31 08:49:25
ReRAM代表电阻式随机存取存储器，是一种非易失性存储器，具有如低功耗和快速写入的特长。该存储器在所有存储器产品中的读取电流都最小，特别适合于助听器等可穿戴设备。
2023-03-25 15:49:351054 我目前正在尝试防止临时对称密钥在重新启动后保留在内存中。我的巧妙计划是使用 i.MX RT1064 处理器寄存器（保证在重启时归零）对它们进行异或，我在重启时将其设置为随机数。（这与非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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