电子发烧友网站提供《具有反极性保护、短路保护和诊断功能的100V、汽车类、低IQ 高侧驱动器TPS4800-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 13:45:58
0 荣湃半导体近日宣布推出其最新研发的Pai8265xx系列栅极驱动器，该系列驱动器基于电容隔离技术，集成了多种保护功能，专为驱动SiC、IGBT和MOSFET等功率管而设计。这款产品的推出，标志着荣湃半导体在功率半导体领域的技术创新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52
248 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 想问一下，半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备，比如探针台有没有用到，具体要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
为了在空间受限的应用中实现高效、实时的嵌入式电机控制系统，MicrochipTechnologyInc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC数字信号控制器（DSC）的新型集成电机驱动器系列。该系列器件
2024-03-08 08:22:30114 
Microchip近日宣布推出一款创新的3.3 kV XIFM即插即用mSiC™栅极驱动器，该驱动器采用了Augmented Switching™专利技术，进一步扩展了其mSiC解决方案系列，为高压SiC电源模块的快速采用提供了有力支持。
2024-03-07 11:31:32313 驱动器和控制器的发展。因此，威廉希尔官方网站
设计人员经常求助于为硅MOSFETs设计的通用栅极驱动器，从而需要仔细考虑各种因素以获得最佳性能。 GaN晶体管与Si MOSFETs 与硅MOSFETs相比，eGaN FETs表现出不同的特性，影响其与专为后者设计的栅极驱动器一起工作。一些主要差
2024-03-05 14:28:16399 
在电子设备领域，“驱动”一词占据着至关重要的地位，充当推动信号、控制和电源的力量。这个复杂世界中的一个重要组件是隔离式栅极驱动器，这项技术在确保各种电子系统高效、安全运行方面发挥着关键作用。
2024-03-01 16:16:43207 
GaN FETs以其体积小、切换速度快、效率高及成本低等优势，为电力电子产业带来了革命性的变化。然而，GaN技术的快速发展有时超出了专门为GaN设计的栅极驱动器和控制器的发展。因此，威廉希尔官方网站
设计师经常转向为硅MOSFETs设计的通用栅极驱动器，这就需要仔细考虑多个因素以实现最佳性能。
2024-02-29 17:54:08188 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
本文通过分析低侧栅极驱动器的等效威廉希尔官方网站
来计算如何合理的选取RGATE电阻的阻值，既要保持MOS管的良好开关性能，还要有效抑制振铃的产生。
2024-02-26 18:14:341236 
Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器 - TI | 贸泽Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器是一款100V器件，集成了顶部和底部驱动器
2024-02-22 13:39:55
CCS产品图标准版 01、脉冲半导体激光管驱动器产品介绍 AeroDIODE的CCS是一款脉冲半导体激光管驱动器，工作波长为1064纳米。它的输出电流为0.8 - 2 A(连续)和1.5
2024-01-30 06:31:08144 
H6203G 是一款150V高耐压芯片支持100V转3.3V 100V转5V 100V转12V。
产品描述
H6203G是一种内置150V耐压MOS，支持输入高达120V的高压降压开关控制器，可以向负载
2024-01-26 14:13:26
半桥威廉希尔官方网站
的电压是24V，ADUM6132接5V和15V能正常驱动它吗？是A通道驱动上功率管，B通道驱动下管吗？
芯片除了正常的供电接地还需要接什么别的元件吗？
2024-01-11 06:09:16
。特点● 内置100V MOS● 输入电压范围：8V-100V● 效率90%● 输出电流范围：100MA-1.5A● 平均电流工作模式● 过温时减小输出电流● 工作频率：140KHz应用● 直流或交流输入LED驱动器● RGB背光LED驱动● 电动自行车照明● 摩托车照明● 汽车照明威廉希尔官方网站
图
2024-01-10 16:03:35
必易微新推出的栅极驱动器 KP85402，专为家用电器和工业新能源等应用场景而设计。这款产品旨在为客户提供一个高可靠性、低成本的解决方案，以满足各种栅极驱动需求。
2024-01-08 15:33:25390 深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有
2023-12-20 11:30:41
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2023-12-20 11:13:03
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2023-12-20 11:09:10
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2023-12-19 13:43:56
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2023-12-19 13:39:52
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2023-12-19 13:36:17
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2023-12-19 12:01:33
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2023-12-19 11:55:58
报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
圣邦微电子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列，一款耐受 -10V 输入电压的单通道高速低侧栅极驱动器。 该系列器件被广泛应用于 DC/DC 转换器、太阳能和电机驱动器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 在当今的数字时代，电子元件是塑造我们生活的无数技术奇迹的支柱。从智能手机到电动汽车以及介于两者之间的所有产品，电子元件都发挥着至关重要的作用。称为栅极驱动器的关键组件在控制半导体器件的开关方面发挥着关键作用。本文深入探讨了栅极驱动器的原理、其重要性以及它们如何促进电子威廉希尔官方网站
和系统的高效运行。
2023-12-06 10:05:32431 
近日，武汉芯源半导体正式发布首款基于Cortex®-M0+内核的CW32A030C8T7车规级MCU，这是武汉芯源半导体首款通过AEC-Q100 (Grade 2)车规标准的主流通用型车规MCU产品
2023-11-30 15:47:01
电子发烧友网站提供《单通道栅极驱动器ADuM4135应用笔记.pdf》资料免费下载
2023-11-29 11:00:580 电子发烧友网站提供《4.0 A隔离式半桥栅极驱动器ADuM7223应用笔记.pdf》资料免费下载
2023-11-29 09:13:231 使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）
2023-11-28 16:18:10271 
我想把1V（100MHz）的信号放大成100V（100MHz）的信号，请问我应该选什么型号的芯片？
2023-11-24 07:05:04
电子发烧友网站提供《实现隔离式半桥栅极驱动器的设计基础.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:57:320 在电力电子领域，为了最大限度地降低开关损耗，通常希望开关时间短。然而快速开关同时隐藏了高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，必须设计更高性能的开关驱动系统 。 目前，宽带隙半导体
2023-11-17 18:45:01326 
ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB栅极驱动器IC。该器件可实现纳秒 (ns) 级的栅极驱动速度，因此非常适合高速 GaN 功率器件开关。 通过对氮化镓技术的全面
2023-11-14 15:04:58438 引言：对于中压或高压的电源系统，对MOS组的要求特别高，DrMOS已经不能满足设计参数要求，此时将DrMOS再次分拆开来，将驱动部分独立成为栅极驱动器。栅极驱动器的强度和抗扰度极佳，非常适用于电机驱动、家用电器、SMPS、电池供电应用和大功率照明。
2023-11-10 16:00:48912 
深圳市三佛科技有限公司供应SA2601矽塔科技600V单相半桥栅极驱动芯片SOP8，原装现货 半桥栅极动心片.半桥栅极驱动芯片是一种用于驱动半桥功率器件(例如电力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
AL5801Q 产品简介DIODES 的AL5801Q这是一款 100V N 沟道 MOSFET 与预偏置 NPN 晶体管相结合，形成简单、小尺寸 LED 驱动器。LED 电流由连接
2023-10-24 11:34:13
DGD0597FUQ 产品简介DIODES 的DGD0597FUQ这是一款高频高侧和低侧栅极驱动器，能够驱动半桥配置中的 N 沟道 MOSFET。浮动高侧驱动器的额定电压高达
2023-10-24 10:45:14
罗姆半导体推出了双 MOSFET，该器件在单个封装中集成了两个 100V 芯片，使其适用于驱动通信基站和工业设备中的风扇电机。这五款新型号已添加到HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch
2023-10-23 15:44:02482
高电池电池组（电动自行车，电动摩托车）
汽车驱动器，四轴飞行器
工业自动化控制车辆配件
描述
ZCC8820KP是一款高压高性能异步降压型DC-DC转
换器，具有宽输入电压 9V 到 100V
2023-10-23 15:03:33
LP9961 是一款带有高压半桥驱动的全集成 LLC 控 制器。内部实现了 600V 的高压栅极驱动，使得可 以采用极简的外围元件，就可以实现高效、可靠的 LLC 谐振系统。自适应的死区时间控制可以
2023-10-10 11:37:12
近日，意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-12 09:01:31457 2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半导体新型6kV电流隔离技术，以及SO-36W宽体封装。瞬态抗扰度为±100V/ns，可防止电噪音工作条件
2023-09-05 06:59:59
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计，具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
先楫半导体使用上怎么样？
2023-08-08 14:56:29
使用LM1875功率音频放大器集成威廉希尔官方网站
可以设计出非常简单的音频音频放大器，可以在30欧姆负载下提供8瓦的最大输出功率。
美国国家半导体公司制造的LM1875是一款单片功率放大器，为消费类音频
2023-08-04 17:22:35
运算放大器，特别注重音频系统的性能。
该威廉希尔官方网站
的ton控制基于美国国家半导体公司的运算放大器和两个RC滤波器（低通和高通）。
使用下面给出的公式，我们可以修改音调控制威廉希尔官方网站
的频率 - RC滤波器
2023-08-02 17:50:28
本用例将讨论隔离式栅极驱动器在便携式发电站中的应用。
2023-08-02 11:41:49372 
电子发烧友网站提供《二极管栅极驱动器的启动时序.pdf》资料免费下载
2023-07-24 16:18:420 电子发烧友网站提供《DGD2101高压栅极驱动器IC.pdf》资料免费下载
2023-07-24 15:55:430 介绍
在设计电源开关系统（例如电机驱动器或电源）时，设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求？什么是最好的MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器？以及哪种栅极驱动器 IC 最适合
2023-07-24 15:51:430 通常GaN Hemt驱动存在2个难题：驱动电压低，容易误启动；栅极耐电压低，栅极容易损耗，因此需要专门的驱动器，不仅增加了设计复杂度，也额外增加了系统成本。
2023-07-23 15:08:36442 
栅极驱动器是一种电子器件，它能够将信号电平作为输入，通过放大和转换等过程，产生适合于驱动下级器件的电源信号。栅极驱动器广泛应用于各种电子设备中，如显示器、LED灯、电源逆变器等。
2023-07-14 14:48:441356 Allegro 在行业盛事慕展期间发布氮化镓（GaN）隔离栅极驱动器AHV85110，这是Allegro Power-Thru产品系列的首次发布，AHV85110能够提供2倍功率密度，以及更简单
2023-07-13 16:05:02416 
传统栅极驱动器的实现需要隔离栅极驱动器和单独的隔离电源，在系统组装时，驱动器、电源和FET之间的连接可能会带来不必要的噪声，并产生电磁干扰（EMI），从而降低系统性能。而要减轻这些影响可能会带来更多设计复杂性，增大项目进度时间和成本，以及解决方案的体积和重量。
2023-07-13 09:47:40361 TF1388M/TF2366M/TF2388M是一种三相栅极驱动IC，设计用于高压三相应用，在半桥配置中驱动n通道模块和igbt。TF半导体的高压工艺使TF2388M高侧
2023-07-04 11:38:27
TF23892M是一种三相栅极驱动IC，设计用于高压、高速应用，驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF23892M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 11:14:43
TF21364M是一种三相栅极驱动器IC，设计用于高压、高速应用，驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF21364M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 10:59:30
TF2136M是一种三相栅极驱动器IC，设计用于高压、高速应用，驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF2136M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 10:46:50
TFB0527是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-28 17:08:12
TFB0504是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-27 17:01:42
TF2003M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2003M高侧切换到250V的引导操作
2023-06-27 16:35:30
纳芯微全新推出120V半桥驱动NSD1224系列产品，该系列产品具备3A/-4A的峰值驱动电流能力，集成 高压自举二极管 ，提供使能、互锁、欠压保护不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
TF2304M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高压过程使TF2304M的高侧能够在引导操作中切
2023-06-26 15:48:29
TF21844M是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和IGBT。TF半导体的高压过程使TF21844M的高侧能够在引导操作中切换到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2104M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高压过程使TF2104M的高侧能够在引导操作中切
2023-06-26 09:27:41
TF2103M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2103M高侧切换到600V的引导操作
2023-06-25 16:39:30
TF2184是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和igbt。TF半导体的高压过程使TF2184的高侧能够在引导
2023-06-25 16:25:20
100V，输出电压对应为50V，在输出功率达100W的条件下，半桥BUCK工况波形如图4所示。由图可以看出，整体波形良好，Vds过冲电压最大值为136.7V，处于200V GaN器件的安全工作区内。
图4
2023-06-25 15:59:21
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
概述
OC4000 是一款内置 100V 功率 MOS的宽输入输出电压范围的高精度、高效率的升降压型 LED 恒流驱动控制芯片。OC4000 采用电流模闭环控制方式，可实现高精度的恒流驱动
2023-06-13 10:24:29
电源是电子设备的基础，其中的栅极驱动器是稳定提供设备电源的关键。栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器芯片的低功率输入，并为高功率晶体管（例如IGBT或功率MOSFET）的栅极产生高电流驱动
2023-06-08 14:03:09362 2023 年 5 月 24 日，中国 —— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM
2023-05-26 14:11:20701 
中国—— 意法半导体的STL120N10F8N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 上海数明半导体有限公司最新推出的双通道 30V, 5A/5A 的高速低边门极驱动器 SiLM27624 系列，支持高达 30V 的输入电源供电，满足更高的驱动电压输出。
2023-05-17 11:18:21438 
功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源威廉希尔官方网站
、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET，通常须将一个电压施加于栅极（相对于源极或发射极）。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:391473 
栅极驱动器是一个用于放大来自微控制器或其他来源的低电压或低电流的缓冲电栅极驱动器的原理及应用分析用中，微控制器输出通常不适合用于驱动功率较大的晶体管。
2023-05-17 10:14:526240 
半桥驱动威廉希尔官方网站
通过 SPWM 已经能生成正弦波了，请问一下各位大神，能不能修改程序生成半波啊
2023-05-09 13:21:57
美国商务部国家标准与技术研究院(NIST)发布了一份文件，概述了其对国家半导体技术中心(NSTC)的愿景和战略，该中心是美国芯片与科学法案设立的研发计划的重要组成部分，支持和扩大美国在半导体研究
2023-05-05 15:23:17347 LTC®4440 是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在 VIN 高达 80V 的应用中运作而设计。而且，LTC4440 还能安全承受 100V VIN 瞬
2023-04-21 13:42:03
LTC®4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中
2023-04-21 11:28:09
TMI8723是一款专为H桥驱动器应用而设计的栅极驱动器集成威廉希尔官方网站
。它能够驱动由四个高达40V的N沟道功率MOSFET组成的H桥。TMI8723集成了一个可调节的电荷泵来产生栅极驱动功率，峰值和源极电流可以是500mA和250mA。同时，TMI8723可以通过引脚VDS设置过电流点的值。
2023-04-20 15:00:311 您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
，工程师们需要选用合适的栅极驱动器，提高UPS的转换效率和响应速度，以满足不断增长的UPS市场需求。高速低侧栅极驱动器是一种威廉希尔官方网站
，用于控制半导体开关（例如MOSFET或IGBT）的导通和断开，从而实现对威廉希尔官方网站
的控制和调节。正确选择高速低侧栅极驱动器
2023-04-11 12:39:14279 
”。电机作为工业生产的一种重要设备，为了能够满足不同应用场景需求，对电机的控制要求也不断的提高。 因此，工程师们在设计电机控制的解决方案时，需要选用合适的栅极驱动器，从而实现对电机的高效、精准控制，以达到节能增效目
2023-04-10 15:07:04851 
具体而言，大电流栅极驱动器可以通过最小化开关损耗来帮助提高整体系统效率。当 FET 打开或打开和关闭时，会发生开关损耗。要打开FET，栅极电容必须充电超过阈值电压。栅极驱动器的驱动电流有利于栅极电容
2023-04-07 10:23:291227 
半导体器件是现代电力电子系统的核心。这些系统利用许多门控半导体器件，如普通晶体管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作为开关模式电源（SMPS）、通用电源（UPS）和电机驱动器中的开关元件。电力电子的现代技术发展通常跟随功率半导体器件的发展。
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源威廉希尔官方网站
、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:391001 LTC7060驱动两个采用半桥配置的N通道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器可以驱动具有不同接地基准的MOSFET，提供出色的瞬变抗扰度。其功能强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:49:48
LTC7061驱动两个采用半桥配置的N通道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器可以驱动具有不同接地基准的MOSFET，提供出色的瞬变抗扰度。其功能强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:44:27
电源模块时，这种非常低的电流将有助于实现非常低的输入待机功耗。UCC27282 VDD工作范围已扩展至5.5V至16V。这可以使设计人员优化VDD工作电压，以实现更低的栅极驱动损耗。UCC27282包括输入互锁功能，防止在LI和HI输入同时为高电平时，两个栅极驱动器输出也同时处于高电平状态。
2023-03-30 09:50:03656 
栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器IC的低功耗输入，并为功率器件产生适当的高电流栅极驱动。随着对电力电子器件的要求不断提高，栅极驱动器威廉希尔官方网站
的设计和性能变得越来越重要。
2023-03-23 16:48:48535 
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