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高压LDMOS场极板的分析与设计

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:217 KB | 2011-12-01

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场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术，对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化 厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析， 在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS，并对其具体参数进行了细致的模拟和分析。模拟结果表明， 双阶梯场板LDMOS的击穿电压比单阶梯场板LDMOS提高了l 5．3％，导通电阻降低了l 7．1％ ，电流驱动能力也提高了8．5％ 。

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