分析了LDMOS(lateral DMOS) 在一次雪崩击穿后的局部电热效应. 提出并证明了等温分析和电热分析分别得到的LDMOS 的触发点是不同的;分析了局部晶格温度在空间上的分布特点;并提出晶格温度弛豫时间会影
响漏极电压弛豫时间. 从而证明LDMOS 工作于ESD(elect ro2static discharge) 保护的大电流区时,电热分析比等温分析的模拟结果与实验结果符合得更好.
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