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TRIPLE RESURF结构的LDMOS器件设计

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.70 MB | 2017-11-02

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　　随着集成威廉希尔官方网站 的发展，尤其是智能功率集成威廉希尔官方网站 的发展，对功率器件提出了越来越高的要求。LDMOS由于它的电极均可以在器件的表面引出，因而可以与主流的VLSI集成威廉希尔官方网站 丁艺技术相兼容，成为了功率集成威廉希尔官方网站 的首选，并广泛应用于LED驱动、电源管理及汽车电子等领域。对于LDMOS来说，比导通电阻和击穿电压是两个重要的参数，同时相互影响，降低比导通电阻和提高击穿电压是器件的设计与研究的热点与难点。目前采用的技术主要有以下几种：场板技术，横向变掺杂技术，埋层技术，超结技术，降低表面电场（RESURF）技术等技术，它们对器件击穿电压和比导通电阻的改善起到了很大的作用。

　　RESURF技术是在LDMOS器件设计中广泛应用的一种技术，它是利用横向与纵向两个PN结的耗尽层相互作用，就是器件在表面电场达到临界电场之前，使漂移区在纵向上完全耗尽，从而使击穿点由表面转移到体内，进而提高击穿电压。目前研究最多的是双RESURF LDMOS器件，它是在单RESURF的基础上，在漂移区顶部注入与漂移区掺杂相反的杂质，利用其辅助耗尽来改善器件的性能。

TRIPLE RESURF结构的LDMOS器件设计

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