台积电2nm制成细节公布:性能提升15%,功耗降低35%

电子说

1.3w人已加入

描述

12月17日消息,在于旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上,全球晶圆代工巨头台积电公布了其备受瞩目的2纳米(N2)制程技术的更多细节,展示了该技术在性能、功耗和晶体管密度方面的显著进步。

台积电在会上重点介绍了其2纳米“纳米片(nanosheets)”技术。据介绍,相较于前代制程,N2制程在性能上提升了15%,功耗降低了高达30%,能效显著提升。此外,得益于环绕式栅极(GAA)纳米片晶体管和N2 NanoFlex技术的应用,晶体管密度也提高了1.15倍。N2 NanoFlex技术允许制造商在最小的面积内集成不同的逻辑单元,进一步优化了制程的性能。

通过从传统的FinFET(鳍式场效应晶体管)技术过渡到专用的N2“纳米片”技术,台积电实现了对电流更有效的控制,使得制造商能够根据不同的应用场景微调参数。纳米片技术采用堆叠的窄硅带结构,每条硅带都被栅极包围,相比FinFET技术,能够实现更精确的电流控制。

与3纳米及其衍生制程相比,台积电的N2制程在性能上实现了显著的提升。鉴于其明显的代际改进,预计包括苹果和英伟达在内的行业巨头将大规模采用该制程。然而,伴随性能提升的,是晶圆价格的上涨。据悉,N2制程晶圆的价格将比3纳米制程高出10%以上。

审核编辑 黄宇

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分