铒离子注入碳化硅后的射程分布和射程离散

2010-4-22 11:36:02 2119

0 【作者】：秦希峰;季燕菊;王凤翔;付刚;赵优美;梁毅; 【来源】：《济南大学学报(自然科学版)》2010年02期【摘要】：鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散对器件性能的影响,应用卢瑟福背散射技术研究将剂量为5×1015cm-2的400 keV能量的Er+离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。用SRIM2006模拟软件对能量为400 keV的Er+离子注入SiC晶体的深度分布进行了理论模拟,把理论模拟值跟测出的实验值进行比较,发现两者符合较好,从而为今后利用Er+离子注入SiC晶体掺杂制作光电集成器件提供参考依据。【关键词】：离子注入;;H-SiC;;卢瑟福背散射技术;;射程分布【DOI】：CNKI:SUN:SDJC.0.2010-02-024 【正文快照】：SiC是自第1代元素半导体(Si)和第2代化合物半导体材料(GaAs,GaP,InP等)之后发展起来的第3代宽带隙半导体材料。作为第3代宽带隙半导体材料代表的SiC,具有宽带隙、高熔点、高热导率、高临界击穿电场和高饱和漂移速度等优异的物理和电学性质,在光电子学、高温电子学、抗辐射电子全文下载 0
2010-4-22 11:36:02　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 碳化硅离子注入和退火工艺介绍 3064 • 住友重工2025年拟推碳化硅离子注入机 767 • 什么是离子注入？离子注入的应用介绍 5094 • 6.1.4 半绝缘区域的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》 653 • 6.1.3 p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》 1019 • 碳化硅的应用 3348 • 碳化硅深层的特性 5224 • 碳化硅的历史与应用介绍 4352 • 用于PFC的碳化硅MOSFET介绍 9686 • 碳化硅MOSFET是如何制造的？如何驱动碳化硅场效应管？ 11845