AlGaInAs半导体饱和吸收体调Q特性的理论与实验研究

2010-4-26 16:11:49 1808

0 利用通过金属化学气相沉积法长成的AlGaInAs饱和吸收体,对808nmLD泵浦的Nd∶YVO4键合晶体进行被动调Q,获得了波长为1.06μm的激光脉冲,测量了脉冲能量、脉冲宽度、脉冲重复率随泵浦功率的变化.当泵浦功率为10.57W时,激光平均输出功率为3.45W,斜效率为39%,重复频率达到最大值101kHz.当泵浦功率为8.07W时,脉冲宽度达到最小值1.76ns.利用速率方程对该激光器进行理论分析,计算出输出脉冲能量、峰值功率、脉冲宽度和重复频率的理论值,实验结果和理论结果基本一致【关键词】：激光物理;;AlGaInAs;;饱和吸收体;;调Q;;速率方程【DOI】：CNKI:SUN:GZXB.0.2010-02-003 【正文快照】：0引言采用固体饱和吸收体的被动调Q激光器以其结构紧凑和易于操作的特点,在工业、医疗、光谱学等领域有广泛的应用.20世纪90年代以来,一系列新型固体饱和吸收体相继出现,比如掺Cr晶体[1-5]和半导体饱和吸收镜(Semiconductor SaturableAbsorber Mirrors,SESAMs)[6-7].相对于掺Cr 全文下载 0
2010-4-26 16:11:49　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 电磁波吸收体 2564 • 电磁噪声复合吸收体技术的介绍 pdf 3193 • 半导体的导电特性 7493 • 半导体的导电特性 2520 • TDK推出新型IS-BP系列电波吸收体 616 • 包层抽运调Q光纤激光器的实验研究 19 • 半导体电容特性分析 2153 • 半导体材料的特性与参数 8539 • TDK推出采用生物质材料的环境可持续电波吸收体 318 • 用腔内半导体可饱和吸收镜钛宝石激光器中自锁模状态的实验研究 28