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[资讯] DRAM挺过7月 有望旺到后年 动态随机存取内存(DRAM)价格年初以来维持强势,但封测厂强调,7月尔必达新增产能是否可以去化是重要观察期,一旦能顺利消化,DRAM产业荣景将能持续到明、后年。 今年全球DRAM产能扩充不及,可是需求面,却因个人计算机、消费性、信息产品及智能型手机高度成长,让DRAM价格急速攀升,各家DRAM模块厂缴出不错的获利表现,连DRAM厂也摆脱过去巨额亏损的命运,甚至转亏为盈。 不过,受第二季电子厂拉货速度减缓影响,DRAM价格4月底显疲态;根据集邦科技的报价,近期DDR3 1Gb eTT(有效测试颗粒)均价已跌破3美元关卡,跌至2.87美元,和3月底的3.04美元高点相比,跌幅约5.59%。 尽管如此,DRAM厂瑞晶、南科(2408)、华亚科(2474)和DRAM模块厂威刚(3260)、创见(2451)仍看好DRAM后市,并认为第二季将淡季不淡。 内存封测厂测合科技总经理徐英琳表示,目前DRAM市况,因在智能型手机及个人计算机等应用的市场高度成长,带动DRAM需求强劲,市场确实普遍仍处缺货状态。 不过,他认为,7月包括瑞晶、力晶(5346)及茂德(5387)等尔必达(Elpida)阵营的新增产能是否顺利去化,将牵动DRAM价格走势,是重要的观察指标。 他说,尔必达阵营制程技术推进至63奈米,7月产出将大量增加,加上美光阵营的南科、华亚科也导入50奈米,下半年产量大增,届时市场能否有效消化这些新增产能,是一观察重点。 徐英琳说,若尔必达阵营7月新增产能无法获得消化,DRAM价格届时恐会面临回档压力;若产能得以顺利去化,预料DRAM产品价格应可稳定到明、后年。不过,他个人认为,DRAM价格大幅回文件的可能性不高,推估DDR3 1Gb可维持在2.5美元以上的价格水平。
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