DDR2去耦电容问题

这个倒是见过都是采用并列 紧密方式排板的  至于为什么感觉是仿真用一个大电容而引起的谐振详细 （这个是个人推测）

本帖最后由 nealcc 于 2016-12-13 14:19 编辑

第一个问题：
要看下面这个经典的图，由于电容的寄生参数，每个电容都有工作频率范围，超过这个频率，电容就不再是"电容"了.因此出现了需要0.1uf，100pf，1pf等多个电容并联的状况。


通常。每一片DDR会配一个10uF电容，在总电源入口，每个电源管教要放置如你所写一组电容，目的就是消除DDR的工频和谐波干扰进入电源网络。（为了EMC），
第二个问题，终端电压VTT和终端电阻，只能说明处理器好差劲，OD输出玩DDR2？坑爹啊。这不是明显给layout工程师添堵么？终端电阻51ohm目的是阻抗匹配，当控制器OD输出高电平时，DDR从VTT取电流，电流可以通过匹配的网络流入DDR2减少纹波电流。

DDR2的技术已经非常成熟，实际应用时，一般每个电源脚放一个0.1uF+10nF就足够了，很少会再摆更多退耦电容，因为你这么摆放，直接就把完整地平面搞的乱七八糟了！DDR2是最好以4层板为基础，电源滤波和芯片顶层。2，4层走信号。3层完整地。时钟差分信号走底层

一切以参考设计为和DDR设计指引为参考吧！

我明白你跟我解答的第一个问题，不同容值的电容是为了滤不同频率的干扰。可能我没说明白，我的问题是：四片DDR2，共40个电源脚，可是只用到了13个去耦电容，并不是每个电源引脚分配一个。我纳闷儿的问题就是这个，按理说不应该每个电源引脚都有去耦电容么？

还有终端电阻的作用应该就是阻抗匹配，消耗信号回波反射的，处理器不是OD输出，因为我们上一版的SDRAM用的DDR1，没有用终端电阻，进而也没有这个终端电压。这次用DDR2参考的是官方的Demo，加了这些终端电阻，和终端电压的去耦电容。我很费解，以前没接触过DDR2威廉希尔官方网站 的设计。

如果是这样，你看下原厂给的PCB参考设计的电容摆法，一个芯片最多也就摆10个电容差不多了，再多了真摆不下。可能是原厂经验够强大，沿着电源方向逐渐减少了电容容量。