STM32L低功耗模式下唤醒时间的测量

STM32

前言
某客户在使用我们的STM32L073芯片做项目的开发，据他们的工程师反映在测量低功耗模式下的唤醒时间，他们测试得到的数据与数据手册中列出的结果不符合，而且差别很大，并且测试了很多片都是这个问题。想咨询我们什么样的测试方法能够得到一个符合手册规范的数值。

一、测试
在这里正好选取了手边有的STM32L053C8-Discovery探索板。

软件里选取“…STM32Cube_FW_L0_V1.9.0ProjectsSTM32L053C8-DiscoveryExamplesPWR” 目录下的PWR_STANDBY 和PWR_STOP这项目工程，通过这两个低功耗模式做一个说明测量唤醒时间的方法。

1.1 PWR_STANDBY模式

查看相应的参考手册RM，了解standby模式下的特点，主要涉及到参考手册中的如下两个表格：

从这两个表格中，我们可以看到其进入低功耗模式的条件，退出模式的条件，退出后执行的情况。对应表格可以看出，退出STANDBY模式后执行的是RESET复位，唤醒的方法我们选择WKUP唤醒引脚的上升沿；进入低功耗的方法有WFI(wait for interrupt)和WFE(wait for event)。

进入低功耗确认
直接打开运行“…STM32Cube_FW_L0_V1.9.0ProjectsSTM32L053C8-DiscoveryExamplesPWR” 目录下的PWR_STANDBY项目工程，并且阅读工程目录下的Readme.txt，了解该项目代码是如何进入低功耗模式，以及进入低功耗的寄存器及时钟方面的配置，这里不再赘述，重点是唤醒时间的测量。

将JP4跳线帽拔除，将万用表调至电流档位，串入万用表，全速运行项目代码，观测电流功耗，按下B1的按钮，看看电流的差别，判断程序运行是否正常即可（进入低功耗模式前后电流）。

唤醒波形的设置
此时程序已经能够正确的进入并能够退出低功耗模式，但由于Discovery探索板上是采用机械按钮B1的唤醒（通过查看该探索板的原理图，可以发现B1连接到的是MCU的PA0引脚，WKUP引脚），基于机械按钮在按下或释放按钮的时候，电平变高或变低的时候，或存在坡度（按键的抖动和按键威廉希尔官方网站中电容的影响），这样不利于观察唤醒时间的读取，所以可以的操作是：1/去除B1按键相关的威廉希尔官方网站，比如电容等，使得与其相连的PA0引脚上面没有威廉希尔官方网站，这时候可以从外部引入发波的波形进入PA0。2/软件代码里配置其它的唤醒引脚输出脉冲用于唤醒；唤醒引脚上波形的上升沿用于唤醒低功耗模式；

唤醒后的第一条语句的执行
从前面的分析可以知道，STANDBY模式唤醒后是执行的复位操作，即对应于IAR项目程序中的Reset Handler。在Reset Handler中添加引脚状态的切换（由低变高，或由高变低），引脚边沿的变化即可理解为唤醒后开始执行第一条语句的时间；这里添加Reset Handler中的函数最好是汇编代码，如果是C语言代码的话，由于编译工具的优化，可能C语言的一句代码，成为汇编语言的话会变成好几条，这就会影响唤醒时间的测量。

如果仅仅为了了解测试方法简化使用，可以看到Reset_Hanlder执行的第一个函数是SystemInit，所以简化一点，可以在SystemInit函数的开始添加如下的代码用于判断唤醒后的第一条语句：

唤醒时间的计算
唤醒时间的测量，可以读取时间段= [唤醒引脚上波形的上升沿用于唤醒低功耗模式，引脚边沿的变化即可理解为唤醒后开始执行第一条语句的时间]，也就是两个跳动边沿的时间间隔。

实验结果：
黄色的波形代码的是唤醒引脚PA0上的上升沿，是用于将MCU从Standby模式下唤醒；

蓝色的波形代码的是，MCU从STANDBY模式唤醒后，执行的第一个语句翻转IO口，

可以看出，STANDBY模式唤醒的时间测试结果大致为：70us，快速唤醒，符合数据手册上的描述：

1.2 PWR_STOP模式
同样的操作步骤和上述STANDBY模式类似，只是通过参考手册表格我们可以知道，唤醒STOP模式主要用到的是外部中断事件，WKUP引脚不能唤醒了，唤醒后不是执行RESET服务，而是继续执行进入STOP模式后的下一条指令。

所以基于上述的分析：通过打开示例程序“…STM32Cube_FW_L0_V1.9.0ProjectsSTM32L053C8-DiscoveryExamplesPWR” 目录下的PWR_STOP项目，主要进行修改如下四个方面：

1/ 系统时钟初始化
修改测试的条件和数据手册中的条件一致，修改SystemClock_Config()函数，这里选取的是系统时钟SYSCLK = 32MHz，HCLK = 16MHZ = HSI；

2/ 测试端口的配置PB12
添加for testing部分的代码，配置PB12为EVENTOUT模式，事件输出模式，结合__SEV()指令，用于在PB12的引脚上输出一个脉冲，单周期指令；

3/STOP模式的进入

修改成如下的配置：
注意这里用到的PWR_STOPENTRY_WFE，而不是PWR_STOPENTRY_WFI，这样可以避免需要外部的中断事件唤醒处理等的时间，所以这里也可以发现在中断函数中，由于配置为外部中断，下面这个函数在原项目工程中不再起作用了。

也就是说PA0引脚被配置为GPIO_MODE_EVT_FALLING，外部事件模式，而不是外部中断模式。PA0的下降沿用于唤醒STOP模式。

4/唤醒后的第一条指令
修改HAL_PWR_EnterSTOPMode()函数，

只添加for testing部分的这一条__SEV()指令；用于唤醒后第一条执行指令也就是在PB12引脚上输出一个脉冲。

直接运行程序，

发现实验的结果为：

黄色波形为PA0的唤醒波形

蓝色波形为__SEV指令作用于PB12引脚的脉冲。

所以可以看出，STOP模式下唤醒的时间大约为5.2us，

数据手册中的数据为typ 4.9us，max 7 us，符合手册的说明要求。

二、总结
通过上述的两个示例可以看出，通常结合外部模式（外部中断模式External Interrupt Mode或外部事件模式External Event Mode）和__SEV()指令翻转GPIO口来测量低功耗模式下的唤醒时间测量。

由于外部事件模式不需要额外处理中断时间的特点，所以利用它，我们能够得到更精确的唤醒时间的测量，更适合用于唤醒后执行下一条命令的低功耗模式。

STM32L低功耗模式唤醒时间测量.pdf (524.56 KB, 下载次数: 28 )

王栋春 · 2018-7-27 13:01:25

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