该设计中的控制器是电压模式控制器。由于双极,功率级具有180度的相位下降。有必要加零以提高稳定性; 你可以通过增加一个与R E并联的电容(C E)来做到这一点。为了在相位裕度上增加45度,我将测得的振荡频率置于9.5kHz。当R E =1.18kΩ时,我添加了一个15nF电容。
图6:具有改善稳定性的软启动威廉希尔官方网站
图7显示了C E = 15nF 的启动波形。消除了振荡。总软启动时间为50ms。
图7:软启动波形,C E = 15nF
在软启动期间,典型的光耦二极管电流(I opto_D)为1.2mA至0.8mA。这由LM5025和光耦前向增益决定。当R E =1.18kΩ时,R SS两端的电压为V BE(ON) + R E ×0.8mA = 1.644V。VBE(on)= 0.7V。因此,您可以将I SS计算为I SS =(V BE(ON) + R E ×I opto_D)/ R SS。I SS / C SS设置输出V OUT,dv / dt。为了确保次级侧软启动的有效性,应将初级侧软启动设置为比次级侧软启动快得多。