[经验]

单片机GD32F205RCT6外扩SRAM

2018-9-18 14:03:15

4403 sram 单片机

GD32F205RCT6是基于Cortex M3内核32bit(位)通用型MUC产品，主频为120MHz, 片内闪存(Flash) 最大为256KB, RAM最大为128KB, 供电电压范围为2.6V-3.6V,内核的供电电压为1 .2V, l/O口可承受5V电平，内嵌实时时钟(RTC) 和2个看门狗(WDG)，集成了丰富的外设功能，这款单片机GD32F205RCT6面向工业和消费类嵌入式应用，适用于工业自动化、人机界面、电机控制、安防监控、智能家居家电及物联网等,
单片机GD32F205RCT6内置SRAM为128KB的内存，但在面对实际上的应用设计中，如果出现单片机内置SRAM内存不够的情况，大部分设计人员会考虑外扩SRAM，SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快，也不存在读写限制的问题，确实是考虑外扩内存的首选，但如果采用并口外扩内存需要较多的MCU管脚，给MCU无形中带来了更多功能性的限制，并且也并非大部分的MCU可以支持，如果采用串行SRAM作为单片机外扩的资源，相对来说更好，
串行SRAM只需要八个管脚，SOP-8的封装可以让PCBA减少一定的面板面积，GD32F205RCT6这款MCU是支持SPI接口的，并且有三个SPI，可以通过用SPI接口外扩串行SRAM对单片机进行内存的拓展。串行SRAM其实严格来说是一种伪静态SRAM，也有人叫做PSRAM, PSRAM - Pseudo SRAM是一种具有SRAM接口协议（无需刷新，无需DRAM控制器）、具有DRAM单管存储结构的存储器，比SRAM容量大很多，价格便宜很多，比SDRAM容易使用，功耗也低很多。不失为外扩单片机内存的一种解决方案。