请问光耦可控硅控制中的电阻作用是什么？

是双向可控硅的门极电阻,当可控硅灵敏度较高时,门极阻抗也很高,并上 330 可提高抗干扰能力。

预防MOC3041关断时的微弱漏电流而对可控硅产生的误触发。

330会不会太小了点，我一般都是用10K或者20K。

感谢上面几位的解释，我的疑虑如下：
双向可控硅的触发有4种情况，
T2(或称阳极)+    T1(或称阴极)-       G（或称触发极）+
T2(或称阳极)+    T1(或称阴极)-       G（或称触发极）-

T2(或称阳极)-    T1(或称阴极)+       G（或称触发极）+
T2(或称阳极)-    T1(或称阴极)+       G（或称触发极）-

也就是说，无论双向可控硅两端是交流电的正半轴，还是负半周，触发极都可以通过高和低两种情况进行触发，
根据这条原理，图中在MOC3041关断时，如果遇到T2(或称阳极)-    T1(或称阴极)+      正好满足 G（或称触发极）+
可控硅不是又触发了吗？也就是当MOC3041不工作时，双向可控硅会在负半周继续工作，相当于单向可控硅的功能了？？
不知道我的表达清楚了没有？

G的触发极性是相对于T1来说的。当3041关断时，其微小的漏电流被并联在G和T1间的电阻所旁路，使得其上面的电压很低----近似等于0，远小于触发所需的电压。所以根本不会发生触发，不管是正半周还是负半周。

终于搞明白了，“G的触发极性是相对于T1来说的”！
当交流负半周  即T1+ T2-时，G极和T1等电位，不高于T1，也不会低于T1（在3041关断时），所以，不会有我理解的那样，出现负半周工作的情况。
谢谢各位了。

提高抗干扰能力  防止误触发

我的360欧的电阻，为什么总烧毁呢？换成1w的也很热

楼上你这个电阻不是门级防止误触发的电阻

绝对官方回答：栅极电阻Rg仅在TRAIC或SCR的内部栅极阻抗较高时（敏感性栅极晶闸管就属于该情况）才是必须的。这些器件如果没有Rg,抗噪性能和热稳定性将会非常差。在该情况下，栅极电阻值的范围应当为100~500欧。电阻设计人员应当意识到，使用栅极电阻会增加所需的触发电流I(GT),因为Rg会吸走一部分的I(GT).栅极电阻与限流电阻R结合会造成零时刻与功率TRAIC触发时刻之间的非预期延迟或相移。

那这个电阻应该换为多大的合适呢 我用的470 做为水箱加热器的威廉希尔官方网站 也是直接烧了 1/4w的

哥的看法是关闭时放掉控制极的电流，同时，防止误触发

本帖最后由 qingcaodi128 于 2019-2-24 10:09 编辑

这个电阻是触发双向功率可控硅的限流电阻，其值由交流电网电压峰值及触发器输出端允许重复冲击电流决定！因为光耦里面封装的也是可控硅。