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选用了UTC6N10G，VGS(th) =1-3V ，驱动电压为5V，现在有两种方式 图1是把栅极电阻R1放在泄放电阻R2前，优点是不会对驱动电压造成分压，确保mos可靠开通，缺点暂时不知道。 图2是把栅极电阻R1放在泄放电阻R2后面，这样的缺点是会对驱动电压造成分压，栅极驱动电压只能到4.54V。 求大神帮分析下两种方式的优缺点，哪种更适合，另外这个栅极电阻取值是否太大，增加导通损耗，不过我们用了十几年这个值了，没啥问题，且mos不会经常动，偶尔才会动一下。 图一 
图二
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10个回答
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.那个10K的哪里是什么泄放电阻，别弄错概念了。这个电阻作用是在上电过程中，mos驱动状态不稳定，为了防止mos误动作。
2.mos驱动中，如果控制器要关闭mos管，是不是要把驱动信号拉低。驱动端为低，这个10K电阻是不是相当短路了。还有什么作用。 3.真正的加快泄放是在mos驱动电阻上反向并联一个二极管，在mos关闭时，通过二级管把驱动电阻短路，加速gs电容放电。 |
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图二的接法，猜测是有信号从G脚过来，需要进行分压，怕电压把MOS前级打死了
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一般R2都是放后面吧 放前面的还真没有看到过
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MOS管门极电阻一般都是1K，MOS管的姗源等效电阻比较大，开通时损耗较小。
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图2栅极怎么会造成分压呢？感觉图1栅极会被分压吧！是不是说反了
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图1跟图2搞反了吧？
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信号怎么可能从G极过来呢，除非mos管坏了。
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用图一：
1、可去除C1，MOS的G极一般不会出现对地电容；因为其最好是瞬间达饱和区，开关时间越快越好，而该电容会影响上电时间，很可能会让MOS发热； 2、P1线圈那里，最好反向接一个续流二极管，避免MOS开关给电感带来的瞬间高压损坏MOS； 3、开关速度还要继续加快的话，可以借鉴前面朋友的思路，R1反向并一个二极管。 |
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一楼说的基本是对的，有几个地方不认可，1.R2虽然不叫泄放电阻，但其有泄放电流的作用，功率型MOS其内部结电容较大，开关时下降沿很长，该电阻可减少信号下降沿；2.MOS管关断时G端电压是浮动的，加下拉电阻可稳定状态；3.MOS管对静电较为敏感，该电阻可以提高MOS管的ESD性能，通常在该处增加稳压管，其作用更多是为了ESD保护，和电压钳位，防止MOS管被电压击穿，不知道很多人说续流是怎么续流的；4.电阻R1通常放在R2前面，靠近MCU，主要作用保护MCU端口，虽与R2有分压，相比于其保护作用，分压可以忽略；5.图二的用法一般学生会这样用，虽没什么错误，但实际使用中不会这样用；6.电容C1就不说了
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为了快速放电，电容用PF级别，放电电阻靠近Nmos，电阻越小放电速度越快，担心电阻分压，串联电阻没有必要使用1k，Nmos输入高阻抗，这个电阻唯一存在的意义就是分压，处于安全考虑留一个串联电阻，配合寄生参数可以做一些控制信号的滤波
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为什么在频率为10^3 Hz处，产生的相移就可以确定约为-90度
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