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600V碳化硅二极管SIC SBD选型

2019-10-24 14:25:15 1214

0 海飞乐技术有限公司是一家以快速恢复二极管（FRD）、快恢复模块、超结MOSFET等新型功率半导体芯片及器件的设计、生产和销售为主营业务的高科技企业。公司快恢复二极管/模块产品广泛应用于变频空调、液晶电视、通信电源、计算机电源、太阳能电池、逆变电源、逆变焊机、等离子切割机、电磁加热、变频器、不间断电源、汽车电子、电动车控制器、充电器等领域，具有极其广阔的市场应用前景。海飞乐技术有限公司研发销售的快恢复二极管两种：采用先进的扩铂工艺生产的具有极低反向漏电、极短反向恢复时间和--的抗反向浪涌冲击能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料设计和生产的具有极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC半导体器件具有导通电阻小、阻断电压高、耐高温耐高压等优点。随着SiC基半导体工艺的成熟，SiC成为工作于较高环境温度和较大功率场合下的--宽禁带半导体材料。近年来随着电力电子技术在电动汽车、风力发电、柔性输电等新能源领域中应用的不断扩展，现代社会对电力电子变换器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在较高温度环境时仍具有更优越的开关性能以及更小的结温和结温波动。 SiC肖特基势垒二极管(SBD)在高频、高温、高功率及恶劣环境仍能正常工作，且具有良好的开关性能，在上述领域中有巨大的潜力。如在航空静止变流器中，作为前级变换器的桥式逆变器的副边采用SiC SBD，高温环境下仍然保持良好的反向恢复特性，能够提高高温环境下功率系统的效率。SiC SBD在常温下显示出优于Si基快速恢复二极管的动态特性:反向恢复时间短，反向恢复电流峰值小。 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2019-10-24 14:25:15　　评论淘帖0 举报相关推荐 • SIC碳化硅二极管 5006 • 碳化硅二极管选型表 1416 • 650V/1200V碳化硅肖特基二极管如何选型 2247 • SiC碳化硅二极管、SiC碳化硅肖特基势垒二极管常用规格介绍 2803 • 碳化硅二极管是什么意思碳化硅二极管如何测量好坏 2676 • 碳化硅二极管-碳化硅二极管应用及产品优势 1568 • 碳化硅(SiC)肖特基二极管的特点 6977 • SiC碳化硅二极管和SiC碳化硅MOSFET产业链介绍 2246 • SIC碳化硅SIC二极管器件的作用与发展趋势 1017 • 碳化硅肖特基二极管的原理及应用 3178