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，外部DI1开路的时候，光耦不发光，DIB1输入mcu高电平；外部DI1合闸接地GND-E的时候，光耦发光，DIB1低电平。在平常应用没问题，但是做抗扰度试验就不行了，DI1和GND-E加差模2.5kV，100KHz的阻尼振荡干扰信号，整个设备就死机了，请问哪里改进，增加抗扰度。 
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9个回答
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输入加ESD管子
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主要还是100KHz的阻尼振荡干扰信号引起的，需要串接电感电容消除回路中阻尼振荡干扰信号就能够正常工作。
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2020-3-25 10:39:15
评论
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2.5KV，100KHz，周期10us，你这个干扰能量还是比较大的，一般的ESD管干不下来，只能加TVS管，另外还可以加大回路电流和增加滤波电容提高抗干扰能力
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首先感觉R124=22K有点太大了，流过光耦的电流大概只有1ma；你的系统是经过光耦隔离的，所以说外部的扰动电压按道理来说不可能让这个设备死机，原因只有一个，那就是你的电源收到了干扰死机了，所以造成整个系统死机，解决这种实验不过的办法一般就是增加TVS管
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2020-3-25 11:56:02
评论
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R224以及R116选值不当
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如果你24V隔离，不会出这个问题
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断开24v点，将这个点与7，d8直接到被测的地，能够消除这个现象，高频高压本身对外会辐射，需要隔离降压再测量，效果会更好。
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