完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>
TI最近通过将两个FET纵向集成到一个单一封装中,将这一趋势归结为逻辑结论,在一个SON 5mm×6mm以上的功率模块中提供整个半桥。40V CSD88584Q5DC和60V CSD88599Q5DC采用与TI低电压功率块相同的堆叠管芯技术,用于高频电源应用,但采用优化的硅片,以减少大电流电机驱动应用的传导损耗。除最小化在PCB上并排两个FET带来的寄生电感外,纵向集成两个FET可在同一封装中容纳更多的硅,从而实现比分立QFN器件更高的功率密度。
这些器件还具有带裸露金属顶部的耐热增强型DualCool™封装。因此,尽管仍存在一些情况,即电动工具制造商可能更倾向于使用TO-220 FET来表面贴装FET,因为这些FET可安装在大型散热器上以将热量从PCB排出,但是这些功率模块采用QFN封装提供了同样的好处。例如,即使在最理想的热环境中,通常也不鼓励在典型的5mm×6mm的QFN中耗散3W以上的功率。但是通过适当地使用散热器,这些DualCool器件可以处理6W或更多的功耗,功率密度翻了一倍,而PCB占用面积减少了一半。 如今,在电动工具、园林工具及电池供电的家用电器中推出更受欢迎的BLDC电机时,功率密度就是游戏的代名词。TI新的功率模块解决方案可在前所未有的水平上实现这一目标。 |
|
|
|
只有小组成员才能发言,加入小组>>
小黑屋| 手机版| Archiver| 电子发烧友 ( 湘ICP备2023018690号 )
GMT+8, 2024-12-25 16:17 , Processed in 0.750955 second(s), Total 80, Slave 62 queries .
Powered by 电子发烧友网
© 2015 bbs.elecfans.com
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 (威廉希尔官方网站 图) 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证:合字B2-20210191 工商网监 湘ICP备2023018690号