L6585DE PFC和镇流器控制组合集成威廉希尔官方网站

电子

特征
PFC部分
–带过电流的过渡模式PFC
保护
–过电压保护
–反馈断开
–欠压锁定
–PFC扼流圈饱和检测
–THD优化器
半桥段
–预热和点火阶段
独立可编程
–3%振荡器精度
–1.2μs死区时间
–可编程和精确的寿命终止
保护符合所有镇流器
配置
–智能硬交换检测
–带扼流圈的快速点火电压控制
饱和检测
–半桥过流控制

电气特性
VCC=15 V，TA=25°C，CL=1 nF，COSC=470 pF，RRUN=47 kΩ，除非另有规定

1.跟踪中的参数
2.统计特性在-125°C的温度范围内相关性
3.脉冲串已发送至HBCS引脚，f=6 kHz；脉冲持续时间为注释中所示的“TON”
设备说明
L6585DE嵌入了高性能PFC控制器、镇流器控制器和所有制造电子镇流器所需的相关驱动程序。PFC部分实现在过渡模式下运行的电流模式控制，提供高线性倍增器包括一个THD优化器，允许极低的THD，甚至在大范围的输入电压和负载条件下。PFC输出电压由电压模式误差放大器和精确的内部电压基准。镇流器控制器为设计者提供了一个非常精确的振荡器，一个管理所有的逻辑
操作步骤和全套保护功能：
可编程寿命终止检测，符合灯对地和电容器对地配置
具有限流或扼流饱和保护的过流保护
硬交换事件检测
PFC（300毫安电源和600毫安接收器）和半桥（290毫安源和480毫安汇）也允许镇流器设计非常高的输出功率（高达160瓦）。

VCC部分
L6585DE通过在VCC引脚和GND引脚之间施加电压供电。欠电压锁定（UVLO）可防止IC在电源电压过低的情况下工作保证内部结构的正确行为。内部电压钳位将电压限制在17伏左右，可提供高达20毫安的电流。为这是因为它不能直接用作电荷泵的钳位（电流峰值通常为达到几百毫安），但可以很容易地在启动时使用，以便为VCC电容器或在保存模式下，以保持IC的活性，例如，连接通过VCA输入电阻。除了体积电容器（>1μF），建议放置100 nF陶瓷电容器靠近VCC引脚。
PFC部分
TM PFC操作
PFC阶段包含实现过渡模式PFC所需的所有特性控制器

由于高性能的误差放大器和非常精确的内部电压基准，将E/A的非逆变输入固定到2.52 V±2%。控制回路作出反应，使逆变输入达到相同的电压。连接高压轨至INV引脚，通过分压器，输出电压为容易设置。E/A的输出可用于用RC补偿控制回路网络，或者更常见的是，在INV和COMP引脚之间连接一个简单的电容器。E/A的输出电压也被馈送给乘法器。此块将波形倍增通过E/A的输出出现在多引脚上。产生的电压将用作电流感应输入的阈值。内部夹将阈值限制为最大值值等于1 V。图5给出了倍增器的特性曲线。

ZCD输入可以直接连接到PFC扼流圈的辅助绕组当扼流圈电流为零时，开启MOSFET。此销有内部卡箍高电流能力，使它能适应非常宽的输入电压范围。启动时，当PFC扼流圈未通电时，内部起动器向重复频率约为15千赫的PFC门驱动器。当电流达到阈值时关闭MOSFET并打开当扼流圈电流达到零时，一种三角形输入电流，其峰值为得到了由多电压调制的结果。用电源给MULT pin供电实现了功率因数校正和THD降低。
前缘下料
通常电流感应电压是通过RC网络过滤的，以避免错误由于与寄生漏极有关的放电电流而关闭MOSFETMOSFET导通时间开始时的电容。此筛选生成在实际的阈值交叉和输入触发之间的延迟。在此期间PFC电感器电流增加，扼流圈可能饱和。前沿空白结构使PFCC输入仅在PFG开启后200 ns（典型值）后激活。这个允许使用饱和电流较低的电感器。但是，如果发生饱和，则扼流圈饱和保护一旦引脚PFCC处的电压达到1.7V以上。

THD优化器功能
当输入电压通过零时，PFC扼流圈不能储存能量，因为它的电压很低。这可能导致严重的交叉失真和随后的THD降解。一个小的偏移电压叠加在MULT电压上可以降低这个问题。内部THD优化器提高了电源电压达到时的性能零；这减少了交叉失真并避免了偏移的引入。
过电压保护
可以检测到两种不同的过电压保护：动态过电压，通常是由于由于输入电压过大，负载快速过渡和静态过电压。
动态OVP
CTR引脚通过分压器连接到高压轨。如果电压在此引脚高于3.4 V，PFC栅极驱动器将停止，直到电压返回到低于门槛。这限制了扼流饱和和MOSFET损坏的风险。
静态OVP
稳定的过电压可能会导致两个PFC的异常行为（例如，因为输入电压高于PFC输出电压）和镇流器（例如过热、灯过电流，电容模式工作点）。稳定的过电压会导致补偿销向低饱和（约2.25 V）过渡。事实是L6585DE认为是静态过电压事件，启动Tch循环。在这个循环之后，如果COMP引脚饱和低，则IC被锁定在低消耗状态
模式。
禁用L6585DE
CTR引脚可用于在不断开电源的情况下关闭IC。当CTR为拉到0.75 V以下，IC停止，内部逻辑复位。当CTR解除时，IC从新的预热顺序开始。此功能仅在IC不可用时可用由于故障保护干预而锁定。
保护反馈断开
非常快的输出电压浪涌可能会损坏分压器的上部电阻器输入INV引脚，导致反馈断开。在这种情况下，E/A饱和很高PFC栅极驱动可以长时间开启MOSFET（电流感应阈值假设其最大值等于1 V），扼流圈可能饱和，从而破坏MOSFET。输出电压增长很快，即使过电压过电压也可能达到很高的值触发。如果VINV<1.2 V且触发动态过电压保护，则激活反馈断开保护。
PFC过流保护
在PFC扼流圈饱和或来自输入端的浪涌，由于MOSFET体二极管的击穿。后一种情况是观察到PFC输出的过电压。在这两种情况下，PFC阶段停止，而HB阶段继续切换。这个保护未锁定：一旦PFCC降至1.7 V以下，PFC驱动器重新启动。
道碴断面
半桥驱动器和集成自举二极管
半桥驱动器能够提供290毫安源电流和480毫安汇电流。这使得他们能够有效地驱动大的MOSFETs Cg高达2.2nf。高边MOSFET是采用自举结构驱动，减少了外部组件的数量。
正常启动说明
参考图7，正常启动过程如下：

1.启动：一旦Vcc达到启动阈值，电压参考值就建立起来，RF和EOLP引脚偏置，EOI引脚被拉下，TCH引脚启动源电流为31μA。半桥的频率由内部CCO产生，接COSC，用射频电流作为控制信号。使用EOI引脚拉低，启动频率将由于电流与RPRE和RRUN（见典型应用图）。
2.预热：TCH引脚继续供电31μA，直到电压达到4.63 V，因此它处于高阻抗状态。因为这个销装了一个RC平行线网络，这个引脚上的电压呈指数下降。当电压达到1.5 V时TCH引脚被拉下，预热时间结束。在此过程中，EOI引脚下拉，半桥频率为启动频率。边缘消隐在这段时间内处于活动状态，以避免检测到硬开关事件，在这个阶段非常常见。
3.点火：在TCH循环结束时，EOI引脚在高阻抗模式下保持空闲。因此，连接在EOI和地面之间的电容器通过射频进行充电RPRE。射频管脚产生的电流呈指数下降，频率和它一起。开关频率的指数下降导致线性增加指示灯电压。当灯电压达到冲击值时，灯点火。点火时间由RPRE和CIGN的值设置。点火电流控制保护、抗镇流器扼流饱和保护和前缘消隐全部激活。

4.运行模式：当EOI电压达到1.9V时，IC进入运行模式，并且开关频率仅由RRUN设置。电流控制保护和抗镇流器扼流圈饱和现在激活，阈值较低，前缘消隐无效激活并激活快速硬开关检测器。

振荡器特性曲线表示半桥频率与
射频引脚和接地之间的电阻R。在预热过程中，R等于RRUN in与RPRE并行，而在运行模式R等于RRUN。每条曲线都与COSC电容器和的值如图10所示。COSC值在引脚1（OSC）和15（GND）之间测量；对于其他电容器数值请参考AN2870。在预热和运行模式下，R的正确值可以通过图形方式找到与所选电容器和分别为FPRE和FRUN的曲线

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