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随着科学技术的发展、新制备工艺的出现,高导热陶瓷材料作为新型电子封装基板材料,应用前景十分广阔。随着芯片输入功率的不断提高,大耗散功率带来的大发热量给封装材料提出了更新、更高的要求。
封装基板是连接内外散热通路的重要环节,兼有散热通道、威廉希尔官方网站 连接和对芯片进行物理支撑的功能。陶瓷PCB以其优良的性能和逐渐降低的价格,在众多电子封装材料中显示出很强的竞争力,是未来功率型芯片封装发展的趋势。 对高功率产品来讲,其封装基板要求具有高电绝缘性、高导热性、与芯片匹配的热膨胀系数等特性。使用陶瓷威廉希尔官方网站 板可以有效的延长产品寿命,节约空间,做到产品的小型化,节能环保也是陶瓷基板的一大优点,现在市场上使用比较普遍的是氧化铝(Al2O3) 陶瓷,氮化铝(AlN)陶瓷。 氧化铝(Al2O3) 陶瓷呈白色,热导率为20 W/(m-K) 30 W/(mK), 25°C~200°C温度范围内热膨胀系数为7.0 x 10-6/°C ~8.0 x 10-6/°C,弹性模量约为300 GPa,抗弯强度为300 MPa 400 MPa,介电常数为10,根据AI2O3粉料与添加剂的不同含量,可将AI2O3陶瓷分为75瓷、85瓷、96瓷、99瓷等不同牌号。氧化铝陶瓷具有原料来源丰富、价格低廉、绝缘性高、耐热冲击、抗化学腐蚀及机械强度高等 优点,是一种综合性能较好的陶瓷基片材料,占陶瓷基片材料总量的80%以上。但由于其热导率相对较低(99%氧化铝热导率约为30 W/(m-K),热膨胀系数较高,一般应用在汽车电子、半导体照明、 电气设备等领域。 氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的热学、电学和力学性能。 氮化铝材料呈灰白色,陶瓷理论热导率可达 320 W/(mK),其商用产品热导率一般为180 W/(m-K)~ 260 W/(m-K),25°C ~200°C温度范围内热膨胀系数为4 x 10-6/°C (与Si和GaAs等半导体芯片材料基本匹配),弹性模量为310GPa,抗弯强度为300MPa~340MPa,介电常数为8~10。 氮化铝陶瓷热导率为氧化铝陶瓷的6~8倍,但热膨胀系数只有其50%,此外还具有绝缘强度高、介电常数低、耐腐蚀性好等优势。除了成本较高外,氮化铝陶瓷综合性能均优于氧化铝陶瓷,是一种非常理想的电子封装基片材料。 社会的智能发展缺不了硬件支持,斯利通依靠品质过硬的产品和服务积累了数量可观的客户,陶瓷线路板的投入,将造福人们并为彻底改变人们的日常生活。尽管你可能不了解它,但是他在我们的生活中无处不在,陶瓷PCB不仅让我们的生活更轻松,还让我们的生活更智能和创新。 |
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