32768晶振要求配15pF电容吗?
认真的说,这是一个经常出现的设计误区,包括网上很多关于32768晶振的问答。
我读书时(忽略我的年纪)也确实这样做的:去电子市场买来32768晶振,参照别人的原理图配上15pF,22pf的电容就直接用。现在来看,这只是入门级的经验值而已。
比如,同样是日本KDS品牌的2*6封装的32768晶振,就有两种负载电容:
DT-26 32.768kHz 6PF 10PPM
DT-26 32.768kHz 12.5PF 10PPM
负载电容(英文符号CL或者CLoad)是2部分构成的:一部分是焊接的物料/实际电容,另一部分是PCB走线、焊盘引起的寄生电容/杂散电容Cstray (一般2-5pF)。
至此,已经解决了一部分人的疑惑:哦,原来晶振datasheet中的负载电容参数,并不是我要贴的电容值。
计算公式和图示如下:
你也许会有疑问:我用的MCU原厂提供的参考设计,根本就没有图中的RD和RF。
是的!没错!RD在目前流行的MCU中很少见。RF有少部分MCU或者IC还在用。
振荡波形发生畸变、削峰时,可使用RD(几十K到几百K)。
RF常见采用1M欧姆,一般参照IC的datasheet,跟IC设计/内部驱动有关。
问题来了:我见过有的单片机接了32768晶振,但是没接负载电容的,是有这种情况吗?
答案是肯定的,因为有的IC可以配置选用内部的负载电容,比如Ti的MSP430x2xxx系列,内部配备了1pF,6pF,10pF,12.5pF四档负载电容可选。
32768晶振要求配15pF电容吗?
认真的说,这是一个经常出现的设计误区,包括网上很多关于32768晶振的问答。
我读书时(忽略我的年纪)也确实这样做的:去电子市场买来32768晶振,参照别人的原理图配上15pF,22pf的电容就直接用。现在来看,这只是入门级的经验值而已。
比如,同样是日本KDS品牌的2*6封装的32768晶振,就有两种负载电容:
DT-26 32.768kHz 6PF 10PPM
DT-26 32.768kHz 12.5PF 10PPM
负载电容(英文符号CL或者CLoad)是2部分构成的:一部分是焊接的物料/实际电容,另一部分是PCB走线、焊盘引起的寄生电容/杂散电容Cstray (一般2-5pF)。
至此,已经解决了一部分人的疑惑:哦,原来晶振datasheet中的负载电容参数,并不是我要贴的电容值。
计算公式和图示如下:
你也许会有疑问:我用的MCU原厂提供的参考设计,根本就没有图中的RD和RF。
是的!没错!RD在目前流行的MCU中很少见。RF有少部分MCU或者IC还在用。
振荡波形发生畸变、削峰时,可使用RD(几十K到几百K)。
RF常见采用1M欧姆,一般参照IC的datasheet,跟IC设计/内部驱动有关。
问题来了:我见过有的单片机接了32768晶振,但是没接负载电容的,是有这种情况吗?
答案是肯定的,因为有的IC可以配置选用内部的负载电容,比如Ti的MSP430x2xxx系列,内部配备了1pF,6pF,10pF,12.5pF四档负载电容可选。
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