MOSFET的驱动技术
■MOS虽然是电压型驱动,但是由于寄生电容的存在,必须要求驱动威廉希尔官方网站
提供一定的驱动电流。
■较小的驱动电流,会导致MOS的GS电压上升缓慢,降低了开关速度,提高了开关损耗。
■米勒电容Cgd
■米勒电容虽然看起来很小,但是对驱动的影响很大,特别在VDS比较高的场合。但是在ZVS和同步整流等应用中,由于VDS会在驱动上来之前,下降到零,就不存在这个问题。
■上面的例子定义驱动能力为峰值电流(在特定条件下)
■有些厂商就用内阻来定义驱动能力。
■当IC本身的驱动能力不足的时候,就需要外加驱动威廉希尔官方网站
来增强驱动能力,以达到快速开关MOS的需求
■1.采用分立器件,比如图腾柱。
■2.采用集成的驱动IC.
■MOSFET的低端(low side)驱动:
■所谓低端驱动,就是驱动威廉希尔官方网站
的参考地,就是MOS的S端。
■低端驱动,威廉希尔官方网站
往往比较简单,除了驱动能力之外,还是需要注意一些细节。
■MOSFET的高端(High Side)驱动
■很多情况下,MOSFET的S极并不是IC的参考地,比如BUCK开关管,桥式威廉希尔官方网站
的上管……
■自举驱动,利用自举威廉希尔官方网站
,自动抬升供电电压。自举的驱动芯片种类很多,但是需要注意其耐压。
■对于二极管整流的buck,自举驱动需要注意的问题。
■利用变压器隔离驱动:
■对于浮地的MOS,或者和IC隔离的MOS,通常可以采用变压器隔离驱动
■变压器隔离驱动的关键:
■变压器隔离驱动关键考虑的问题,就是变压器的复位,比较常用是利用隔直电容来复位,但是需要注意的是,采用隔直电容之后,有可能变压器传递的电压幅度和占空比有关。需要考虑变压器的变比。
■对于跨初次级的驱动变压器,还需要考虑其耐压的问题。
■利用简单倍压威廉希尔官方网站
来抬升驱动电压。
■下图的驱动威廉希尔官方网站
,可以传递大占空比的驱动信号,而且可以让驱动电压不下降。
■隔直电容带来的问题:
■由于隔直电容会储存能量,所以在驱动消失之后,隔直电容会和变压器产生谐振,导致驱动威廉希尔官方网站
传递错误的驱动信号。
■为了降低这个问题的影响。可以利用这些电阻来阻尼这个震荡。
■对具有隔直电容的驱动威廉希尔官方网站
,有些IC会植入soft stop的功能:在关机时候,让驱动的占空比逐渐降低到0.
■为了避免这个隔直电容带来的问题,可以采用无电容的变压器驱动威廉希尔官方网站
。
■如果用IC直接驱动变压器,那么需要注意:
■同步整流驱动,需要注意逻辑的问题
■同步整流2个管子的驱动关系为互补,但是当主管长时间关断的时候,整流管就会出现长时间导通的情况。
■所以在关机的时候,不能简单的把主管驱动信号置低,而要同时把整流管的驱动信号也置低。
■MOS的并联驱动,并联驱动要尽量保证每个管子的驱动线对称。
MOSFET的驱动技术
■MOS虽然是电压型驱动,但是由于寄生电容的存在,必须要求驱动威廉希尔官方网站
提供一定的驱动电流。
■较小的驱动电流,会导致MOS的GS电压上升缓慢,降低了开关速度,提高了开关损耗。
■米勒电容Cgd
■米勒电容虽然看起来很小,但是对驱动的影响很大,特别在VDS比较高的场合。但是在ZVS和同步整流等应用中,由于VDS会在驱动上来之前,下降到零,就不存在这个问题。
■上面的例子定义驱动能力为峰值电流(在特定条件下)
■有些厂商就用内阻来定义驱动能力。
■当IC本身的驱动能力不足的时候,就需要外加驱动威廉希尔官方网站
来增强驱动能力,以达到快速开关MOS的需求
■1.采用分立器件,比如图腾柱。
■2.采用集成的驱动IC.
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■所谓低端驱动,就是驱动威廉希尔官方网站
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的上管……
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■对于二极管整流的buck,自举驱动需要注意的问题。
■利用变压器隔离驱动:
■对于浮地的MOS,或者和IC隔离的MOS,通常可以采用变压器隔离驱动
■变压器隔离驱动的关键:
■变压器隔离驱动关键考虑的问题,就是变压器的复位,比较常用是利用隔直电容来复位,但是需要注意的是,采用隔直电容之后,有可能变压器传递的电压幅度和占空比有关。需要考虑变压器的变比。
■对于跨初次级的驱动变压器,还需要考虑其耐压的问题。
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■由于隔直电容会储存能量,所以在驱动消失之后,隔直电容会和变压器产生谐振,导致驱动威廉希尔官方网站
传递错误的驱动信号。
■为了降低这个问题的影响。可以利用这些电阻来阻尼这个震荡。
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,有些IC会植入soft stop的功能:在关机时候,让驱动的占空比逐渐降低到0.
■为了避免这个隔直电容带来的问题,可以采用无电容的变压器驱动威廉希尔官方网站
。
■如果用IC直接驱动变压器,那么需要注意:
■同步整流驱动,需要注意逻辑的问题
■同步整流2个管子的驱动关系为互补,但是当主管长时间关断的时候,整流管就会出现长时间导通的情况。
■所以在关机的时候,不能简单的把主管驱动信号置低,而要同时把整流管的驱动信号也置低。
■MOS的并联驱动,并联驱动要尽量保证每个管子的驱动线对称。
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