碳化硅器件的特点是什么

　　功率器件要求
　　功率半导体器件作为功率变换系统的核心器件，目前应用最多的仍旧是 IGBT，在很多时候还需要搭配合适的反向并联二极管。任何情况下，功率器件都是在“导通”和“截止”两个状态之间切换，类似于集成威廉希尔官方网站 中的逻辑器件，通过切换来达到电力转换的需求，切换频率一般在 1kHz~100kHz 的范围内。
　　在功率转换系统中，比如说逆变威廉希尔官方网站 ，我们都希望开关器件的导通和截止状态下都是理想的，即导通状态下电压为零；在截止状态下，漏电流为零（击穿电压无限大）。这显然是不可能的，实际的器件表现出有限的电阻和有限的漏电流（以及击穿电压存在最大值的限制），这也是导通损耗和关断损耗的主要原因。另外，在开关的过程中的瞬态行为都会存在开关损耗。
　　下图是开关器件以及二极管的理想状态和实际状态的对比图：
　　
　　现实与理想的差异，对于功率器件的主要要求包括：
　　✦低导通电压（低导通电阻）
　　✦低漏电流
　　✦能够以最小的电流 / 电压进行快速切换
　　这些与导通损耗、关断损耗和开关损耗有着直接的关系。除此之外，
　　✦较大的安全工作区域（鲁棒性）和可靠性也是极为重要！
　　而在这些方面，SiC 表现出了巨大的发展潜力。
　　电场强度、导通电阻
　　下图是相同击穿电压下SiC 和 Si 的单侧突变结中的电场分布：
　　
　　可见，SiC的击穿电场强度是 Si 的 10 倍左右，所以 SiC 功率器件中的电压阻挡层的厚度可以是 Si 器件中的 1/10。并且其掺杂浓度也可以高出两个数量级，因此在任何给定的阻断电压下，SiC 代替 Si 的单极器件中可以将漂移层的电阻降低 2~3 个数量级。
　　这一特点对于高压场合显得尤为重要，漂移层电阻 Rdrift 与阻断电压 VB 的（2~2.5，这个系数需要综合考虑来确定）成比例，并且也是觉得器件总导通电阻 Ron 的主要因素。
　　没有内置电压的功率器件的导通损耗 Pon，由 Ron*J²on 决定，其中 Jon 是导通电流密度（在额定电流下一般为 100~300A/cm²）。因此，SiC 器件极低的抗漂移性有助于降低导通损耗。
　　下图是 Si 和 SiC 单极器件的最小导通电阻（漂移层电阻）相对于阻断电压的曲线：
　　
　　最小导通电阻我们可以由下式得出：
　　Rdrift=4VB²/（ηεμEB³）
　　其中，ε、μ和 EB 分别是介电常数、迁移率和击穿场强；η是室温下掺杂剂的电离率（“2 次方”是上文提到的系数）。
　　在轻掺杂的 n 型 SiC 中，由于氮供体相对较浅，η约为 0.85~1.0。这对于宽带隙半导体尤为重要，在宽带隙半导体中经常会观察到掺杂剂的不完全电离，实际上，由于室温下铝受体的空穴迁移率较低并且离子化率小，所以 p 型 SiC 肖特基二极管和功率 MOS 无法与 Si 基竞争。
　　“快速”切换
　　SiC 功率器件的另一个重要特点就是快速切换，反向恢复小，能够满足更高的频率。中高压应用中，Si 基的双极型器件通过少数载流子的注入，电导率调制能够显著的降低导通电阻。但是，双极型器件存在少数载流子存储的原因，导致开关速度较慢以及关断操作中的反向恢复大。而，这些应用中，SiC 单极器件由于导通电阻很低并且不存在少数载流子存储，可以成为较理想的选择。SiC 双极型器件也可以提供快速切换，因为电压阻挡区的厚度薄了约 10 倍（上面提到过），与 Si 的双极型器件相比，该区域中存储的电荷相应地小了约 10 倍。
　　高结温和工艺技术
　　由于带隙宽和化学稳定性，使用 SiC 器件的设备可以在高温（＞250℃）下运行，这一点在当下的应用中无疑十分吸引人，更高的温度上限可以优化散热装置，而 SiC 器件本身甚至可以在 500℃或更高的温度下运行。
　　而封装技术是 SiC 功率器件发展的另一个重要问题。
　　比如，由于掺杂剂在 SiC 中极小的扩散常数，通过扩散工艺进行杂质掺杂很难实现，所以一般通过外延生长或者离子注入来进行掺杂；
　　在 SiC 中，即使在高温活化退火之后，高密度的深能级和扩展的缺陷仍保留在离子注入区以及注入尾部内，这导致注入结附近的载流子寿命很短（＜0.1us），这不利于双极型器件，所以有效的载流子注入和扩散是必不可少的。
　　所以，SiC 双极型器件中的 pn 结仅通过外延生长来制造，但是对于制造 SBD 和MOSFET 之类的 SiC 单极器件，由于其通过注入结可以获得几乎理想的击穿特性，并且单极器件的正常工作中并不涉及载流子注入，所以离子注入比较有用。
　　（掺杂等可以查看之前的推送）
　　更高的电压等级
　　下图是 Si 基和 SiC 基的单极 / 双极型功率器件的电压等级分布：
　　
　　对于 Si 基功率器件，单极和双极器件的分界线在 300~600V，而在 SiC 功率器件中，这个边界向后移动了大约 10 倍的阻断电压，即几 kV。预计 SiC 将在 300V~6500V 的阻断电压范围内替代 Si 的双极型器件，并且 SiC 的双极型器件在 10kV 以上的超高压应用中也是“魅”不可挡。
　　可见，SiC 的发展不仅在于其本身的特性，还在于外部因素的适配。当然，随着时间的推移，这些都将会逐一解决！

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