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扩展存储器读写实验
一。实验要求 编制简单程序,对实验板上提供的外部存贮器(62256)进行读写操作。 二。实验目的 1.学习片外存储器扩展方法。 2.学习数据存储器不同的读写方法。 三。实验威廉希尔官方网站 及连线 将P1.0接至L1。CS256连GND孔。 四。实验说明 1.单片机系统中,对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。用户藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序的方法。 用户编程可以参考示例程序和流程框图。本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行读写操作,并比较读写结果是否一致。不一致则说明读写操作不可靠或该存储器单元不可靠,程序转入出错处理代码段(本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错)。读写数据的选用,本例采用的是55(0101,0101)与AA(1010,1010)。一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等,在实际调试用户威廉希尔官方网站 时非常有效。 用户调试该程序时,可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法,来观察程序执行的流程和各中间变量的值。 2.在I状态下执行MEM1程序,对实验机数据进行读写,若L1灯亮说明RAM读写正常。 3.也可进入LCA51的调试工具菜单中的对话窗口,用监控命令方式读写RAM,在I状态执行SX0000↓ 55,SPACE, 屏幕上应显示55,再键入AA,SPACE,屏幕上也应显示AA,以上过程执行效果与编程执行效果完全相同。 注:SX是实验机对外部数据空间读写命令。 4.本例中,62256片选接地时,存储器空间为0000~7FFFH。 五。实验程序框图 实验示例程序流程框图如下: 六。实验源程序: ORG 0000H LJMP START ORG 0040H START: MOV SP,#60H MOV DPTR,#0000H ;置外部RAM读写地址 MOV A,#55H ;测试的数据一 MOV B,A MOVX @DPTR,A ;写外部RAM MOVX A,@DPTR ;读外部RAM XRL A,B ;比较读回的数据 JNZ ERROR MOV A,#0AAH ;测试的数据二 MOV B,A MOVX @DPTR,A MOVX A,@DPTR XRL A,B JZ PASS ;测试通过 ERROR: SETB P1.0 ;测试失败,点亮LED SJMP $ PASS: CPL P1.0 ;LED状态(亮/灭)转换 MOV R1,#00H ;延时 DELAY: MOV R2,#00H DJNZ R2,$ DJNZ R1,DELAY LJMP START ;循环测试 END |
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