[问答]

电压型缓启动威廉希尔官方网站的工作原理是什么？主要的作用是什么？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 什么是热插拔？热插拔对电子系统的影响有哪几方面？缓启动威廉希尔官方网站的工作原理是什么？缓启动威廉希尔官方网站主要的作用是什么？ 0
2021-7-20 06:07:50　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × uwuefsdf 该类别下有 5 个回答。邀请回答 60user48 该类别下有 5 个回答。邀请回答 billbian 该类别下有 5 个回答。邀请回答 Elva_chen 该类别下有 5 个回答。邀请回答 cmh25 该类别下有 5 个回答。邀请回答风动影随该类别下有 5 个回答。邀请回答 dechun28448 该类别下有 4 个回答。邀请回答 huhuiyun 该类别下有 4 个回答。邀请回答 freedom0zh 该类别下有 4 个回答。邀请回答 60user106 该类别下有 4 个回答。邀请回答 h1654155602.2407 该类别下有 4 个回答。邀请回答 sdgsgsgs 该类别下有 4 个回答。邀请回答 qa110 该类别下有 4 个回答。邀请回答梅子74 该类别下有 4 个回答。邀请回答蟹蟹蟹蟹该类别下有 4 个回答。邀请回答 tozhyan 该类别下有 4 个回答。邀请回答 zkzk196599 该类别下有 4 个回答。邀请回答 hvyweyrrwwrr 该类别下有 4 个回答。邀请回答 Oo一笑该类别下有 4 个回答。邀请回答 kingnet_52001 该类别下有 3 个回答。邀请回答举报 douyin8 相关推荐 • 请问复位威廉希尔官方网站的作用是什么？ 3162 • 请问这个OP威廉希尔官方网站的工作原理及作用? 6911 • 磁保持继电器的工作原理和作用是什么？ 2293 • 逆变威廉希尔官方网站的基本工作原理是什么？ 19740 • 请教一个缓启动威廉希尔官方网站问题 6678 • 请教高手看看这个电源威廉希尔官方网站的工作原理，启动和关闭的过程，元件的作用？ 2168 • 请问缓启动威廉希尔官方网站总是烧MOS管是什么原因？ 10737 • labview测试缓启动 3699 • 求大佬分享RM的A型开发板中过压保护/反接保护/缓启动保护一体威廉希尔官方网站 2082 • 请教如何使缓启动威廉希尔官方网站输入为0的时候输出也为0？ 2738 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 现在大多数电子系统都要支持热插拔功能，所谓热插拔，也就是在系统正常工作时，带电对系统的某个单元进行插拔操作，且不对系统产生任何影响。热插拔对系统的影响主要有两方面：其一，热插拔时，连接器的机械触点在接触瞬间会出现弹跳，引起电源振荡，如下图所示：这个振荡过程会引起系统电源跌落，引起误码，或系统重启，也可能会引起连接器打火，引发火灾。解决的办法就是延迟连接器的通电时间，在连接器抖动的那十几毫秒内（（t1至t2）不给连接器通电，等插入稳定后（t2后）再通电，即防抖动延时。其二，热插拔时，由于系统大容量储能电容的充电效应，系统中会出现很大的冲击电流，大家都知道，电容在充电时，电流呈指数趋势下降（左下图），所以在刚开始充电的时候，其冲击电流是非常大的。此冲击电流可能会烧毁设备电源保险管，所以在热插拔时必须对冲击电流进行控制，使其按理想的趋势变化，如右上图所示，图中0~t1为电源缓启动时间。综上所述，缓启动威廉希尔官方网站主要的作用是实现两项功能： 1）。防抖动延时上电； 2）。控制输入电流的上升斜率和幅值。缓启动威廉希尔官方网站有两种类型：电压斜率型和电流斜率型。电压斜率型缓启动威廉希尔官方网站结构简单，但是其输出电流的变化受负载阻抗的影响较大，而电流斜率型缓启动威廉希尔官方网站的出电流变化不受负载影响，但是威廉希尔官方网站结构复杂。下面重点介绍电压型缓启动威廉希尔官方网站。设计中通常使用MOS管来设计缓启动威廉希尔官方网站的。MOS管有导通阻抗Rds低和驱动简单的特点，在周围加上少量元器件就可以构成缓慢启动威廉希尔官方网站。通常情况下，在正电源中用PMOS，在负电源中使用NMOS。下图是用NMOS搭建的一个-48V电源缓启动威廉希尔官方网站，我们来分析下缓启动威廉希尔官方网站的工作原理。 1）.D1是嵌位二极管，防止输入电压过大损坏后级威廉希尔官方网站； 2）.R2和C1的作用是实现防抖动延时功能，实际应用中R2一般选20K欧姆，C1选4.7uF左右； 3）.R1的作用是给C1提供一个快速放电通道，要求R1的分压值大于D3的稳压值，实际应用中，R1一般选10K左右； 4）.R3和C2用来控制上电电流的上升斜率，实际应用中，R3一般选200K欧姆左右，C2取值为10 nF~100nF； 5）.R4和R5的作用是防止MOS管自激振荡，要求R4、R5lt;《R3，R4取值一般为10～50欧姆之间，R5一般为2K欧姆； 6）。嵌位二极管D3的作用是保护MOS管Q1的栅-源极不被高压击穿；D2的作用是在MOS管导通后对R2、C1构成的防抖动延时威廉希尔官方网站和R3、C2构成的上电斜率控制威廉希尔官方网站进行隔离，防止MOS栅极充电过程受C1的影响。下面来分析下该威廉希尔官方网站的缓启动原理：假设MOS管Q1的栅-源极间的寄生电容为Cgs，栅-漏极间的寄生电容为Cgd，漏-源极间的寄生电容为Cds，栅-漏极外部并联了电容C2 （C2gt;》Cgd），所以栅-漏极的总电容C’gd=C2+ Cgd，由于相对于C2 来说，Cgd的容值几乎可忽略不计，所以C’gd≈C2，MOS管栅极的开启电压为Vth，正常工作时，MOS管栅源电压为Vw（此电压等于稳压管D3的嵌位电压），电容C1充电的时间常数t=（R1//R2//R3）C1，由于R3通常比R1、R2大很多，所以t≈（R1//R2）C1。下面分三个阶段来分析上述电压缓启动威廉希尔官方网站的工作原理：第一阶段：-48V电源对C1充电，充电公式如下。 Uc＝48R1/（R1+R2）［1-exp（-T/t）］，其中T是电容C1电压上升到Uc的时间，时间常数t＝（R1//R2）C1。所以，从上电到MOS管开启所需要的时间为：Tth=-tln［1-（Uc（R1+R2）/（48R1））］第二阶段：MOS管开启后，漏极电流开始增大，其变化速度跟MOS管的跨导和栅源电压变化率成正比，具体关系为：dIdrain/dt = gfm dVgs/dt，其中gfm为MOS管的跨导，是一个固定值，Idrain为漏极电流，Vgs为MOS管的栅源电压，此期间体现为栅源电压对漏源电流的恒定控制，MOS管被归纳为压控型器件也是由此而来的。第三阶段：当漏源电流Idrain达到最大负载电流时，漏源电压也达到饱和，同时，栅源电压进入平台期，设电压幅度为Vplt。由于这段时间内漏源电流Ids保持恒定，栅源电压Vplt=Vth+（Ids/gfm），同时，由于固定的栅源电压使栅极电流全部通过反馈电容C’gd，则栅极电流为Ig=（Vw-Vplt）/（R3+R5），由于R5相对于R3可以忽略不计，所以Ig≈（Vw-Vplt）/R3。因为栅极电流Ig≈Icgd，所以，Icgd=CgddVgd/dt。由于栅源电压在这段时间内保持恒定，所以栅源电压和漏源电压的变化率相等。故有：dVds/dt=dVgd/dt=（Vw-Vplt）/（R3C2）。由此公式可以得知，漏源电压变化斜率与R3C2的值有关，对于负载恒定的系统，只要控制住R3*C2的值，就能控制住热插拔冲击电流的上升斜率。缓启动阶段，栅源电压Vgs，漏源电压Vds和漏源电流Ids的变化示意图如下所示。在0~t1阶段，肖特基二极管D2尚未开启，所以Vgs等于0，在这段时间内，-48V电源通过R3、R5对C2充电，等C2的电压升高到D2的开启电压，MOS管的栅极电压开始升高，等栅源电压升高到MOS管的开启电压Vth时，MOS管导通，漏源电流Ids开始增大，等MOS管的栅源电压升高到平台电压Vplt时，漏源电流Ids也达到最大，此时，漏源电压Vds进入饱和，开始下降，平台电压Vplt结束时，MOS管完全导通，漏源电压降到最低，MOS管的导通电阻Rds最小。

2021-7-20 15:00:23 评论举报汤敏树