这种电流的快速关断——从 50 A（过流）到 0 A（保护关断）——可以在几十纳秒内发生，并导致大电流瞬变 (di/dt)，如公式 1 所示：
该电流将作为能量被困在输入端的走线或导线电感中。尽管走线电感可能很低，约为 10 nH，但仍会根据公式 2 在热插拔控制器的输入端产生浪涌：
-50V 浪涌将与输入电源串联，并有效地在输入轨上产生一个正电压尖峰，通常会超过热插拔控制器 IC或金属氧化物半导体场效应晶体管的额定电压（ MOSFET) 漏源电压 (V DS )（见图 1）。为防止出现这种电压浪涌，您可以在输入端放置一个 TVS，将电感中的能量直接转移到地。TVS 的最佳放置将在输入上的任何串联电感之后（例如在保险丝之后）。
图 1：热插拔控制器关闭后的感应反冲。在正常操作期间，电感器两端的电压 V L之前为 0 V；快速电流关断后，VL 等于 50 V 并将串联添加到输入电源
这种电流的快速关断——从 50 A（过流）到 0 A（保护关断）——可以在几十纳秒内发生，并导致大电流瞬变 (di/dt)，如公式 1 所示：
该电流将作为能量被困在输入端的走线或导线电感中。尽管走线电感可能很低，约为 10 nH，但仍会根据公式 2 在热插拔控制器的输入端产生浪涌：
-50V 浪涌将与输入电源串联，并有效地在输入轨上产生一个正电压尖峰，通常会超过热插拔控制器 IC或金属氧化物半导体场效应晶体管的额定电压（ MOSFET) 漏源电压 (V DS )（见图 1）。为防止出现这种电压浪涌，您可以在输入端放置一个 TVS，将电感中的能量直接转移到地。TVS 的最佳放置将在输入上的任何串联电感之后（例如在保险丝之后）。
图 1：热插拔控制器关闭后的感应反冲。在正常操作期间，电感器两端的电压 V L之前为 0 V；快速电流关断后，VL 等于 50 V 并将串联添加到输入电源
举报
举报
