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图如下： 设计的思想是，当CH_5.2V有5.2V电压时，Q7导通，Q6产生UGS压差，从而使Q6导通，VBUS处电压5.2V左右，当VBUS处有5V电压时，因Q6体二极管反向截止，理论上CH_5.2V处电压为0V 但在实际应用时，如果VBUS有5V电压时，CH_5.2V处也有5V的电压，并且Q7也处于导通状态，且在整个威廉希尔官方网站
上，只有该地方使用了CH_5.2V网络，该5V电压不可能是由其他地方导致，实际与理论不同。而且通过Multisim仿真时，选择其他型号的mos管也存在这样的问题，是否是因为mos管漏电流过大，导致Q7导通，从而使Q6导通呢？请求各位大佬解答。 
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8个回答
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改变这两个R16改为100k,R18改为10k电阻就可以改善三极管MOS工作状态,试试看,还是需要在满足负载情况,适当调整该电阻至正常控制.
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1 条评论
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Q6的D和S接反了，，，，，
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三极管的GATE并一个电容试下？看上去是VBUS上电瞬间由于寄生原因导致CHR有电压，然后三极管就导通了后面就顺其自然的MOS也通了。。。。
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