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THGBMFT0C8LBAIG闪存芯片THGBMHT0C8LBAIG
为满足5G、云计算、IoT、AI以及智能驾驶等领域所带来的不断增长的数据存储需求，铠侠宣布将在日本岩手县现有的K1工厂旁预留出13.6万平方米面积作为K2厂区的建设空间，预计场地准备工作将于2021年春季开始，并于2022年春季完成。不久之前，铠侠才刚刚宣布将在2021年春季在日本四日市建设Fab7。相隔不足两月，铠侠前后宣布两个厂区的建设计划，足见其对于闪存市场发展长期看好的态度，此外，在一定程度上也显示了铠侠作为全球排名第二闪存制造商的“危机感”。 前有强敌，后有追兵，还有对手“弯道超车”，铠侠全球第二宝座“岌岌可危”一直以来，存储市场竞争即围绕着容量增长与成本降低两大核心展开，而解决这两个核心问题的最优解即为不断扩充产能，并提升存储密度。 今年三季度铠侠以21%的市场占有率，在全球NAND闪存制造商中位居第二，与三星相差12%。对惯于使用反周期投资扩大与竞争对手差距的三星来讲，其扩产投资一直不曾间断，在今年初其西安二期一阶段厂区投产后不久，二期二阶段以及平泽二期工厂随即开始建设，预计将在2021年开始投产。 美光和SK海力士虽然并未有扩产消息传出，但是近期相继宣布下一代（176层）NAND闪存技术取得显著进展。其中，美光最新的176层3D NAND已经在新加坡工厂量产，将在2021年推出基于该技术的新产品，SK海力士也将在2021年中推出基于176层4D NAND新技术的UFS和SSD产品。 而三星虽然还未宣布下一代产品具体层数，但是近期也在公开会议中表示，将在2021年量产第七代V-NAND，使用“双堆栈”技术。因此，预计三星、美光及SK海力士明年将在下一代NAND产品上展开竞争，而铠侠在今年初推出112层BiCS5之后尚未有下一代产品信息更新。 不仅如此，今年10月份，SK海力士更是重磅宣布将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务，其中包括英特尔在大连的NAND闪存制造工厂，这不仅直接提升SK海力士在数据中心市场竞争力，还意味着英特尔约8%的市场份额直接被其吃下，之后其市场份额直逼铠侠。 铠侠自更名之后命途可谓辗转，此前一直致力于登陆资本市场，然而今年存储市场持续动荡加上疫情第二波爆发使其不得不宣布暂缓IPO计划，再加上竞争对手的围追堵截，使得挑战更为严峻。当然，在存储领域摸爬滚打几十年的铠侠，当然不会因此却步，近期频繁宣布的扩产计划也可理解为还击招式。 TH58TFG9UHLTA2D THGBMBG5D1KBAIT THGBMBG5D1KBAIL THGBMAG5A1JBAWR THGBMFG6C1LBAIL THGBMFG6C1LBAIT THGBMHG6C1LBAIL THGBMAG6A2JBAWR THGBMFG7C2LBAIL THGBMFG7C2LBAIW THGBMHG7C2LBAIL THGBMFG7C1LBAIL THGBMHG7C1LBAIL THGBMAG7B2JBAWM THGBMFG8C4LBAIR THGBMFG8C4LBAIW THGBMHG8C4LBAIR THGBMFG8C2LBAIL THGBMHG8C2LBAIL THGBMAG8B4JBAWM THGBMFG9C8LBAIG THGBMFG9C8LBAIX THGBMHG9C8LBAIG THGBMFG9C4LBAIR THGBMHG9C4LBAIR THGBMHG9C4LBAIR THGBMFT0CBLBAIS THGBMFT0C8LBAIG THGBMHT0C8LBAIG THGBMGT0T8LBAIG THGLF2G8J4LBATR THGLF2G9J8LBATR 
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