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锐骏200V低压和600V高压MOS对于电机控制和电源管理

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2024-9-23 17:07:50 1412 电源管理电机驱动 MOS

0 电机控制锐骏Super Trench MOSFET系列产品采用屏蔽栅深沟槽技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg），配合先进的封装技术，提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。 2024.04.24 锐骏Super Trench MOSFET系列产品采用屏蔽栅深沟槽技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg），配合先进的封装技术，提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。产品类型：Trench MOS（低压）产品简介：沟槽型工艺，适用于200V以下低压领域，大电流、大串数等应用场景。应用场景：锂电保护；电动车、平衡车无刷电机；电子烟等。 [](javascript: void(0)) 产品类型：SGT MOS（中低压）产品简介：屏蔽栅沟槽型工艺，内阻低、开关速度快，适用于中低压小串数应用场景。应用场景：家电电机；PD快充、多口USB、反激式电源等。 [](javascript: void(0)) 产品类型：Super Junction MOS（高压）产品简介：高压超结工艺，效率更高、更可靠，适用于600V以上高压应用领域，行业前沿拓展产品。应用场景：PC电源开关、电池、逆变器等。此为RU15P12C的部分参数可无偿分享原厂一级代理可为您答疑解惑行业内率先通过 ISO9001、ISO14001质量体系认证的高新技术企业。 0 本主题由 dianzi_0101 于 2024-9-23 18:27 审核通过
2024-9-23 17:07:50　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 开关电源MOS管选型500V、600V、650V参数 2 • 500V和600V的高压MOSFET 1813 • 600V/3A开关电源问题 3480 • 采用半桥设计的500V和600V高压集成威廉希尔官方网站 1791 • 600V电压输出采样 8998 • 600V输入多路输出高频开关电源设计 10 • 如何设计600V FS结构的IGBT 25 • 200v耐压mos管SVT20240NP7参数-士兰微mos 1 • 1kW 600V工业电机控制电源板SECO-1KW-MCTRL-GEVB数据手册 1 • SVS14N60FJD2 14A,600V超低内阻高压mos 7