威廉希尔官方网站 设计william hill官网
直播中

oe386961252

8年用户 66经验值
擅长:嵌入式技术
私信 关注
[问答]

关于H桥和IR2110

我想问一下,我想用0到+15V的方波驱动全桥的4个MOSFET,但是老师说要先让这个方波经过IR2110,再去驱动MOSFET,请问这个IR2110有什么作用?不能直接把方波用来驱动MOSFET吗?
  • 01.jpg

回帖(17)

朱国栋

2016-3-1 05:45:06

最佳答案

我以前搭过这个驱动威廉希尔官方网站 ,上臂mos不能正常工作,电源电压24v,但上臂mos栅极给12v,输出只有9v多。
因为,理想输出电压是24v。但当mos导通时,随着输出端由0v开始上升到9v多时,此时源极电压已经是9v多,而栅极为12v,输出电压不能再上升了,否则管子就截止了。除非将栅极电压上升到28v左右,才能将上臂mos完全导通。
你可以去ir官网查它的驱动资料,上面列举了其产品优势,其中有一条就是解决了这个问题,通过自举电容可以使电压达到28v,比系统的最高供电电压要高3v左右。
举报

列兵老虎

2016-3-1 06:22:39
估计是用来隔离、保护等用途。直接驱动不能隔离,还要设计保护威廉希尔官方网站 等。
举报

jiciwi

2016-3-1 08:41:15
来驱动全桥的上管
1 举报

829785

2016-3-1 10:48:29
关键您的0-15v方波是用什么产生的?IR2110驱动器。它兼有光耦隔离和电磁隔离的优点,是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种,波形也非常标准。
举报

朱国栋

2016-3-1 14:54:36
0-15v无法直接驱动全桥上臂开关管,因为其源极电压为电源电压,栅源极电压无法达到开启电压。而驱动芯片中有自举威廉希尔官方网站 ,能将栅极电压升到超过电源电压,为系统最高电压。此时上臂开关管才能正常导通。
举报

oe386961252

2016-3-1 16:55:36
引用: qingcaodi128 发表于 2016-3-1 10:48
关键您的0-15v方波是用什么产生的?IR2110驱动器。它兼有光耦隔离和电磁隔离的优点,是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种,波形也非常标准。

我的方波是由一个DC-DC转换器的威廉希尔官方网站 产生的,我以为IR2110是为了保护H桥的威廉希尔官方网站
举报

oe386961252

2016-3-1 16:59:34
引用: fatmouse 发表于 2016-3-1 14:54
0-15v无法直接驱动全桥上臂开关管,因为其源极电压为电源电压,栅源极电压无法达到开启电压。而驱动芯片中有自举威廉希尔官方网站 ,能将栅极电压升到超过电源电压,为系统最高电压。此时上臂开关管才能正常导通。

源极电压是电源电压我明白,为什么栅源极电压无法达到开启电压?如果我的电源电压是30V,要多少伏的栅源极电压?
举报

oe386961252

2016-3-1 17:00:23
引用: 列兵老虎 发表于 2016-3-1 06:22
估计是用来隔离、保护等用途。直接驱动不能隔离,还要设计保护威廉希尔官方网站 等。

隔离和保护具体点应该怎么说?
举报

列兵老虎

2016-3-1 17:18:37
本帖最后由 列兵老虎 于 2016-3-1 17:33 编辑
引用: oe386961252 发表于 2016-3-1 17:00
隔离和保护具体点应该怎么说?

常见场效应管Vgs±20V,超过有可能损坏管子。如果驱动电压高则一定要加保护威廉希尔官方网站 。
驱动是低压小电流,后级可能是高压大电流,为了前级安全,可以用光耦、变压器等方式隔离驱动。
隔离与保护都需要你来设计威廉希尔官方网站 ,专用驱动IC简化了威廉希尔官方网站 设计,可靠性高、性能好。
我没看到你的具体威廉希尔官方网站 ,15V无需过压保护。要求不高时,用几个三极管搭个简单驱动威廉希尔官方网站 就行。



举报

朱国栋

2016-3-1 18:26:32
补充:mos导通条件请查阅模电书籍。
举报

oe386961252

2016-3-2 04:47:50
引用: fatmouse 发表于 2016-3-1 18:23
我以前搭过这个驱动威廉希尔官方网站 ,上臂mos不能正常工作,电源电压24v,但上臂mos栅极给12v,输出只有9v多。
因为,理想输出电压是24v。但当mos导通时,随着输出端由0v开始上升到9v多时,此时源极电压已经是9v多,而栅极为12v,输出电压不能再上升了,否则管子就截止了。除非将栅极电压上升到28v左右,才能将上臂mos完全导通。
你可以去 ...

威廉希尔官方网站 图是这样子的吗?左边的HIN和LIN,还有右边的HO和LO分别是什么?
举报

列兵老虎

2016-3-2 07:17:37
给楼主两个威廉希尔官方网站 参考: 场效应管电机驱动-MOS管H桥原理 http://www.dzkf.cn/html/zonghejishu/2010/0916/4017.html

关于直流电机 H 桥驱动方案的选择 http://www.embedream.com/b***/2009-03-09/76.html
举报

oe386961252

2016-3-3 05:23:24
引用: 列兵老虎 发表于 2016-3-2 07:17
给楼主两个威廉希尔官方网站 参考: 场效应管电机驱动-MOS管H桥原理 http://www.dzkf.cn/html/zonghejishu/2010/0916/4017.html

关于直流电机 H 桥驱动方案的选择 http://www.embedream.com/b***/2009-03-09/76.html

在这个威廉希尔官方网站 图上,如果Vcc和Vdd都是正的15V,那电源的负极要接在哪里?HIN如果输入0到+15V方波,HO输出应该是什么样的波形?
举报
  • 01.jpg

轻触的思绪

2016-4-20 21:55:02
引用: oe386961252 发表于 2016-3-3 05:23
在这个威廉希尔官方网站 图上,如果Vcc和Vdd都是正的15V,那电源的负极要接在哪里?HIN如果输入0到+15V方波,HO输出应该是什么样的波形?

电源负极接在Vss引脚上;
HIN输入+15V方波时,HO输出+25V~+35V之间的方波
举报

殷开开

2016-4-27 22:18:55
     光耦隔离和电磁隔离的作用
举报

庄冰

2018-8-13 18:29:46
产品特点:
   *输出电流能力IO+/- 2.5A/2.5A
   *高端悬浮自举电源设计,耐压可达600V
   *适应5V,3.3V 15V输入可方便与TTL,CMOS电平相匹配。
   *最高频率支持500KHZ
   *输出的电源端的电压范围:10-20V
   *ton/off 时间:130ns/120ns
   * Deley Macthing (type) 10ns
   *允许逻辑威廉希尔官方网站 参考地VSS 与功率威廉希尔官方网站 参考地COM之间的5V正负偏移量。
  

内建死区控制威廉希尔官方网站
自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通
HIN 输入通道高电平有效,控制高端HO 输出
LIN 输入通道高电平有效,控制低端LO 输出
外围器件少
静态电流小于5uA,非常适合电池场合
举报

庄冰

2018-8-13 18:30:35
给你看看SLM2110S产品的特点先,
*输出电流能力IO+/- 2.5A/2.5A
   *高端悬浮自举电源设计,耐压可达600V
   *适应5V,3.3V 15V输入可方便与TTL,CMOS电平相匹配。
   *最高频率支持500KHZ
   *输出的电源端的电压范围:10-20V
   *ton/off 时间:130ns/120ns
   * Deley Macthing (type) 10ns
   *允许逻辑威廉希尔官方网站 参考地VSS 与功率威廉希尔官方网站 参考地COM之间的5V正负偏移量。
你就知道2110S的作用了。
举报

更多回帖

发帖
×
20
完善资料,
赚取积分