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我想问一下,我想用0到+15V的方波驱动全桥的4个MOSFET,但是老师说要先让这个方波经过IR2110,再去驱动MOSFET,请问这个IR2110有什么作用?不能直接把方波用来驱动MOSFET吗?
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17个回答
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我以前搭过这个驱动威廉希尔官方网站
,上臂mos不能正常工作,电源电压24v,但上臂mos栅极给12v,输出只有9v多。
因为,理想输出电压是24v。但当mos导通时,随着输出端由0v开始上升到9v多时,此时源极电压已经是9v多,而栅极为12v,输出电压不能再上升了,否则管子就截止了。除非将栅极电压上升到28v左右,才能将上臂mos完全导通。 你可以去ir官网查它的驱动资料,上面列举了其产品优势,其中有一条就是解决了这个问题,通过自举电容可以使电压达到28v,比系统的最高供电电压要高3v左右。
最佳答案
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估计是用来隔离、保护等用途。直接驱动不能隔离,还要设计保护威廉希尔官方网站
等。
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来驱动全桥的上管
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关键您的0-15v方波是用什么产生的?IR2110驱动器。它兼有光耦隔离和电磁隔离的优点,是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种,波形也非常标准。
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0-15v无法直接驱动全桥上臂开关管,因为其源极电压为电源电压,栅源极电压无法达到开启电压。而驱动芯片中有自举威廉希尔官方网站
,能将栅极电压升到超过电源电压,为系统最高电压。此时上臂开关管才能正常导通。
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qingcaodi128 发表于 2016-3-1 10:48 我的方波是由一个DC-DC转换器的威廉希尔官方网站 产生的,我以为IR2110是为了保护H桥的威廉希尔官方网站 |
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fatmouse 发表于 2016-3-1 14:54 源极电压是电源电压我明白,为什么栅源极电压无法达到开启电压?如果我的电源电压是30V,要多少伏的栅源极电压? |
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本帖最后由 列兵老虎 于 2016-3-1 17:33 编辑
常见场效应管Vgs±20V,超过有可能损坏管子。如果驱动电压高则一定要加保护威廉希尔官方网站 。 驱动是低压小电流,后级可能是高压大电流,为了前级安全,可以用光耦、变压器等方式隔离驱动。 隔离与保护都需要你来设计威廉希尔官方网站 ,专用驱动IC简化了威廉希尔官方网站 设计,可靠性高、性能好。 我没看到你的具体威廉希尔官方网站 ,15V无需过压保护。要求不高时,用几个三极管搭个简单驱动威廉希尔官方网站 就行。 |
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补充:mos导通条件请查阅模电书籍。
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fatmouse 发表于 2016-3-1 18:23 威廉希尔官方网站 图是这样子的吗?左边的HIN和LIN,还有右边的HO和LO分别是什么? |
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给楼主两个威廉希尔官方网站
参考: 场效应管电机驱动-MOS管H桥原理 http://www.dzkf.cn/html/zonghejishu/2010/0916/4017.html
关于直流电机 H 桥驱动方案的选择 http://www.embedream.com/b***/2009-03-09/76.html |
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列兵老虎 发表于 2016-3-2 07:17 在这个威廉希尔官方网站 图上,如果Vcc和Vdd都是正的15V,那电源的负极要接在哪里?HIN如果输入0到+15V方波,HO输出应该是什么样的波形?
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oe386961252 发表于 2016-3-3 05:23 电源负极接在Vss引脚上; HIN输入+15V方波时,HO输出+25V~+35V之间的方波 |
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光耦隔离和电磁隔离的作用
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产品特点:
*输出电流能力IO+/- 2.5A/2.5A *高端悬浮自举电源设计,耐压可达600V *适应5V,3.3V 15V输入可方便与TTL,CMOS电平相匹配。 *最高频率支持500KHZ *输出的电源端的电压范围:10-20V *ton/off 时间:130ns/120ns * Deley Macthing (type) 10ns *允许逻辑威廉希尔官方网站 参考地VSS 与功率威廉希尔官方网站 参考地COM之间的5V正负偏移量。 内建死区控制威廉希尔官方网站 自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通 HIN 输入通道高电平有效,控制高端HO 输出 LIN 输入通道高电平有效,控制低端LO 输出 外围器件少 静态电流小于5uA,非常适合电池场合 |
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给你看看SLM2110S产品的特点先,
*输出电流能力IO+/- 2.5A/2.5A *高端悬浮自举电源设计,耐压可达600V *适应5V,3.3V 15V输入可方便与TTL,CMOS电平相匹配。 *最高频率支持500KHZ *输出的电源端的电压范围:10-20V *ton/off 时间:130ns/120ns * Deley Macthing (type) 10ns *允许逻辑威廉希尔官方网站 参考地VSS 与功率威廉希尔官方网站 参考地COM之间的5V正负偏移量。 你就知道2110S的作用了。 |
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